Study of low temperature reactive magnetron sputtering NbN films for fabrication of an ultra-high sensitive detector

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2. P. 129–133.

Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М., Гольцман Г. Н., Третьяков И. В.

Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB устройств основан на свойстве сверхпроводимости, которое проявляется при понижении температуры детектора до температуры жидкого гелия. В таком состоянии детектор очень чувствителен к инфракрасному и миллиметровому диапазону волн, характерному для излучения многих элементов в нашей вселенной. Данная работа посвящена повышению чувствительности болометров на эффекте электронного разогрева благодаря уменьшению толщины пленки NbN при сохранении максимально возможной температуры сверхпроводящего перехода.

Ключевые слова: Critical temperature, атомно-силовой микроскоп, superconductivity, сверхпроводимость, тонкие пленки, thin films, сверхпроводящий переход, NbN films, HEB, reactive magnetron sputtering, реактивное магнетронное распыление, Atomic force microscope, критическая температура, superconductive transition, пленки нитрида ниобия