• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдена 21 публикация
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012
Статья
Савченко В. В. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 4. С. 11-19.
Добавлено: 3 мая 2011
Статья
Петросянц К. О., Ширабайкин Д. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3(77). С. 87-89.

Рассмотрен метод расчета долговечности (времени до отказа) проводника СБИС в области межуровневого соединения. Рассчитаны долговечности для алюминиевых и медных проводников. Метод позволяет при заданных размерах межсоединений и параметрах проводящего материала определять электромиграционную долговечность элементов ИМС на стадии проектирования.

Добавлено: 21 февраля 2013
Статья
Аладышев О. С., Вдовикин О. И., Овсянников А. П. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. С. 36-42.

Рассмотрены типовые программные и аппаратные решения, используемые при создании кластеров.  

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Петросянц К. О., Торговников Р. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.

Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру нагрева на 30 К, а сопротивление Rt в 1.5 раза.

Добавлено: 19 апреля 2012
Статья
Овсянников А. П., Шабанов Б. М., Аладышев О. С. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. № 1. С. 18-21.

  Рассмотрена организация компьютерной сети вычислительного центра на примере сети Межведомственного суперкомпьютерного центра. Обсуждены вопросы организации высокоскоростного, надежного и защищенного доступа к вычислительным и информационным ресурсам.

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Савин Г. И., Шабанов Б. М., Телегин П. Н. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1. С. 51-56.

Описана структура сегмента грид (grid) Российской инфраструктуры для суперкомпьютерных приложений, реализованного в Российской академии наук на базе кластерных систем Межведомственного суперкомпьютерного центра. Рассмотрены состав, структура и основные моменты взаимодействия компонентов системы. Описано функционирование вычислительных систем в составе грид. Приведены основные принципы построения и функционирования программного обеспечения сетевой среды распределенных вычислений.

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Шульга Н. Ю., Захарченко А. В., Аладышев О. С. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. № 1. С. 30-35.

Область использования информационных технологий постоянно расширяется, поэтому классические методы администрирования информационных сетей становятся бесполезными в связи с возрастающей сложностью задач. Использование служб каталогов для хранения базы данных пользователей может оказаться эффективным решением в сложившейся ситуации. Рассмотрены различные методы интеграции существующих операционных систем со службой каталогов LDAP.  

 

 

 

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Васильевский В. В., Петров В. С., Ли И. П. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. Т. 98. № 6. С. 17-25.

Разработан метод высоковакуумного термогравиметрического анализа во внешнем электрическом поле. Проведены кинетические исследования каталитического испарения, окисления и термоэлектронрной эмиссии катодных сплавов при температуре активирования.

Добавлено: 29 марта 2013
Статья
Руднев В. Ю., Кретов В. И., Дюжев Н. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. Т. 4. № 90. С. 23-29.

Описано экспериментальное иследование факторов, влияющих на тепловую деградацию одиночного кремниевого автоэмисионного катода острийного типа в процессе отбора эмиссионного тока. Приводятся результаты численного моделирования температурной динамики автоэмиссионного катода в условиях наличия свободной границы раздела жидкой и твердой фаз с учетом поверхностного натяжения. 

Добавлено: 5 марта 2013
Статья
Лысенко А. П., Быков Д. В., Григорьев Ф. И. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. Т. 105. № 1. С. 32-39.

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов

Добавлено: 15 января 2014
Статья
Харитонов И. А., Александрова А. Б. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 3. С. 286-288.

Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что  при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.

Добавлено: 5 декабря 2016
Статья
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Добавлено: 19 апреля 2012
Статья
Васильевский В. В., Монахов И. С., Полунина А. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. Т. 100. № 2. С. 9-15.

Разработан селективный геттер на водород, представляющий собой гетероструктуру, состоящую из пористой титановой подложки и пленки палладия. В этой гетероструктуре палладий выполняет функцию селективной мембраны, пропускающей только водород, а титан химически связывает поглощаемый водород. Применен новый метод конденсации в замкнутом объеме кнудсеновской ячейки с испаряющимися стенками из палладия. Полученная пленка покрывает всю поверхность пористого геттера.

Добавлено: 29 марта 2013
Статья
Голубятников В. А., Лысенко А. П., Белов А. Г. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 576-581.

На монокристаллических объёмных образцах CdхHg1-хTe (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах CdхHg1-хTe/Cd1-уZnуTe (КРТ/КЦТ) (х  0,2), проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при Т = 295К и Т =77К. Образец вместе с криостатом поворачивался в поле электромагнита на угол от 0 до 360 градусов с шагом 6 градусов. Показано, что для объёмного образца КРТ p-типа электропроводности при Т = 77К угловые зависимости измеряемого напряжения представляли собой синусоиды, то есть коэффициент Холла не зависел от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при Т = 77К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличались от синусоидальных.

Добавлено: 14 мая 2015
Статья
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. Т. 106. № 2. С. 16-21.

В работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.

Добавлено: 3 февраля 2014
Статья
Иванов И. А., Королев П. С., Полесский С. Н. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 6. С. 589-592.

В работе проведено исследование по уточнению оценки значений гамма-процентного ресурса оптических кабелей в зависимости от различных условий применений (группы аппаратуры, температура и др.) и параметров (длина кабеля и др.). Также в работе предложена методика по уточнению оценки значений гамма-процентного ресурса оптических кабелей. Приведены графики зависимости, наглядно демонстрирующие необходимость проведения подобных расчетов при проектировании волоконно-оптических систем передачи информации

Добавлено: 7 декабря 2015
Статья
Аладышев О. С., Дикарев Н. И., Овсянников А. П. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. № 1. С. 13-17.

Проанализированы тенденции развития суперЭВМ за последние годы и требования к их производительности.

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
Добавлено: 12 апреля 2012
Статья
Петросянц К. О., Козынко П. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.

В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые пользователем.

Добавлено: 26 декабря 2012
Статья
Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013