• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.
8 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, что рейтинг врача более убедителен для пациентов, чем стаж
Исследователи НИУ ВШЭ изучили, как стаж и рейтинг врачей влияют на доверие пациентов к медицинской информации. Оказалось, что люди считают более убедительным мнение врачей, у которых высокий рейтинг, а на опыт работы обращают меньше внимания. Результаты опубликованы в журнале Frontiers in Human Neuroscience.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line

Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2086. No. 1. Article 012063.
A Prikhodko, I Belikov, Mikhailov D., A Shurakov, G Goltsman
Научное направление: Нанотехнологии Физика Электроника и электротехника
Язык: английский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: Planar Schottky diode
Похожие публикации
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.
Чибисов А. Н., Gnidenko A., Chibisova M. и др., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Density functional theory investigation on fast storage of sodium and potassium in Ni2TeO6 as a novel promising cathode material.
Wu Z., Yu Y., Чибисов А. Н., Materials Today Energy 2023 Vol. 37 Article 101414
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Ab Initio Study of the Influence of Spin and Orbital Magnetic Moments on the Stability of Magnetic and Charge Distribution in Co:ZnO Monolayer.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Quantum-mechanical prediction of the behavior of quantum trigger on a two-qubit cell of boron in silicene.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Functionalized Graphene for Acetone Sensing in Human Breath: DFT Investigations.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Effect of the Ordering of Sulfur Vacancies on the Electronic Properties of Molibdenum Disulfide Monolayers
Bulakh S., Чибисов А. Н., Srivastava A., Russian Microelectronics 2026 Vol. 55 P. 311–315
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Nanoscale interconnects of gold, copper, and aluminium-based mono-silicide nanotubes for next generation integrated circuits.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
Effects of Elevation Changes and Multilevel Structures on Vehicular Signal Propagation
Степанянц В. Г., Andrey V. Fizulin, Chibirov A. и др., FUTURE TRANSPORTATION 2026 Vol. 6 No. 5 Article 225
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Теоретические пределы обнаружения объектов в рассеивающих средах с использованием импульсного и непрерывного однофотонного лидара на основе сверхпроводниковых нанопроволочных детекторов
Ожегов Р. В., Махлуф М., Гольцман Г. Н. и др., Инженерная физика 2026 № 8 С. 27–39
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Analytical solution for cylindrical propagation of tsunami in the ocean of variable depth
Диденкулова Е. Г., Chugunov V., Didenkulova I., Wave Motion 2026 Vol. 147 Article 103787
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Champion soliton emergence from bipolar solitary wave interactions in the Schamel equation
Flamarion M., Диденкулова Е. Г., Пелиновский Е. Н., Physics Letters A 2026 Vol. 598 Article 132218
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Membrane-integrated planar Schottky diodes for waveguide mm-wave detectors
Шураков А. С., Беликов И. И., Anatoliy Prikhodko и др., СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, Россия 2021 No. 3 P. 34–34
Добавлено: 4 сентября 2023 г.
Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer
Шураков А. С., Mikhalev P., Михайлов Д. М. и др., Microelectronic Engineering 2018 Vol. 195 P. 26–31
Добавлено: 4 сентября 2023 г.
Planar Schottky diode with a Γ-shaped anode suspended bridge
Шураков А. С., Mikhailov D., Беликов И. И. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1695 No. 1 Article 012154
Добавлено: 18 мая 2022 г.
A Dual-Band Wi-Fi Rectifying Antenna for RF Energy Harvesting in Cyber Physical Systems
Скуридин А. А., Yelizarov A., Назаров И. В. и др., , in: SYNCHROINFO 2021. Systems of Signal Synchronization, Generating and Processing in Telecommunications.: IEEE, 2021. P. 1–4.
Добавлено: 1 октября 2021 г.
Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer
Shurakov A., Mikhalev P., Mikhailov D. и др., Microelectronic Engineering 2018 Vol. 195 No. 5 P. 26–31
Добавлено: 3 февраля 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору