• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В., Масловский В. М., Столяров А. А.

На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения заря-
дового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной ин-
жекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектирован-
ных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и
сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дыр-
ками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к образованию по-
верхностных состояний на границе раздела с кремнием. Изучено влияние напряженности электри-
ческого поля и плотности инжекционного тока в условиях воздействия радиационного излучения
на процессы генерации и аннигиляции положительного заряда и создание поверхностных состоя-
ний. Исследовано влияние зарядовых процессов, протекающих в диэлектрической пленке
МДП-структуры при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой ин-
жекции электронов, на изменение порогового напряжения МДП-приборов и сенсоров радиацион-
ных излучений на их основе.