Локально деформированные структуры на основе Ge как активная среда для кремниевой оптоэлектроники

С. 898–899.

Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А., Гусев Н. С., Машин А. И., Морозова Е. Е., Нежданов А. В., Новиков А. В., Скороходов Е. Е., Шенгуров Д. В., Яблонский А. Н.

Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур и исследованию их оптических свойств. Свободновисящие Ge структуры были получены с помощью оптической литографии, плазмохимического и селективного хими ческого травления, используя метод “концентрации напряжений”. Для обеспечения теплоотвода от свободновисящих структур схема их формирования была модифицирована таким образом, чтобы обеспечить механический контакт подвешенной части микроструктуры с подложкой. Было продемонстрировано значительное возрастание интенсивности сигнала фотолюминесценции в растянутых областях Ge микроструктур и возможность увеличения максимальной мощности оптической накачки (не приводящей к необратимым изменениям) для микроструктур, в которых обеспечен механический контакт растянутой части с подложкой, по сравнению со свободновисящими структурами.

Ключевые слова: Photoluminescence, Фотолюминесценция, Ge microstructures, Ge микроструктуры

В книге

Труды ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород, т.2,

Т. 2: Полупроводниковые наноструктуры:. , Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2019.