• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors

Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2014. Vol. 589. P. 18–28.
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Новиков С. В., Ullah M., Genoe J., Sariciftci N. S., Sitter H., Bassler H.

We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy correlation effects. To rationalize the presence of a correlated disorder in a non-polar C 60 material, we show that randomly oriented permanent dipoles in organic gate dielectric layers can generate a significant dipolar disorder in an adjacent nonpolar semiconductor layer.

Научное направление: Физика
Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: английский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: транспорт носителей зарядаполевые транзисторыфуллеренсодержащие веществаcharge carrier transportfield effect transistorsfullerene-based materials
Похожие публикации
On a Possible Method for Separating CO Lines from the Spectrum of the Cosmic Microwave Background
Malinovsky A. M., Пилипенко С. В., Mikhalchenko A. O. и др., Astronomy Reports 2026 Vol. 70 P. 1–6
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
STM study of single phosphorus incorporation into silicon by heating PBr3 on Si(100)
Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Single-photon diamond sources created by nature
Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Optical features of nanoplatelets modified with chiral ligands
Смирнов А. М., Kurtina D. A., Saitov S. R. и др., Optical Materials: X 2026 Vol. 30 Article 100441
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film
Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants
The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights
Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Perturbation theory for phase correlations of a light wave propagating in a turbulent medium
Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117
Добавлено: 15 мая 2026 г.
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Гущина В. А., Physics of Complex Systems, Russia 2026 Vol. 7 No. 1 P. 3–15
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Wave propagation and transformation in the frame of magnetohydrodynamics with a vortex electric field
Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018
Добавлено: 11 мая 2026 г.
MHD Simulations of Magnetized Rotating Jets
Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90
Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Impact on Aluminum Alloy B95 by Powerful Pulsed Ion-Plasma and Electron Flows in the Plasma Focus Device
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
An Approximate Method for Calculating Kinetic Coefficients of Heavy Ions in He-Containing Mixtures in a Strong Electric Field
A. A. Ponomarev, N. L. Aleksandrov, Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Influence of the Normal Magnetic Component to Magnetotail Current Sheet Forma
Domrin V. I., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Cosmic Research 2026 Vol. 64 No. 2 P. 238–252
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning
Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Quantum Dynamics of Charge Carriers in Fullerenes Encapsulated by Covalent Organic Polyhedra: Choice of Fullerene Matters
Mondal S., Chowdhury U., Habib M. и др., Journal of the american chemical society 2025 Vol. 147 No. 10 P. 8145–8155
Добавлено: 18 ноября 2025 г.
Modulation of charge transport and rectification behavior in CsSnI3 thin films through A-site cation engineering
Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106
Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...
Добавлено: 1 октября 2025 г.
Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates
Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору