• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Особенности фотопроводимости полуизолирующего теллурида кадмия

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г.

В работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым зондом можно исследовать врожденные неоднородности кристаллов полуизолирующих полупроводников.