Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В работе представлены модифицированные Low-T и High-T SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких (-200…+300 °С). Все модели построены с использованием универсального подхода, который заключается в добавлении в базовую SPICE-модель приборов дополнительных выражений для температурно-зависимых параметров модели. Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температур. Погрешность описания статических ВАХ MOSFET- и JFET-транзисторов не превышает 10-12 % в диапазоне температур -200...+300 °С.

В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. Достигнуто приемлемое соотношение между результатами моделирования и экспериментальными данными.

Рассмотрен метод расчета долговечности (времени до отказа) проводника СБИС в области межуровневого соединения. Рассчитаны долговечности для алюминиевых и медных проводников. Метод позволяет при заданных размерах межсоединений и параметрах проводящего материала определять электромиграционную долговечность элементов ИМС на стадии проектирования.

В статье с помощью расчёта в системе приборно-технологического моделирования TCAD проанализирована зависимость токов утечки транзисторной МОП-структуры размера 45 нм от внешних факторов.

Рассмотрены типовые программные и аппаратные решения, используемые при создании кластеров.  

В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов.

Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик.

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизоли-рующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсив-ности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент ко-торой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки  значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения  суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экс-периментальные результаты.

Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру нагрева на 30 К, а сопротивление Rt в 1.5 раза.

  Рассмотрена организация компьютерной сети вычислительного центра на примере сети Межведомственного суперкомпьютерного центра. Обсуждены вопросы организации высокоскоростного, надежного и защищенного доступа к вычислительным и информационным ресурсам.

Описана структура сегмента грид (grid) Российской инфраструктуры для суперкомпьютерных приложений, реализованного в Российской академии наук на базе кластерных систем Межведомственного суперкомпьютерного центра. Рассмотрены состав, структура и основные моменты взаимодействия компонентов системы. Описано функционирование вычислительных систем в составе грид. Приведены основные принципы построения и функционирования программного обеспечения сетевой среды распределенных вычислений.

Область использования информационных технологий постоянно расширяется, поэтому классические методы администрирования информационных сетей становятся бесполезными в связи с возрастающей сложностью задач. Использование служб каталогов для хранения базы данных пользователей может оказаться эффективным решением в сложившейся ситуации. Рассмотрены различные методы интеграции существующих операционных систем со службой каталогов LDAP.  

Разработан метод высоковакуумного термогравиметрического анализа во внешнем электрическом поле. Проведены кинетические исследования каталитического испарения, окисления и термоэлектронрной эмиссии катодных сплавов при температуре активирования.

Описано экспериментальное иследование факторов, влияющих на тепловую деградацию одиночного кремниевого автоэмисионного катода острийного типа в процессе отбора эмиссионного тока. Приводятся результаты численного моделирования температурной динамики автоэмиссионного катода в условиях наличия свободной границы раздела жидкой и твердой фаз с учетом поверхностного натяжения. 

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов

Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о су-ществовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка

Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что  при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Разработан селективный геттер на водород, представляющий собой гетероструктуру, состоящую из пористой титановой подложки и пленки палладия. В этой гетероструктуре палладий выполняет функцию селективной мембраны, пропускающей только водород, а титан химически связывает поглощаемый водород. Применен новый метод конденсации в замкнутом объеме кнудсеновской ячейки с испаряющимися стенками из палладия. Полученная пленка покрывает всю поверхность пористого геттера.