• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
5 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона
Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.
2 июня 2026 г.
От Волги до Янцзы: математики из Нижнего Новгорода и Шанхая изучают устойчивость систем
Математики НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде совместно с коллегами из шанхайского Университета Тунцзи исследуют фундаментальные причины структурной устойчивости систем и механизмы их нарушения. О развитии проекта Qualitative Theory of Systems of Ordinary and Partial Differential Equations в рамках программы НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» «Вышке.Главное» рассказала его руководитель, профессор Ольга Починка, заведующая Международной лабораторией динамических систем и приложений НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде.

4 июня 2026 г.
«Я хочу, чтобы люди больше доверяли науке»
Выбирая специальность «фундаментальная и прикладная лингвистика», Татьяна Еремичева думала, что это про изучение языков, а оказалось — про помощь людям. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о науке как инструменте приятия этого мира, бильярде как варианте тимбилдинга и о том, как иногда непросто научиться читать.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb

Журнал технической физики. 2023. Т. 93. № 7. С. 928–930.
Божко С. И., Ксенз А. С., Фокин Д. А., Ионов А. М.

Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного слоя после образования слоя толщиной 2 nm, в котором образуется стоячая волна фермиевских электронов. На поверхности слоя меньшей толщины, где стоячей электронной волны нет, реализуется рост совершенной кристаллической структуры. Образование двойниковой границы между слоями Pb толщиной 2 nm начинается с формирования разреженного атомного монослоя пар атомов.

Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: русский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: тонкие пленкиthin filmelectron growthэлектронный рост
Похожие публикации
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Wave dynamics within the Whitham-Ostrovsky equation
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Green synthesis of Bi-functional silica nanoparticles towards highly efficient photocatalysis and antibacterial application
Hazarika A. P., Дас А., Das S. K. и др., Physica B: Condensed Matter 2026 Vol. 738 Article 418803
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Signatures of Reconnection and a Split Heliospheric Tail in High-energy Energetic Neutral Atoms
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling
Карцев А. И., Nishant T., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -
Добавлено: 2 июня 2026 г.
The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity
Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Численное моделирование полевой эмиссии из полупроводникового катода в вакуум
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Electrostatically gated dissipation control in two-dimensional nanoelectromechanical resonators via strain-amplitude antagonism for record 928% Q tunability
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Enhanced Terahertz Thermoelectricity Via Engineered Van Hove Singularities and Nernst Effect in Moiré Superlattices
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Non-linear in-band interference cancellation on base of conjugate gradients method
Degtyarev A., Bakhurin S., Юдин Н. Е., DSPA 2026 P. 1–6
Добавлено: 26 мая 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qian X., Deng Y., Lev N. Shchur и др., Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 2026 Vol. 696 Article 131679
Добавлено: 24 мая 2026 г.
Оптические методы детектирования единичных биомолекул: визуализация, сенсорика, секвенирование молекул ДНК
Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145
Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film
Saitov S. R., Saidzhonov B. M., Vasiliev R. B. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 No. 18 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Study of low temperature reactive magnetron sputtering NbN films for fabrication of an ultra-high sensitive detector
Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 129–133
Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB ...
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K
Тарасов М. А., Ломов А. А., Чекушкин А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 4 С. 42–45
Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm на подложках Si(111), SiO2/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического испарения в диапазоне температур от 77 до 800K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800K использован штатный нагреватель установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия ...
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
The Critical Temperature of Superconducting Aluminum Films
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Physics of Metals and Metallography, USA 2023 Vol. 124 No. 1 P. 53–57
The R(T) dependences of thin superconducting aluminum films deposited on leucosapphire and gallium arsenide substrates by electron beam sputtering and molecular beam epitaxy have been experimentally studied. Regardless of morphology, a noticeable increase in the critical temperature of the superconducting transition with a decrease in the film thickness is found. The effect is interpreted as a ...
Добавлено: 31 января 2024 г.
Electron phase-breaking time in ultra-thin Nb films
A. I. Lomakin, E. M. Baeva, Titova Nadezhda A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 64–69
Here we study the temperature dependences of the electron phase-breaking time τϕ in ultra-thin superconducting niobium (Nb) films. In Nb films, passivated with a layer of silicon (Si), the observed temperature dependence of the phase-breaking time is τϕ ~ Т^(-2.5), is resembling the electron-phonon scattering. However, in the uncovered Nb films, we observe the saturation of τϕ at low ...
Добавлено: 12 сентября 2023 г.
Сверхпроводимость в тонких пленках нитрида рутения
Ильин А. С., Стругова А. О., Кон И. А. и др., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6.: Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 105–106.
Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Nonlinear microwave response of clean superconducting films
Radkevich A., Семенов А. Г., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 9 Article 094505
Добавлено: 29 января 2023 г.
Транспортные свойства слоистых гетероструктур на базе проводящего полимера
Арутюнов К. Ю., Беляев К. А., Артемов В. В. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 1 С. 151–156
Полидифениленфталид (ПДФ) относится к классу органических диэлектриков, которые при приложении внешнего электростатического поля и/или механического напряжения проявляют электропроводящие свойства. В настоящей работе экспериментально исследовались транспортные характеристики тонкопленочных слоистых струкур свинец−ПДФ−свинец в широком температурном диапазоне. При достаточно высоких температурах вольтамперные зависимости удовлетворительно описываются в рамках инжекционной модели токов, ограниченных объемным зарядом. При температурах ниже  7.5K в ряде образцов наблюдаются особенности, ...
Добавлено: 25 ноября 2022 г.
Критическая температура сверхпроводящих пленок алюминия
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Физика металлов и металловедение 2023 Т. 124 № 1 С. 56–60
Экспериментально исследованы R(T) зависимости тонких сверхпроводящих пленок алюминия, изготовленных на подложках из лейкосапфира и арсенида галлия методом электронно-лучевого распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии. Безотносительно к морфологии, был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта. ...
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
Induced electric conductivity in organic polymers
Арутюнов К. Ю., Гурский А. С., Artemov V. и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2022 Vol. 13 P. 1551–1557
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору