?
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП-структуры с наноразмерными диэлектрическими пленками
Физика и химия обработки материалов. 2011. № 5. С. 5-9.
Предложена модель, описывающая изменение зарядового состояния МДП-структур в режиме сильнополевой инжекции постоянного тока электронов в диэлектрик под действием ионизирующего облучения. Показано, что ионизационные процессы, протекающие в сильных электрических полях в диэлектрических пленках МДП-структур, можно использовать для регистрации излучения. Определена плотность ионизационного тока в диэлектрической пленке МДП-структур, находящихся в режиме сильнополевой инжекции, при облучении α-частицами.
Исследованы режимы инжекционно-термической обработки структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Показано, что инжекционно-термическая обработка (ИТО) позволяет выявить и исключить структуры с грубыми дефектами изоляции и зарядовыми дефектами, при этом практически не снижается ресурс работы приборов на основе МДП-структур. Установлено, что проведение ИТО позволяет повысить инжекционную и радиационную стойкость наноразмерных диэлектрических пленок МДП-приборов за счет их модификации. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в тонкой плёнке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой ...
Добавлено: 19 ноября 2015 г.
Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2015 Vol. 6 No. 2 P. 128-132
Добавлено: 9 апреля 2015 г.
Бондаренко Г.Г., Андреев В. В., Барышев В. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 1999 № 5 С. 59-63
Добавлено: 27 января 2014 г.
Жаднов В. В., Артюхова М. А., Надежность 2015 No. 1 P. 19-24
В статье рассматриваются вопросы прогнозирования показателей надежности современной бортовой аппаратуры космических аппаратов. Показана целесообразность использования результатов испытаний аппаратуры и ее элементов на стойкость к воздействию ионизирующих излучений для прогнозирования показателей надежности. Обоснована возможность применения альфараспределения времени наработки до отказа для прогнозирования показателей безотказности и долговечности КМОП ИС. Приведены расчетные соотношения для оценки вероятности безотказной работы, ...
Добавлено: 20 января 2015 г.
Артюхова М. А., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2014 Т. 8 № 10 С. 10-12
Радиоэлектронная аппаратура космических аппаратов (РАЭ КА) при эксплуатации подвергается воздействию ионизирующего излучения космического пространства (ИИ КП), что является дополнительной причиной отказов. На настоящий момент принято раздельно оценивать надежность РЭА и ее радиационную стойкость, не смотря на то, что эти явления взаимосвязаны. Целью статьи является оценка влияния ИИ КП на показатели надежности СВЧ-устройств, а именно на ...
Добавлено: 4 декабря 2014 г.
Каперко А. Ф., Недосекин П. Г., Датчики и системы 2020 № 6 С. 45-51
Представено исследование коаксиального алмазного сенсора для регистроации протонов и электронов. Проведено моделирование процесса взаимодействия заряженных частиц в объеме сенсора в диапазоне энергий от 25 до 200 МэВ для протонов и от 300 кэВ до 5 МэВ для электронов, а также проанализирована эффективность регистрации электронов и протонов в объеме алмазного коаксиального сенсора. ...
Добавлено: 22 июня 2021 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 № 4 С. 94-99
Исследовано изменение зарядового состояния МДП-структур с двухслойным подзатворным диэлектриком диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло при их модификации в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях. Тонкая пленка стекла образовывалась в результате легирования фосфором термической пленки SiO2, сформированной на поверхности кремниевой пластины. Установлено, что отрицательный заряд, накаплива
ющийся в тонкой пленке фосфорно-силикатного стекла в процессе туннельной ...
Добавлено: 1 августа 2016 г.
Жаднов В. В., Артюхова М. А., Надежность 2015 № 1 С. 13-18
В статье рассматриваются вопросы прогнозирования показателей надежности современной бортовой аппаратуры космических аппаратов. Показана целесообразность использования результатов испытаний аппаратуры и ее элементов на стойкость к воздействию ионизирующих излучений для прогнозирования показателей надежности. Обоснована возможность применения альфараспределения времени наработки до отказа для прогнозирования показателей безотказности и долговечности КМОП ИС. Приведены расчетные соотношения для оценки вероятности безотказной работы, ...
