?
Synthesis and optical properties of heterogeneous film structure based on InP/InAsP/InP nanowires
Предмет исследования. В работе исследована фотолюминесценция гибкой пленочной структуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, внедренных в полимеризованный слой триоктилфосфин оксида с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в зависимости от интенсивности возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре. Метод. Нитевидные нанокристаллы были синтезированы на подложке Si (III) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке Compact 21 фирмы Riber. После нанесения на подложку коллоидного раствора триоктилфосфин оксида и квантовых точек CdSe/ZnS в толуоле образовывалась полимеризованная пленка, которая легко отделялась от подложки. В спектральных исследованиях в качестве источника возбуждения использовался непрерывно излучающий лазер YLF:Nd+3 с длиной волны 527 нм, мощность излучения варьировалась в диапазоне 15–100 мВт. Основные результаты. Продемонстрирован способ получения гибкой пленочной структуры, содержащей массив полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и коллоидные квантовые точки. Обнаруженная в работе нелинейная зависимость интенсивности фотолюминесценции от интенсивности возбуждающего света интерпретирована как проявление эффекта светового тушения. Предложен механизм увеличения интенсивности фотолюминесценции в пленочной структуре. Практическая значимость. Предложенная пленочная гетероструктура с учетом положения максимума полосы фотолюминесценции вблизи 1,3 мкм может быть перспективной в плане интеграции с волоконно-оптическими системами.