• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
23 июля 2026 г.
РНФ поддержал 31 проект молодых ученых НИУ ВШЭ
Российский научный фонд подвел итоги трех конкурсов, направленных на поддержку молодых ученых. Победителями признаны более 850 проектов, в том числе 31 из Высшей школы экономики. На средства грантов будут проведены исследования, направленные на решение конкретных задач в рамках приоритетов научно-технологического развития, которые определены в Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации.
22 июля 2026 г.
Тяга к сладкому оказалась важнее заботы о здоровье
Исследователи НИУ ВШЭ в Перми с помощью ЭЭГ изучили, как тяга к сладкому и интерес к здоровому питанию влияют на оценку газированных напитков со вкусом колы. В ходе дегустации участники оценивали вкус напитка и называли максимальную сумму, которую готовы за него заплатить. Оказалось, что чем выше интерес человека к здоровью, тем более сложным и когнитивно затратным для него является решение о готовности платить и тем меньше в итоге он будет готов заплатить за такой напиток. Исследование опубликовано в журнале British Food Journal.
21 июля 2026 г.
«Нам бы хотелось, чтоб наши корпуса использовались больше»
Созданные в Международной лаборатории языковой конвергенции и Школе лингвистики НИУ ВШЭ корпуса абхазо-адыгских языков, на которых говорят народы Западного Кавказа, позволяют изучить их особенности, показывают возможности современного использования. Создание корпусов стало возможным благодаря серии экспедиций ученых и студентов Вышки на Кавказ, современным методам лингвистической обработки и взаимодействию с коллегами из региональных университетов. О работе лингвистов новостной службе «Вышка.Главное» рассказал ведущий научный сотрудник Международной лаборатории языковой конвергенции, доцент Школы лингвистики Юрий Ландер.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения

С. 31–35.
Петросянц К. О.

Рассматривается программно-аппаратный комплекс для исследования стойкости ЭКБ различного уровня (п/п приборы, микросхемы, БИС, печатные платы, электронные блоки) к воздействию различных видов радиации (нейтроны, протоны, гамма, ОЯЧ) и к воздействию низких и высоких температур. Ключевыми элементами комплекса являются специальные библиотеки радиационных и тепловых моделей электронных компонентов, которые разработаны с учётом жёстких требований работы на борту космических аппаратов.Отработана методика построения IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия факторов температуры и радиации по результатам моделирования их характеристик с использованием SPICE моделей, учитывающих указанные факторы.

Модели включены в пакет HyperLynx компании Mentor Graphics для анализа помех и наводок в устройствах на печатных платах.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: радиационная стойкостьпечатные платыполупроводниковые приборытемпературная стойкостьэлектронная компонентная базарадиационные моделитепловые моделимикросхемыпрограммно-аппаратные комплексы

В книге

Менеджмент качества и менеджмент информационных систем (MQ&ISM-2012). Материалы международной конференции
Менеджмент качества и менеджмент информационных систем (MQ&ISM-2012). Материалы международной конференции
М.: Фонд «Качество», 2012.
Похожие публикации
Российский форум «Микроэлектроника 2024». 10-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 23-28 сентября 2024 г
М.: Техносфера, 2024.
В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 20 апреля 2025 г.
Использование портретов n-норм для массового исследования цепей с модальным резервированием
Газизов Р. Р., Медведев А. В., Газизов Т. Р., Динамика систем, механизмов и машин 2021 Т. 9 № 3 С. 104–109
В работе предложено усовершенствовать процесс массового исследования цепей с модальным резервированием. Это показано на примере двухсторонней печатной платы с полигонами. В качестве среды моделирования использовалась компьютерная система TALGAT. Получено по 5 различных портретов (значений вдоль проводника) N-норм для каждого из трех сигналов: трапециевидного сверхкороткого импульса, реального сверхкороткого импульса и электростатического разряда. Приведены максимальные и минимальные ...
Добавлено: 24 ноября 2023 г.
Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"
Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020.
Специальный выпуск Международный форум «Микроэлектроника-2019» 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 5 октября 2019 г. ...
Добавлено: 26 июня 2020 г.
Обзор современных инструментов для разработки клиентских приложений
Кофанов Ю. Н., Роткевич А. С., В кн.: Информационные технологии и математическое моделирование систем 2019.: Центр информационных технологий в проектировании РАН, 2019. С. 127–129.
В данной работе построены электрические и тепловые модели электронного блока, с помощью которых на ЭВМ рассчитаны мощности тепловыделений в электрорадиоэлементах (ЭРЭ) схемы и их температуры с применением разработанного метода итеративного моделирования с чередованием электрических и тепловых процессов. Сформированы карты итоговых электрических и тепловых режимов работы ЭРЭ. На основе проведенного моделирования была разработана методика по применению ...
Добавлено: 22 декабря 2019 г.
Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Quasi-3D Thermal Model of Stacked IC-TSV-BGA Package
Петросянц К. О., Nikita I. Ryabov, , in: 25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019).: Milan: IEEE, 2019. Ch. 8923865 P. 1–4.
Добавлено: 29 октября 2019 г.
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.
М.: ООО "Спектр", 2019.
В выпуске представлены тезисы докладов конференции «Школа молодых учёных «Микроэлектроника-2019», освещающие актуальные темы по вопросам разработки и применения перспективной элементной базы микроэлектроники, электронных модулей, а также процессов их производства, что послужит обмену актуальной информацией между учёными и специалистами, занимающимися разными направлениями развития электронной компонентной базы. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages
Петросянц К. О., Nikita I. Ryabov, , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. Ch. 7491801 P. 1–6.
Добавлено: 5 марта 2019 г.
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020). Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.
М.: Техносфера, 2018.
В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Радиационные изменения параметров биполярных транзисторов
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов, рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы), рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. Учебное пособие по дисциплине: “Физика электронных приборов и средств связи”
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом, рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия, рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников; дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Установка экспонирования фоторезиста на основе УФ светодиодной матрицы .
Володин П. Н., Бекниязов Н. А., Танатов М. К., В кн.: Надежность и качество: Труды международного симпозиума.Т. 2.: Пенза: ПГУ, 2015. С. 104–106.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Лабораторный стенд экспонирования фоторезиста на печатных платах.
Володин П. Н., Наумова И. Ю., Баннов В. Я., В кн.: Новые информационные технологии в автоматизированных системах: Материалы семинара.Вып. 18.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 389–392.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Экспонирования фоторезиста на печатных платах в условиях учебной лаборатории.
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Актуальные вопросы образования и науки: Сборник научных трудов.: [б.и.], 2013. С. 61–63.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Установка экспонирования фоторезиста
Володин П. Н., Затылкин А. В., Юрков Н. К., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции.: М.: НИУ ВШЭ, 2014. С. 384–386.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Установка для экспонирования фоторезиста на печатных платах в условиях учебной лаборатории
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Современные наукоемкие технологии. – 2014Кн. 1. Вып. 5.: [б.и.], 2014. С. 34–35.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.
М.: Техносфера, 2017.
В сборник включены доклады конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору