?
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (AIIIBV) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры p-i-n-GaAs/Al0.2Ga0.8As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см2. Ключевые слова: туннельный диод, квантовое туннелирование, вольт-амперная характеристика, многопереходный фотопреобразователь, молекулярно-пучковая эпитаксия.