?
Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb
Журнал технической физики. 2023. Т. 93. № 7. С. 928–930.
Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного слоя после образования слоя толщиной 2 nm, в котором образуется стоячая волна фермиевских электронов. На поверхности слоя меньшей толщины, где стоячей электронной волны нет, реализуется рост совершенной кристаллической структуры. Образование двойниковой границы между слоями Pb толщиной 2 nm начинается с формирования разреженного атомного монослоя пар атомов.
С помощью молекулярно-динамического моделирования были изучены структурные свойства нематических жидких кристаллов (ЖК) на основе пентилцианобифенила (5CB) и пентилоксицианобифенила (5OCB), легированных наночастицами золота (НЧЗ) разного количества, формы и размера. В жидкие кристаллы на основе цианобифенила 5CB и 5OCB были добавлены сферические НЧЗ двух разных радиусов и стержнеобразные НЧЗ. Для описания структурных свойств цианобифениловых нематических жидких кристаллов, ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Saitov S. R., Saidzhonov B. M., Vasiliev R. B. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 No. 18 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 129–133
Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB ...
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
Тарасов М. А., Ломов А. А., Чекушкин А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 4 С. 42–45
Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm
на подложках Si(111), SiO2/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического
испарения в диапазоне температур от 77 до 800K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота
изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800K использован штатный нагреватель
установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия ...
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Physics of Metals and Metallography, USA 2023 Vol. 124 No. 1 P. 53–57
The R(T) dependences of thin superconducting aluminum films deposited on leucosapphire and gallium arsenide substrates by electron beam sputtering and molecular beam epitaxy have been experimentally studied. Regardless of morphology, a noticeable increase in the critical temperature of the superconducting transition with a decrease in the film thickness is found. The effect is interpreted as a ...
Добавлено: 31 января 2024 г.
A. I. Lomakin, E. M. Baeva, Titova Nadezhda A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 64–69
Here we study the temperature dependences of the electron phase-breaking
time τϕ in ultra-thin superconducting niobium (Nb) films. In Nb films, passivated with a
layer of silicon (Si), the observed temperature dependence of the phase-breaking time is
τϕ ~ Т^(-2.5), is resembling the electron-phonon scattering. However, in the uncovered Nb
films, we observe the saturation of τϕ at low ...
Добавлено: 12 сентября 2023 г.
Ильин А. С., Стругова А. О., Кон И. А. и др., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6.: Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 105–106.
Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.