Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb

Журнал технической физики. 2023. Т. 93. № 7. С. 928–930.

Божко С. И., Ксенз А. С., Фокин Д. А., Ионов А. М.

Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного слоя после образования слоя толщиной 2 nm, в котором образуется стоячая волна фермиевских электронов. На поверхности слоя меньшей толщины, где стоячей электронной волны нет, реализуется рост совершенной кристаллической структуры. Образование двойниковой границы между слоями Pb толщиной 2 nm начинается с формирования разреженного атомного монослоя пар атомов.

Ключевые слова: тонкие пленки, thin film, electron growth, электронный рост