Добавлено: 20 января 2015 г.
Andreev D., Gennady G. Bondarenko, Andreev V. и др., High Temperature Material Processes 2019 Vol. 23 No. 4 P. 303-312
Добавлено: 30 января 2020 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 2 P. 187-191
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Andreev V. V., Bondarenko G.G., Maslovsky V. M. и др., Physica status solidi C 2015 Vol. 12 No. 3 P. 299-303
In this study, a modified technique of control current stress to investigation thin gate dielectric of MIS structures is proposed. This technique allows to monitor charge trapping in gate dielectric of MIS structures under high-field and another stress situations (irradiation, plasma, hot carriers, etc.). The technique also may be used for testing thin gate dielectric ...
Добавлено: 19 апреля 2015 г.
Колюбин В. А., Кадилин В. В., Тюрин Е. М. и др., Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ 2014 Т. 3 № 4 С. 1-7
В работе проводилось исследование влияния на работу алмазных детекторов ионизирующего излу чения явления поляризации, и изучение различных способов устранения влияния эффекта поляри зации. Явление поляризации в представленных детекторах исследовалось при регистрации различ ных типов ионизирующего излучения при различных полярностях питания детекторов. Исследова лись способы устранения поляризации: отключение напряжения смещения детектора, изменение полярности напряжения смещения детектора. ...
Добавлено: 22 октября 2015 г.
Добавлено: 10 января 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299-307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Артюхова М. А., Качество. Инновации. Образование 2014 № 2 С. 46-50
В статье рассматривается вопросы расчётной оценки вероятности безотказной работы радиоэлектронных систем космических аппаратов при воздействии низкоинтенсивного излучения космического пространства. Приводится описание характеристик ионизирующих излучений и методов расчёта накопленной дозы. Показаны основные этапы формирования модели интенсивности отказов интегральных микросхем при воздействии низкоинтенсивного излучения. ...
Добавлено: 16 апреля 2014 г.
Предложена модель модификации и деградации МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной слоем фосфорно-силикатного стекла, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик. Исследованы процессы зарядовой деградации и модификации МДП-структур Si - SiO2-Аl, Si- SiO 2-ФСС-Аl и Si-SiO2- поликремний при сильнополевой туннельной инжекции электронов. Моделирование процессов зарядовой деградации с учетом распределения локальных электрических полей в ...
Добавлено: 25 ноября 2013 г.
Добавлено: 28 января 2014 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 8337209. P. 1-3.
Добавлено: 15 октября 2019 г.
Изучено влияние повышенной температуры на процессы, характеризующие изменение зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной пленкой ФСС, при сильнополевой инжекционной модификации. Установлено, что повышение температуры в процессе инжекционной модификации приводит к уменьшению плотности накапливаемого положительного заряда и, тем самым, снижает интенсивность деградационных процессов в МДП-структурах Si – SiO2 – ФСС – Al. При этом ...
Добавлено: 4 января 2013 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г.Г., Столяров А. А. и др., Физика и химия обработки материалов 2001 № 2 С. 53-58
Добавлено: 28 января 2014 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2012 Vol. 41 No. 012017 P. 1-9
В работе предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования тонких оксидных слоев МОП (металл-окисел-полупроводник) структур. Метод позволяет изучать генерацию и релаксацию положительных и отрицательных зарядов в нанотолщинном подзатворном диэлектрике МОП-структуры в различных стрессовых ситуациях. Параметры, характеризующие изменение зарядового состояния тонких оксидных слоев МОП - структур в процессе инжекции контролировались с помощью измерения временной зависимости ...
Добавлено: 17 января 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916-922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Добавлено: 25 февраля 2016 г.