• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И., Белов А. Г.

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизоли-рующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсив-ности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент ко-торой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки  значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения  суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экс-периментальные результаты.