?
Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах
Ч. 2: Полупроводниковые приборы СВЧ.
М. :
МТУСИ, 2012.
Учебное пособие содержит тестовые задания по современным СВЧ приборам: детекторным диодам, варикапам, p-i-n диодам, диодам с барьером Шотки, диодам Ганна, лавинно-пролетным диодам, биполярным транзисторам, полевым транзисторам, в т.ч. на гетеропереходах.
Пособие предназначено для промежуточного контроля знаний студентов 3 курса, для проведения контроля остаточных знаний на старших курсах, а также для самоконтроля при самостоятельном (внеаудиторном) изучении дисциплины «Приборы СВЧ и оптического диапазона».
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Тярин А. С., Куреев А. А., Тронин С. С., В кн.: ИТиС 2023: Сборник трудов 47-й междисциплинарной школы-конференции ИППИ РАН "Информационные технологии и системы 2023"Т. 47.: М.: ИППИ РАН, 2023. С. 324–326.
Реконфигурируемые интеллектуальные поверхности (англ.: Reconfigurable Intelligent Surfaces, RISs) — перспективные устройства, способные увеличить пропускную способность и область покрытия новых и уже существующих беспроводных сетей. Однако, на сегодняшний день большая часть таких устройств представлена в виде прототипов. При внедрении RIS в реальные системы связи необходимо обеспечить ее защиту от воздействия внешней среды. Одним из решений является ...
Добавлено: 17 января 2024 г.
Реконфигурируемые интеллектуальные поверхности (RIS) — перспективные устройства, способные увеличить пропускную способность и область покрытия новых и уже существующих беспроводных сетей. На сегодняшний день большая часть RIS представлена в виде прототипов, которые не обладают защитой от воздействий внешней среды и не приспособлены для внедрения в реальные системы связи. Однако, защитное покрытие может значительно повлиять на характеристики ...
Добавлено: 17 января 2024 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., , in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018).: IEEE, 2018. P. 1–6.
Добавлено: 22 ноября 2018 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 281–283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 18–19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Новиков С. В. и др., Molecular Crystals and Liquid Crystals 2014 Vol. 589 P. 18–28
We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy ...
Добавлено: 4 марта 2015 г.
К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 6 С. 85–87
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов. ...
Добавлено: 29 января 2014 г.
, Торговников Р. А., Вологдин Э. Н. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.