• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Технологическое устройство для рентгенолитографии высокого разрешения
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Технологическое устройство для рентгенолитографии высокого разрешения

С. 244–245.
Ефимов И. А., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Лучников П. А.

В настоящей работе рассмотрен метод фокусировки рентгеновского излучения с использованием элементов на основе углеродных нанотрубок. В основу положена задача обеспечения возможности формирования квантовых ям в структуре твердого тела в диапазоне размеров от нескольких десятых долей до единиц нанометров.

Применение устройства для формирования квантовых ям на подложке позволяет обеспечить возможность их формирования в диапазоне размеров от нескольких десятых долей до единиц нанометров.

Язык: русский
Ключевые слова: нанотрубкирентгеновское излучениефокусировкаквантовые ямыфокусное расстояние

В книге

INTERMATIC - 2009. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7 - 11 декабря 2009 г., Москва
INTERMATIC - 2009. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 7 - 11 декабря 2009 г., Москва
Ч. 2. , М.: Энергоатомиздат, 2009.
Похожие публикации
X-ray flux–mass relation for z ≳ 0.7 galaxy clusters
Лыскова Н. С., Churazov E., Khabibullin I. и др., Astronomy and Astrophysics 2025 Vol. 702 Article A175
Добавлено: 6 марта 2026 г.
Luminescence in nanostructures with compensated quantum wells under optical and electrical pumping
Adamov R. B., Melentev G. A., Podoskin A. A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 68–76
Comprehensive studies of the luminescence of p–i–n structures with 10 compensated GaAs/AlGaAs quantum wells have been performed. The studies were carried out in the terahertz (THz) and near-infrared (NIR) spectral ranges with both optical and electrical pumping of nonequilibrium charge carriers. The THz photoluminescence spectra revealed an emission line caused by electron transitions from the first size-quantization ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Люминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами
Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 8 С. 663–673
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
X-ray variability of SDSS quasars based on the SRG/eROSITA all-sky survey
S. A. Prokhorenko, S. Yu. Sazonov, Gilfanov M. R. и др., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2024 Vol. 528 No. 4 P. 5972–5989
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Terahertz photoluminescence in doped nanostructures with spatial separation of donors and acceptors
Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 266 Article 120302
Добавлено: 12 ноября 2023 г.
Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe double quantum well heterostructures and its application for reversible change in the conductivity type
Nikolaev I., Kazakov A., Drozdov K. и др., Journal of Applied Physics 2022 Vol. 132 No. 23 Article 234301
Добавлено: 7 июня 2023 г.
Materials based on modified gypsum for facade systems
Жуков А. Д., Bessonov I. V., Боброва Е. Ю. и др., Нанотехнологии в строительстве: научный интернет-журнал 2021 Vol. 13 No. 3 P. 144–149
Добавлено: 20 марта 2023 г.
Acceptor-Assisted Intraband Photoconductivity in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
Vinnichenko M., Махов И. С., Panevin V. и др., , in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022.: Springer, 2022. Ch. 7 P. 79–90.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Optically Pumped Terahertz Radiation Sources Based on Impurity Carrier Transitions in Quantum Wells
Firsov D., Махов И. С., Panevin V. и др., , in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022.: Springer, 2022. Ch. 2 P. 21–38.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Photoconductivity and infrared-light absorption in p-GaAs/AlGaAs quantum wells
Vinnichenko M. Y., Махов И. С., Kharin N. Y. и др., Semiconductors 2022 Vol. 55 No. 9 P. 710–716
Добавлено: 14 марта 2022 г.
Saturated Layer Gain in Waveguides With InGaAs Quantum Well-Dot Heterostructures
Надточий А. М., Gordeev N., Kharchenko A. и др., Journal of Lightwave Technology 2021 Vol. 39 No. 23 P. 7479–7485
Добавлено: 28 ноября 2021 г.
The drag of photons by electric current in quantum wells
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1,5 мкм на основе бесфосфорных гетероструктур
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20–23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 2 С. 212–216
Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время ...
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Новые эффекты и управление в системе экситонов в квазидвумерных структурах
Ю.Е. Лозовик, Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 11 С. 1203–1208
Рассматриваются новые эффекты в системах квантовых диполей: анизотропная сверхтекучесть во внешних полях, эффекты сильных корреляций и кристаллизация, фаза суперсолида. Анализируются эффекты ротонной неустойчивости, типичные для сильно коррелированных бозе-систем, но проявляющиеся в слабо взаимодействующей системе наклонных диполей. Интересными физическими реализациями рассматриваемых систем являются дипольные экситоны в связанных квантовых ямах либо в одиночной квантовой яме в сильном ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Anisotropic superfluidity of two-dimensional excitons in a periodic potential
Yu. E. Lozovik, I. L. K., Pavel A. V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2017 Vol. 95 No. 24-5430 P. 245430-1–245430-19
Добавлено: 22 октября 2017 г.
X-ray study of nanosized multilayer heterosturctures
Likhachev I. A., Subbotin I. A., Prutskov G. V. и др., , in: First AfLS Conference and Workshop 2015. Book of abstracts.: [б.и.], 2015. P. 23–23.
Добавлено: 17 июня 2016 г.
Исследование многослойных структур на основе оксида европия совместным анализом рентгеновских методов
Пруцков Г. В., Рогачев А. В., Терентьев А. В., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 284–284.
В работе показаны результаты структурных исследований гетерокомпозиций Si/EuO/cap-layer, при помощи совместной обработки результатов рентгеновской дифракции и рефлектометрии. Получены профили распределения компонент поляризуемости для образцов по глубине. ...
Добавлено: 17 июня 2016 г.
Постановка метода абсорбционной спектроскопии на синхротронной станции "Ленгмюр"
Рогачев А. В., Пруцков Г. В., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 250–250.
В работе описаны особенности проведения исследования органических образцов, сформированных на поверхности жидкости, методами абсорбционной спектроскопии с применением синхротронного излучения. Представлены первые экспериментальные данные. ...
Добавлено: 22 июля 2015 г.
Исследование материалов спинтроники совместной обработкой данных рентгеновской дифракции и рефлектометрии
Пруцков Г. В., Лихачев И. А., В кн.: Сборник аннотаций национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследования наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования" (СИН НАНО 2015), г. Москва, 6 - 10 июля 2015 г.: М.: НИЦ «Курчатовский институт», 2015. С. 105–106.
В работе описан подход комплексного обсчета данных рентгеновской дифракции и рефлектометрии для структур спинтроники. ...
Добавлено: 13 июля 2015 г.
Сборник аннотаций национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследования наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования" (СИН НАНО 2015), г. Москва, 6 - 10 июля 2015 г.
М.: НИЦ «Курчатовский институт», 2015.
Сборник содержит аннотации докладов, преставленных участниками национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследований наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования". Материалы представлены в авторской редакции. ...
Добавлено: 13 июля 2015 г.
Features of radiation impact on nanostructured materials
Новиков Л. С., Voronina E. N., Chirskaya N. P., Inorganic Materials: Applied Research 2014 Vol. 4 No. 2 P. 107–115
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Ab initio study of unzipping processes in carbon and boron nitride nanotubes under atomic oxygen impact
Voronina E. N., Lev S. Novikov, RSC advances 2013 Vol. 3 No. 35 P. 15362–15367
We apply first principles calculations to compare the carbon and boron nitride nanotube unzipping under atomic oxygen impact. We show that the attack of several oxygen atoms can cause bond breaking in nanotubes, but the structure of boron nitride nanotubes is less damaged than the structure of carbon ones. With increasing diameter, the structural damage ...
Добавлено: 2 марта 2015 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору