Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

?

Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

Физика твердого тела. 2026. Т. 68. № 8. С. 1325–1332.

Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В., Дёмина П. Б., Здоровейщев А. В., Малышева Е. И., Ерофеева И. В., Ноздрин Д. А.

Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией двух спин-зависимых процессов: рекомбинации носителей в квантовой яме и выбросом из нее электронов. Зависимость рекомбинации от исходной спиновой поляризации связывается с влиянием дельта-слоя Mn на равновесную поляризацию дырок. За счет действия правил отбора для оптических переходов при этом варьируется рекомбинационное время жизни. Спин-зависимый уход обусловлен туннелированием на расщепленные по спину состояния, связанные с сильным легированием арсенида галлия марганцем. Экспериментальные исследования эффекта спин-зависимой фотоэдс позволяют анализировать механизмы взаимодействия носителей заряда с атомами Mn в дельта-слое.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: русский

DOI

Текст на другом сайте

Теоретические пределы обнаружения объектов в рассеивающих средах с использованием импульсного и непрерывного однофотонного лидара на основе сверхпроводниковых нанопроволочных детекторов

Ожегов Р. В., Махлуф М., Гольцман Г. Н. и др., Инженерная физика 2026 № 8 С. 27–39

В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...

Добавлено: 8 октября 2026 г.

Analytical solution for cylindrical propagation of tsunami in the ocean of variable depth

Диденкулова Е. Г., Chugunov V., Didenkulova I., Wave Motion 2026 Vol. 147 Article 103787

Добавлено: 8 октября 2026 г.

Champion soliton emergence from bipolar solitary wave interactions in the Schamel equation

Flamarion M., Диденкулова Е. Г., Пелиновский Е. Н., Physics Letters A 2026 Vol. 598 Article 132218

Добавлено: 8 октября 2026 г.

Исследование свойств оптического покрытия на основе упрощенного симулятора процесса напыления

Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93

Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...

Добавлено: 5 октября 2026 г.

Prospects for an independent measurement of the l = 1, 2, 3 CMB anisotropy multipoles using the anisotropic Sunyaev-Zel’dovich effect

Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522

Добавлено: 5 октября 2026 г.

Nanometer thick iron garnet films with high Faraday rotation

Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8

Добавлено: 4 октября 2026 г.

Enhancement of superconductivity by polarization of magnetic impurities in disordered films

Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Advances in colloidal anisotropic nanocrystals for high-efficiency light-emitting diodes

Жуков А. Е., Chen F., Zeng Y. и др., Nanoscale 2026 Vol. 18 No. 36 P. 19223–19253

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Improved measurement of Born cross sections for chi_bJ omega and chi_bJ (pi+ pi- pi0)non-omega (J = 0, 1, 2) at Belle and Belle II

Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Observation of e+e- -> eta Upsilon(2S) and search for e+e- -> eta Upsilon(1S), gamma X_b at sqrt(s) near 10.75 GeV

Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102

Добавлено: 2 октября 2026 г.

First Search for B -> Xs nu nubar Decays

Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231801

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Search for e+ e- -> gamma chi_bJ (J = 0, 1, 2) near sqrt(s) = 10.746 GeV at Belle II

Пахлова Г. В., Бодров Д. А., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 052009

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Measurement of inclusive B -> Xu l nu partial branching fractions and |Vub| at Belle II

Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 032004

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Measurement of the CP asymmetry in D0 -> pi+ pi- pi0 decays at Belle II

Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 052006

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Study of e+e- -> h+h- J/psi (h = pi, K, p) via initial-state radiation at Belle II

Пахлов П. Н., Пахлова Г. В., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 112010

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Measurements of the mass difference m(B0) - m(B+) and the energy dependence of the cross-section ratio sigma(e+e- -> B0 Bbar0) / sigma(e+e- -> B+ B-) at Belle and Belle II

Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 05 Article 175

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Search for CP violation in Xi_c+ -> Sigma+ h+ h- and Lambda_c+ -> p h+ h- at Belle II

Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Abumusabh М., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 032017

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Study of B+ -> mu+ nu_mu decays at Belle and Belle II

Пахлов П. Н., Пахлова Г. В., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 112012

Добавлено: 2 октября 2026 г.

A quantum–analogue formalism for modeling supraliminal information processing

Лубашевский И. А., Lubashevskiy V., Physica D: Nonlinear Phenomena 2026 Vol. 498 Article 135441

Добавлено: 2 октября 2026 г.

Search for the Decay B+ -> K+ tau+ tau- Using Data from the Belle and Belle II Experiments

Бодров Д. А., Пахлов П. Н., Пахлова Г. В. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 051805

Добавлено: 1 октября 2026 г.

Observation of the Radiative Decay D*_s0(2317)+ -> D*+_s gamma

Бодров Д. А., Aushev Т., Abumusabh М., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2026 No. 136 Article 241901

Добавлено: 1 октября 2026 г.

Quarter-Wave Unit Cell With Grounded Log-Periodic Spiral for a Sub-THz Reconfigurable Intelligent Surface With Sector Beam

Шураков А. С., Рожкова П. В., Беликов И. И. и др., IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters 2026 Vol. 25 No. 2 P. 706–710

Добавлено: 5 февраля 2026 г.

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237

Добавлено: 14 мая 2025 г.

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010

Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...

Добавлено: 1 ноября 2024 г.