?
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
С. 239–243.
В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках.
Язык:
русский
Ключевые слова: диодбиполярный транзисторИмпульсное ионизирующее воздействиеSPICE модельфототокионизация полупроводника
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015.
Харитонов И. А., Куликов Н. А., Звягинцев Д. В., В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.: Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020. Гл. 2 С. 10–16.
Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Константинов Ю. А., Шихов А. И., В кн.: Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости. Труды IV Всероссийской НТК «Техно-ЭМС 2018», Москва 28-30 марта 2018 /Под ред. А.С. Кривова, Л.Н. Кечиева - М.: Грифон, 2018. − 128 с.: Грифон, 2018..
В главе описывается методика выбора TVS диода. В настоящий момент рядом производителей разработаны TVS диоды, с помощью которых защита РЭА решена полностью. ...
Добавлено: 14 июля 2018 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.: М.: Техносфера, 2017. С. 344–347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования этой системы для исследования радиационной стойкости транзисторов и определения параметров SPICE-моделей для расчёта схем.Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования ...
Добавлено: 5 декабря 2016 г.
Харитонов И. А., Александрова А. Б., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Добавлено: 5 декабря 2016 г.
Электрические характеристики облученного транзистора в ряде случаев приходиться измерять внутри радиационной камеры с использованием длинных кабелей, что приводит к существенной погрешности измерения. В этой статье сравниваются электрические характеристики биполярного транзистора после воздейсвтия радиации и измеренные по 4-х проводной и 2-х проводной схеме, а также приведены результаты прямых (без кабелей) измерений. Показано значительное увеличение погрешности измерений ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Лысенко А. П., М.: РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
Рассматриваются вопросы физики биполярных транзисторов. Хотя список учебной и научной литературы, в которой разбираются вопросы теории транзисторов, весьма велик, многолетний опыт преподавания этого раздела твердотельной электроники показывает, что универсального учебника нет. Сделана попытка изложить достаточно сложные физические процессы в максимально упрощенном варианте. Приведены расчетные формулы и диаграммы, необходимые студентам для выполнения курсовых работ по перечисленным ...
Добавлено: 25 сентября 2014 г.
Увайсов С. У., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.
Все известные полупроводниковые измерители температуры основаны на использовании в качестве преобразователей температуры в электрический сигнал либо полупроводниковых резисторов, либо полупроводниковых диодов и транзисторов. ...
Добавлено: 15 декабря 2013 г.