?
Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages
P. 275–278.
Новая квази-3D модель для анализа теплового режима BGA корпуса представлена. Трехмерная задача сведена к набору двумерных уравнений для распределений температуры в слоях конструкции. В результате существенно уменьшена сложность задачи и затраты процессорного времени. Дана результаты теплового моделирования BGA корпуса микросхемы.
В книге
Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.
Ioanna N. Trunova, Vitaly A. Kuzkin, Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2025 Vol. 111 No. 1 Article 014227
Добавлено: 30 января 2025 г.
Krivtsov A., Vitaly A. Kuzkin, Tsaplin V., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2024 Vol. 110 No. 5 Article 054123
Добавлено: 30 января 2025 г.
Dmitriev S., Vitaly A. Kuzkin, Krivtsov A., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2023 Vol. 108 No. 5 Article 054221
Добавлено: 30 января 2025 г.
Gaydukov R. K., Indian Journal of Pure and Applied Mathematics 2024 P. 1–18
Добавлено: 21 мая 2024 г.
R. K. Gaydukov, V. G. Danilov, Computational Mathematics and Mathematical Physics 2024 Vol. 64 No. 6 P. 1317–1325
Работа посвящена математическому моделированию фазового перехода лед–вода при течение жидкости внутри трубы с малым ледяным наростом на стенке при больших числах Рейнольдса. В качестве математической модели, описывающей динамику фазового перехода, используется двухпалубная модель пограничного слоя и система фазового поля. Приведены результаты численного моделирования. ...
Добавлено: 17 февраля 2024 г.
Муравьев Н. В., Мельников И. Н., Чаплыгин Д. А. и др., Journal of Molecular Liquids 2022 Vol. 348 Article 118059
Добавлено: 2 ноября 2022 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Мадера А. Г., Компьютерные исследования и моделирование 2018 Т. 10 № 4 С. 483–494
Статья посвящена эффекту тепловой обратной связи, возникающему при функционировании интегральных микросхем и электронных систем, использующих микросхемы. Тепловая обратная связь обусловливается тем, что потребляемая при функционировании микросхемы мощность нагревает ее и, в силу значительной зависимости ее электрических параметров от температуры, между ее электрическими и тепловыми процессами возникает интерактивное взаимодействие. Воздействие тепловой обратной связи приводит к изменению ...
Добавлено: 6 ноября 2019 г.
Петросянц К. О., Nikita I. Ryabov, , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. Ch. 7491801 P. 1–6.
Добавлено: 5 марта 2019 г.
Мадера А. Г., Тепловые процессы в технике 2018 Т. 10 № 3-4 С. 144–151
Рассматривается эффект тепловой обратной связи, возникающий в электронных системах (интегральных микросхемах, резисторах, электро- радиоэлементах) в процессе своего функционирования. Тепловая обратная связь возникает во всех электронных системах, у которых эксплуатационные параметры и мощности потребления зависят от температуры саморазогрева, а температуры, в свою очередь, – от потребляемых мощностей. Возникающее при этом интерактивное взаимовлияние параметров функционального и теплового ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
Мадера А. Г., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Артюхова М. А., Полесский С. Н., Линецкий Б. Л. и др., Reliability: Theory & Applications 2016 No. 4 P. 84–95
The paper considers the technique of modeling of electronic reliability based on modeling electrical components environment temperature. As experience of the simulation and exploitation of electronic shows, one of the main factors that significantly affect the reliability characteristics is the thermal effect. This is confirmed by the statistics of a number of companies. In the ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Рассматриваются вопросы моделирования электронных средств в задачах обеспечения внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, основные программные средства и их возможности при проектировании печатных плат. Впервые в отечественной литературе детально рассмотрены IBIS-модели интегральных микросхем. Описаны ключевые слова и правила составления спецификации IBIS для интегральных компонентов, даны рекомендации по практическому применению IBIS-моделей, в том числе в составе коммерческих пакетов. Значительное ...
Добавлено: 13 мая 2016 г.
Свиридов А. С., Колганов А. А., В кн.: Сборник трудов VIII международной научно-практической конференции "Информационные и коммуникационные технологии в образовании, науке и производстве".: Протвино: Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 730–737.
Исследование различных схем малошумящего усилителя МАХ2659 на стабильность S-параметров ...
Добавлено: 13 декабря 2015 г.
Кечиев Л. Н., Шатов Д. С., В кн.: Вторая научно-техническая конференция "Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости" ТехноЭМС-2015.: М.: Грифон, 2014. С. 52–54.
Рассматривается применение программного обеспечения для моделирования развязывающих конденсаторов в цепях питания микросхем. Даются рекомендации по рациональному выбору конденсаторов. ...
Добавлено: 4 апреля 2015 г.