• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Формирование нанообъектов литографическим методом
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Формирование нанообъектов литографическим методом

С. 302–303.
Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С.

В работе исследуется физико-техническая возможность преодоления 100 нм барьера, при формировании нанообъектов литографическим методом. Авторами работы предложено техническое решение обеспечивающее возможность высокопроизводительного формирования дорожек нанометрового диапазона с применением ультрафиолетовой литографии.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: лазерное излучениеультрафиолетовое излучениедорожки нанометрового диапазоналитографическая технология

В книге

INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., Москва
INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., Москва
Ч. 2. , М.: Энергоатомиздат, 2010.
Похожие публикации
Государственный первичный эталон единицы средней мощности лазерного излучения ГЭТ 28-2022
Иванов В. С., Крутиков В. Н., Микрюков А. С. и др., Измерительная техника 2023 № 4 С. 5–10
Представлено метрологическое обеспечение единства измерений параметров высокоинтенсивного лазерного излучения технологического и специального оборудования. Разработана и исследована система стабилизации по мощности лазера с выходной мощностью 2-1·104 Вт. Представленная система стабилизации позволяет снизить погрешность передачи единицы средней мощности лазерного излучения при применении технологического лазера с нестабильной выходной мощностью в составе эталона. Утверждён Государственный первичный эталон единицы средней ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Analysis of the Preflare Phase of Eruptive and Noneruptive Flares Using Data on the Spatial Dynamics of Coronal Magnetic Structures and Their Microwave and Ultraviolet Emission
I. A. Bakunina, Melnikov V. F., Shain A. V. и др., Geomagnetism and Aeronomy 2022 Vol. 62 No. 8 P. 1066–1072
Добавлено: 16 февраля 2023 г.
Nonlinear focusing of terahertz laser beam using a layered superconductor
Ovcharenko H. V., Maizelis Z. A., Apostolov S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 17 Article 174511
Добавлено: 6 февраля 2023 г.
Influence of a nonuniform thermal quench and circular polarized radiation on spontaneous current generation in superconducting rings
Lounis B., Buzdin A. I., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 105 No. 2 Article L020504
Теоретически исследуется неравновесная динамика параметра порядка сверхпроводящего кольца, неоднородно закаленного через температуру его перехода. Численное моделирование, основанное на спектральной декомпозиции зависящего от времени уравнения Гинзбурга-Ландау, показывает, что сверхпроводящие состояния с током могут генерироваться в кольце при определенных условиях быстрой локальной температуры. Мы также показываем, что освещение кольца электромагнитным излучением с круговой поляризацией во время быстрого ...
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Пространственные и временные особенности поведения микроволнового и ультрафиолетового излучения в эруптивных событиях
Бакунина И. А., Мельников В. Ф., Шаин А. В. и др., Известия Крымской астрофизической обсерватории 2022 Т. 118 № 1 С. 65–74
На сегодняшний день не вполне ясны наблюдательные признаки, определяющие способность активной области вызывать извержение вещества в высокие слои солнечной короны (CME). Это затрудняет понимание физического механизма триггера CME. В данной работе представлен поиск наблюдательных признаков, которые могут указывать на возникновение эруптивного процесса. Для этого мы провели сравнительный анализ условий до вспышки и во время вспышки ...
Добавлено: 23 марта 2022 г.
Features of the Behavior of Microwave and Ultraviolet Emission of Solar Active Regions in Relation to Eruptive and Confined Flares
Бакунина И. А., Melnikov V. F., Abramov-Maximov V. E. и др., Geomagnetism and Aeronomy 2021 Vol. 61 No. 8 P. 1159–1171
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Исследование комплексного воздействия интенсивных потоков ионов аргона и импульсного лазерного излучения на поверхность ванадия и сплавов на его основе
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез 2021 Т. 44 № 3 С. 82–93
В работе представлен обзор исследований о влиянии интенсивных потоков ионов аргона и мощного импульсного лазерного излучения на свойства: микротвёрдость, радиационную эрозию, структурные изменения, сопротивление коррозии в жидком литии, а также изменение топографии поверхности в условиях отдельного и последовательного облучения ионами Ar+ и лазер-ного излучения малоактивируемых сплавов ванадия (V—0,59Ga; V—1,86Ga; V—3,49Ga; V—3,4Ga—0,62Si; V—4,51Ga—5,66Cr; V—4,8Ti—4,82Cr) в сравнении ...
Добавлено: 7 октября 2021 г.
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
Калиновский В. С., Контрош Е. В., Климко Г. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 № 3 С. 285–291
Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (AIIIBV) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной ...
Добавлено: 13 ноября 2020 г.
Синергетические эффекты в поверхностных слоях сплава V-10Ti-6Cr-0,05Zr-0,1Si в условиях раздельного и последовательного воздействия ионов аргона и импульсного лазерного излучения
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., В кн.: Труды ХХХ Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 22 августа – 29 августа 2020г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2020. С. 440–447.
Добавлено: 10 сентября 2020 г.
Оптика и спектроскопия единичной плазмонной наноструктуры
Балыкин В. И., Мелентьев П. Н., Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 2 С. 143–168
Рассматривается взаимодействие лазерного света с единичными плазмонными наноструктурами. Из-за чрезвычайно слабого оптического отклика единичной наноструктуры исследования в наноплазмонике до недавнего времени осуществлялись с ансамблями наночастиц. В ансамбле наночастиц как структурные, так и материальные параметры варьируются от одной наночастицы к другой, поэтому оптический отклик является усреднённым по ансамблю. Измерения на уровне единичных наноструктур являются эффективным методом ...
Добавлено: 4 февраля 2019 г.
Воздействие импульсных потоков энергии на алюминиевые образцы с керамическим покрытием на основе оксида Al2O3
Епифанов Н. А., В кн.: Тезисы докладов XLVII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 30 мая – 1 июня 2017). М. МГУ, 2017.: КДУ, 2017.
Исследованы особенности повреждаемости керамического покрытия толщиной 20 мкм на основе оксида Al2O3 со структурой γ-корунда на алюминиевой подложке при импульсном воздействии концентрированных потоков энергии различной природы. Показано, что при воздействии лазерного излучения в милисекундном и наносекундном диапазонах длительности импульса на полупрозрачное керамическое покрытие происходит отславивание керамического слоя от металлической подложки. Экспериментально оценены пороговые значения плотности потока ...
Добавлено: 19 декабря 2018 г.
Damage of Al2O3 Ceramics under the Action of Pulsed Ion and Plasma Fluxes and Laser Irradiation
Maslyaev S. A., Morozov E. V., Romakhin P.A. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 3 P. 330–339
Добавлено: 17 мая 2016 г.
Low Pressure Microwave Discharge of AR/HG Mixture
Barkhudarov E. M., Denisova N. V., Kossyi I. A. и др., Инженерная физика 2013 No. 11 P. 42–46
Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований характеристик СВЧ разряда при низком давлении Ar/Hg смеси в коаксиальном волноводе. Разряда формируется и поддерживается в результате трансформации микроволнового излучения в поверхностную волну, распространяющуюся вдоль поверхности раздела плазма-диэлектрик. Плотность электронов намного выше, чем критическая плотность ne >> ncr (f= 2,45 ГГц). Получено радиальное распределение интенсивности излучения атомов ртути на ...
Добавлено: 13 июля 2015 г.
Повреждаемость оксида алюминия мощными импульсными потоками ионов, плазмы и лазерного излучения
Масляев С. А., Морозов Е. В., Ромахин П. А. и др., Физика и химия обработки материалов 2015 № 3 С. 5–17
Представлены результаты облучения керамики на основе оксида алюминия со структурой корунда (α-Аl2О3), приготовленной методом порошковой металлургии, импульсными потоками ионов и высокотемпературной плазмы с использованием установки Плазменный фокус (ПФ), а также лазерного  излучения (ЛИ) режиме свободной генерации. Облучение в установке ПФ-5М проводилось в атмосфере азота и воздуха при плотности мощности излучения для потока плазмы q ≈ ...
Добавлено: 28 мая 2015 г.
Влияние режимов лазерного удаление тонких пленок с поверхности стекла на его оптические характеристики
Лапшинов Б. А., Физика и химия обработки материалов 2014 № 2 С. 9–13
Исследовано влияние режимов лазерного удаления тонких пленок с поверхности стекла К8 на изменение его коэффициента пропускания. Удаление тонких пленок производилось при различных длинах импульсов лазерного излучения – 200 мкс, 100 нс и 12 нс. ...
Добавлено: 27 мая 2014 г.
Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине. Труды XIV межвузовской научной школы молодых специалистов
М.: Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, 2013.
В трудах школы рассмотрены физические основы концентрированных потоков энергии и их воздействия на материалы и изделия космической техники, методы обработки материалов концентрированным излучением, воздействие лазерного и микроволнового излучения на вещество, концентрированные потоки энергии в экологии и медицине, в электронике, проблемы физики нейтрино и ядерной спектроскопии. ...
Добавлено: 28 ноября 2013 г.
Многокритериальная задача принятия решения при проектировании УФ-литографического модульного оборудования
Васин В. А., Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю. и др., Автоматизация и современные технологии 2013 № 4 С. 19–24
В статье рассмотрена многокритериальная задача принятия решения при проектировании ультрафиолетового литографического оборудования, которая решается путём применения обобщенного критерия оценки качества, включающего технические, технологические, структурные, экономические и экологические локальные критерии с учётом их весовых коэффициентов. Показано, что предпочтительными критериями при сравнении вариантов конструктивных решений рассматриваемых технологии и оборудования являются надёжность и ожидаемый экономический эффект. Предложены методы ...
Добавлено: 22 октября 2013 г.
Применение литографических технологий для обработки генетической информации в молекулах ДНК и РНК
Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., В кн.: Опто-, наноэлектроника, наноматериалы и микросистемы: Труды XV международной конференции.: Ульяновск: УлГУ, 2012. С. 50–50.
Рассмотрена схема реализации технологии быстрого картирования генетической информации в молекулах ДНК и РНК посредством литографической технологии формирования рисунка при промышленном производстве интегральных схем. Предложено устройство для создания фотомозаики чипа для фракционирования ДНК. ...
Добавлено: 17 мая 2013 г.
Литографическая нанотехнология для создания устройств снабжения организма лекарственными препаратами
Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., В кн.: Опто-, наноэлектроника, наноматериалы и микросистемы: Труды XV международной конференции.: Ульяновск: УлГУ, 2012. С. 51–51.
Рассмотрена конструктивная схема оборудования для нанотехнологии позволяющая учёным, инженерам и медикам проводить крупномасштабные исследования в области биологии и здравоохранения на клеточном и молекулярном уровнях. Представлено устройство снабжения организма лекарственными препаратами. ...
Добавлено: 17 мая 2013 г.
Формирование изображения на подложке в иммерсионной литографии
Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. и др., В кн.: INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., МоскваЧ. 1.: М.: Энергоатомиздат, 2010. С. 306–307.
В работе предлагаются методы повышения разрешающей способности, числовой аппретуры и глубины фокуса литографического технологического оборудования на основе использования иммерсионных жидкостей и эффекта обращения волнового фронта. Авторами также предлагается техническое решение позволяющее уменьшить минимальный характеристический размер элемента на подложке до нескольких десятков нанометров без перехода к экстремальным ультрафиолетовым и мягким рентгеновским источникам излучения. ...
Добавлено: 8 февраля 2013 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору