• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Electron phase-breaking time in ultra-thin Nb films
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
17 сентября 2026 г.
<a>НИУ ВШЭ представил в Китае исследование о безопасности нейросетей для анализа видео
Ученые Высшей школы экономики презентавали на международной конференции ChinaMM 2026 в Китае исследование о том, как искажения при передаче видео влияют на работу нейросетей. Авторы предложили новый способ проверять устойчивость таких моделей в условиях, близких к реальному использованию видеосервисов.
16 сентября 2026 г.
Пользующиеся ИИ сотрудники зарабатывают на 41% больше
Экономисты НИУ ВШЭ выяснили, что российские сотрудники, которые регулярно пользуются искусственным интеллектом в работе, зарабатывают намного больше тех, кто отказывается от новых инструментов или прибегает к ним время от времени. Среди высококвалифицированных специалистов прибавка достигает 41,8%. Статья опубликована в журнале «Вопросы экономики».
16 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали новые соединения для борьбы с раком
Ученые Лаборатории био- и хемоинформатики НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург совместно с коллегами из Университета Цзинань (Китай) и Санкт-Петербургского государственного технологического института разработали малые молекулы, преодолевающие химическую защиту раковых клеток. В отличие от классических ингибиторов, которые только блокируют активность белка, новые соединения удаляют его целиком. Работа ведется при поддержке Российского научного фонда.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Electron phase-breaking time in ultra-thin Nb films

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 64–69.
A. I. Lomakin, E. M. Baeva, Titova Nadezhda A., P. I. Zolotov, A. I. Kolbatova, G. N. Goltsman

Here we study the temperature dependences of the electron phase-breaking
time τϕ in ultra-thin superconducting niobium (Nb) films. In Nb films, passivated with a
layer of silicon (Si), the observed temperature dependence of the phase-breaking time is
τϕ ~ Т^(-2.5), is resembling the electron-phonon scattering. However, in the uncovered Nb
films, we observe the saturation of τϕ at low temperatures, which may be a signature of the
surface magnetic disorder, present in native Nb oxide on the film surface.

Научное направление: Технологии материалов
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: тонкие пленкиthin filmsmagnetoresistanceнеупругое рассеяниемагнетосопротивлениеinelastic scatteringmagnetic disorderмагнитный беспорядок
Похожие публикации
The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Rubber-Based Flexible Polymer Composite for Radiation Protection with Rare Earth Metal Oxides
Cherkashina N. I., Pavlenko V. I., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1247–1257
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Temperature-driven structural crossover of vortex matter in a Penrose quasicrystal
Tomayeva M., Vyacheslav D. Neverov, Arkady A. Shanenko и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024516
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Scalable machine learning approach to disordered s-wave superconductors
Неверов В. Д., Красавин А. В., Вагов А. В. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 1–6
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Моделирование влияния тонкой диэлектрической пленки, существующей на части поверхности катода, на переход тлеющего газового разряда в дуговой разряд
Бондаренко Г.Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Известия РАН. Серия физическая 2026 Т. 90 № 4 С. 867–874
Сформулирована модель катодного слоя тлеющего газового разряда при наличии на части рабочей поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Показано, что переход тлеющего разряда в дуговой разряд, сопровождающийся значительным увеличением плотности разрядного тока и уменьшением катодного падения напряжения, происходит наиболее быстро, если пленка занимает примерно половину поверхности катода. ...
Добавлено: 4 сентября 2026 г.
(111)-Textured p-Type PbTe Films Grown on Muscovite Mica with High Room-Temperature Hole Mobility
Danil Kobtsev, Jarashneli A., Maman N. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2026 Vol. 16 No. 17 Article 8577
Добавлено: 30 августа 2026 г.
Modeling of the Influence of Temperature on Interaction of a Cathode with a Thin Insulating Film and a Glow Gas Discharge Plasma in a Mixture of Argon and Mercury Vapor
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
A simplified approach to predicting thermal expansion anisotropy of solids from first principles: application to the orthorhombic phase of Mo2C
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
De-Dollarization, Global Economic Integration, and Resilience in BRICS+ Economies
Kilinc N., Али И., Economies 2026 Vol. 14 No. 7 Article 277
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Моделирование влияния температуры на взаимодействие катода с тонкой диэлектрической пленкой и плазмы тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при повышении температуры до ...
Добавлено: 20 июня 2026 г.
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Facile and Green Approach to Synthesize Biomass-Derived Zero-/Two-Dimensional Carbon Dots/g-C3N4 Heterojunction for Efficient Photocatalytic and Photoelectrocatalytic Applications
Дас А., Saikia J., Maji N. и др., ChemNanoMat 2026 Vol. 12 No. 5 Article e202500733
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Optimal Design of Copper-Doped ZnO Heterostructures for Photocatalytic and Photoeletrochemical Performance: A Combined Experimental and DFT Study
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика
Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2026 № 6 С. 5–11
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока. Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants
Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights
Paul R., Дас А., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 Article 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Universal negative magnetoresistance in antiferromagnetic metals from symmetry breaking of electron wave functions
Григорьев П., Pavlov N., Nekrasov I. и др., Communications Materials, A Nature Portfolio journal (United Kingdom) ISSN 26624443 2025 Vol. 6 No. 1 Article 252
Добавлено: 24 января 2026 г.
Study of low temperature reactive magnetron sputtering NbN films for fabrication of an ultra-high sensitive detector
Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 129–133
Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB ...
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору