?
Трековые матрицы для получения массива конусовидных наноструктур
С. 84–89.
Работа посвящена применению трековых технологий (с использованием облученных тяжелыми ионами полимерных пленок - матриц) для создания конусовидных наноструктур. Проведено исследование полученных структур на электронном микроскопе. В ходе работы подбирались рехимы получения ростовой реплики, необходимой для получения данных структур, затем подбирался режим осаждения, после чего полученные наноструктуры исследовались на растровом электронном микроскопе. Показано, что геометрические параметры конических пор определяются условиями их травления – температурой и концентрацией.
В книге
ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2019.
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7
Добавлено: 23 августа 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Springer, 2022.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Palnichenko A. V., Mazilkin A. A., Рыбченко О. Г. и др., Physica C: Superconductivity and its Applications 2020 Vol. 571 Article 1353608
Добавлено: 26 октября 2022 г.
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
Минтаиров С. А., С.А. Блохин, Калюжный Н. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 4 С. 32–35
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямыточки. Продемонстрирована полоса пропускания 8.2GHz по уровню −3 dB на длине волны 905 nm. Показано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы
с полосой пропускания до 12.5GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ямточек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5V. ...
Добавлено: 11 августа 2022 г.
Mironchuk B., Abrosimova G., Bozhko S. и др., Journal of Non-Crystalline Solids 2022 Vol. 577 Article 121279
Добавлено: 20 января 2022 г.
Singapore: Jenny Stanford Publishing, 2019.
Добавлено: 26 октября 2021 г.
Гросси Х. С., Kohanoff J., Todorov T. N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 Article 155434
Добавлено: 22 октября 2021 г.
Рожанский И. В., Mantsevich V. N., Maslova N. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 4 Article 045305
Добавлено: 21 октября 2021 г.
Bristol: IOP Publishing, 2020.
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Solov’ev V. A., Chernov M. Y., Komkov O. S. и др., JETP Letters 2019 Vol. 109 P. 377–381
Добавлено: 31 мая 2021 г.