• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдены 32 публикации
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012
Статья
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 570-581.
Добавлено: 16 октября 2017
Статья
Савченко В. В. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 4. С. 11-19.
Добавлено: 3 мая 2011
Статья
Петросянц К. О., Ширабайкин Д. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3(77). С. 87-89.

Рассмотрен метод расчета долговечности (времени до отказа) проводника СБИС в области межуровневого соединения. Рассчитаны долговечности для алюминиевых и медных проводников. Метод позволяет при заданных размерах межсоединений и параметрах проводящего материала определять электромиграционную долговечность элементов ИМС на стадии проектирования.

Добавлено: 21 февраля 2013
Статья
Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.

В статье с помощью расчёта в системе приборно-технологического моделирования TCAD проанализирована зависимость токов утечки транзисторной МОП-структуры размера 45 нм от внешних факторов.

Добавлено: 20 ноября 2014
Статья
Аладышев О. С., Вдовикин О. И., Овсянников А. П. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. С. 36-42.

Рассмотрены типовые программные и аппаратные решения, используемые при создании кластеров.  

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6. С. 85-87.

В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов.

Добавлено: 29 января 2014
Статья
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 648-651.

Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик.

Добавлено: 18 февраля 2016
Статья
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 2. С. 174-181.

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизоли-рующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсив-ности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент ко-торой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки  значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения  суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экс-периментальные результаты.

Добавлено: 4 ноября 2014
Статья
Петросянц К. О., Торговников Р. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.

Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру нагрева на 30 К, а сопротивление Rt в 1.5 раза.

Добавлено: 19 апреля 2012
Статья
Овсянников А. П., Шабанов Б. М., Аладышев О. С. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. № 1. С. 18-21.

  Рассмотрена организация компьютерной сети вычислительного центра на примере сети Межведомственного суперкомпьютерного центра. Обсуждены вопросы организации высокоскоростного, надежного и защищенного доступа к вычислительным и информационным ресурсам.

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Савин Г. И., Шабанов Б. М., Телегин П. Н. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1. С. 51-56.

Описана структура сегмента грид (grid) Российской инфраструктуры для суперкомпьютерных приложений, реализованного в Российской академии наук на базе кластерных систем Межведомственного суперкомпьютерного центра. Рассмотрены состав, структура и основные моменты взаимодействия компонентов системы. Описано функционирование вычислительных систем в составе грид. Приведены основные принципы построения и функционирования программного обеспечения сетевой среды распределенных вычислений.

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Шульга Н. Ю., Захарченко А. В., Аладышев О. С. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2004. № 1. С. 30-35.

Область использования информационных технологий постоянно расширяется, поэтому классические методы администрирования информационных сетей становятся бесполезными в связи с возрастающей сложностью задач. Использование служб каталогов для хранения базы данных пользователей может оказаться эффективным решением в сложившейся ситуации. Рассмотрены различные методы интеграции существующих операционных систем со службой каталогов LDAP.  

 

 

 

Добавлено: 20 августа 2015
Статья
Васильевский В. В., Петров В. С., Ли И. П. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. Т. 98. № 6. С. 17-25.

Разработан метод высоковакуумного термогравиметрического анализа во внешнем электрическом поле. Проведены кинетические исследования каталитического испарения, окисления и термоэлектронрной эмиссии катодных сплавов при температуре активирования.

Добавлено: 29 марта 2013
Статья
Руднев В. Ю., Кретов В. И., Дюжев Н. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. Т. 4. № 90. С. 23-29.

Описано экспериментальное иследование факторов, влияющих на тепловую деградацию одиночного кремниевого автоэмисионного катода острийного типа в процессе отбора эмиссионного тока. Приводятся результаты численного моделирования температурной динамики автоэмиссионного катода в условиях наличия свободной границы раздела жидкой и твердой фаз с учетом поверхностного натяжения. 

Добавлено: 5 марта 2013
Статья
Лысенко А. П., Быков Д. В., Григорьев Ф. И. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. Т. 105. № 1. С. 32-39.

Рассмотрены механизмы формирования амплитудного значения электронной составляющей полного тока через БИСПИН-прибор в различных режимах пульсации. Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований электронной составляющей тока через структуру от напряжения питания и сопротивления нагрузки. Предложена теоретическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных результатов

Добавлено: 15 января 2014
Статья
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Белов А. Г. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 1. С. 5-12.

Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. Высказано предположение о су-ществовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка

Добавлено: 14 мая 2015
Статья
Харитонов И. А., Александрова А. Б. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 3. С. 286-288.

Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что  при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.

Добавлено: 5 декабря 2016
Статья
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Добавлено: 19 апреля 2012
Статья
Васильевский В. В., Монахов И. С., Полунина А. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. Т. 100. № 2. С. 9-15.

Разработан селективный геттер на водород, представляющий собой гетероструктуру, состоящую из пористой титановой подложки и пленки палладия. В этой гетероструктуре палладий выполняет функцию селективной мембраны, пропускающей только водород, а титан химически связывает поглощаемый водород. Применен новый метод конденсации в замкнутом объеме кнудсеновской ячейки с испаряющимися стенками из палладия. Полученная пленка покрывает всю поверхность пористого геттера.

Добавлено: 29 марта 2013
Статья
Гурарий М., Жаров М., Русаков С. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 3. С. 73-81.

Предложен метод анализа автогенераторных схем при внешнем периодическом возбуждении, ориентированный на произвольные конфигурации схем и произвольные формы внешних сигналов. Метод обеспечивает анализ характеристик при соотношении частоты внешнего воздействия и собственной частоты автогенератора, близком к рациональной дроби.

Добавлено: 5 октября 2017
1 2