• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
16 июня 2026 г.
Публичность ученого: идеальная мера
Еще недавно публичность для ученого считалась чем-то факультативным – полезным, но необязательным. Сегодня она все чаще встроена в научную работу. Не потому, что «надо быть в медиа», а потому что без внешней проявленности исследования могут просто не найти ни аудитории, ни партнеров, ни продолжения. Об этом в статье для IQ Media размышляет эксперт по научным коммуникациям, доцент факультета географии Высшей школы экономики Надежда Пупышева.
15 июня 2026 г.
Ученые ВШЭ выяснили, кто чаще проверяет информацию в интернете
Исследователи НИУ ВШЭ выяснили, как российские интернет-пользователи проверяют сомнительную информацию и что заставляет их это делать. Оказалось, что более половины, заподозрив обман, пытаются отыскать первоисточник. А определяющими факторами в деле проверки становятся возраст, место жительства, социальное положение, навыки работы с информацией и использование ИИ. Результаты опубликованы в журнале «Мониторинг общественного мнения: экономические и социальные перемены».
15 июня 2026 г.
<a>Институт робототехнических систем ВШЭ запустил научно-технический семинар
Институт робототехнических систем (ИРС) ВШЭ запустил новый ежемесячный формат — Научно-технический семинар. Он объединяет сотрудников института, приглашенных экспертов, студентов, исследователей и представителей других подразделений НИУ ВШЭ для обсуждения актуальных задач мехатроники, робототехники и киберфизических систем.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer

Microelectronic Engineering. 2018. Vol. 195. P. 26–31.
Шураков А. С., Mikhalev P., Михайлов Д. М., Mityashkin V., Третьяков И. В., Kardakova A., Беликов И. И., Kaurova N., Voronov B., Vasil’evskii I., Гольцман Г. Н.
Научное направление: Электроника и электротехника Физика Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: Planar Schottky diodeMatching sublayerTerahertz frequenciesInput bandwidth
Похожие публикации
Impact of heat treatment on microstructure and mechanical properties of additively manufactured aluminum bronze
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
Добавлено: 12 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Innovations in Information and Decision Sciences. Proceedings of the 13th International Conference on Frontiers in Intelligent Computing: Theory and Applications (FICTA 2025), Volume 4
Springer, 2026.
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Relativistic effects in the interaction of electrons with a slow extraordinary wave
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Wave dynamics within the Whitham-Ostrovsky equation
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Green synthesis of Bi-functional silica nanoparticles towards highly efficient photocatalysis and antibacterial application
Hazarika A. P., Дас А., Das S. K. и др., Physica B: Condensed Matter 2026 Vol. 738 Article 418803
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Signatures of Reconnection and a Split Heliospheric Tail in High-energy Energetic Neutral Atoms
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling
Nishant T., Карцев А. И., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -
Добавлено: 2 июня 2026 г.
The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity
Dikhtievskaya K., Argunov E., Alexey I. Kartsev и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Membrane-integrated planar Schottky diodes for waveguide mm-wave detectors
Шураков А. С., Беликов И. И., Anatoliy Prikhodko и др., СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, Россия 2021 No. 3 P. 34–34
Добавлено: 4 сентября 2023 г.
Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line
A Prikhodko, I Belikov, Mikhailov D. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2086 No. 1 Article 012063
Добавлено: 18 мая 2022 г.
Planar Schottky diode with a Γ-shaped anode suspended bridge
Шураков А. С., Mikhailov D., Беликов И. И. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1695 No. 1 Article 012154
Добавлено: 18 мая 2022 г.
Excitation of Terahertz Magnons in Antiferromagnetic Nanostructures: Theory and Experiment
Сафин А. Р., Nikitov S., Kirilyuk A. I. и др., Journal of Experimental and Theoretical Physics, Pleiades Publishing 2020 Vol. 131 No. 1 P. 71–82
Добавлено: 26 октября 2021 г.
A Dual-Band Wi-Fi Rectifying Antenna for RF Energy Harvesting in Cyber Physical Systems
Скуридин А. А., Yelizarov A., Назаров И. В. и др., , in: SYNCHROINFO 2021. Systems of Signal Synchronization, Generating and Processing in Telecommunications.: IEEE, 2021. P. 1–4.
Добавлено: 1 октября 2021 г.
Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer
Shurakov A., Mikhalev P., Mikhailov D. и др., Microelectronic Engineering 2018 Vol. 195 No. 5 P. 26–31
Добавлено: 3 февраля 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору