?
Анализ особенностей интегральных датчиков температуры
С. 35–43.
Увайсов С. У., Громов В. С., Шестимеров С. М.
Все известные полупроводниковые измерители температуры основаны на использовании в качестве преобразователей температуры в электрический сигнал либо полупроводниковых резисторов, либо полупроводниковых диодов и транзисторов.
Язык:
русский
В книге
Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010.
Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 21 С. 29–33
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Константинов Ю. А., Шихов А. И., В кн.: Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости. Труды IV Всероссийской НТК «Техно-ЭМС 2018», Москва 28-30 марта 2018 /Под ред. А.С. Кривова, Л.Н. Кечиева - М.: Грифон, 2018. − 128 с.: Грифон, 2018..
В главе описывается методика выбора TVS диода. В настоящий момент рядом производителей разработаны TVS диоды, с помощью которых защита РЭА решена полностью. ...
Добавлено: 14 июля 2018 г.
Иванов И. А., Панасик Д. С., Сафонов С. Н. и др., Современная наука: актуальные проблемы теории и практики. Серия: Естественные и технические науки 2016 № 11 С. 19–22
Приведено краткое описание методики контактных измерений температур корпусов электрорадиоэлементов. Рассмотрена математическая модель теплового сопротивления контакта «корпус электрорадиоэлемента-термопара». Определена функция влияния силы прижатия термопары на дополнительную погрешность измерения температуры. Даны практические рекомендации по выбору параметров измерений.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 14-07-00422). ...
Добавлено: 26 февраля 2017 г.
Харитонов И. А., Александрова А. Б., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Добавлено: 5 декабря 2016 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.
В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Исследована проблема измерений температур электрорадиоэлементов работающих печатных узлов. Рассмотрены датчик измрения температуры (термопара) и возможные погрешности. Предложен метод компенсации систематической погрешности для обеспечения необходимой точности измерений с помощью термодатчиков. ...
Добавлено: 22 октября 2015 г.
Внуков А. А., Тепляков М. В., Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем 2010 № 2(71)(Iч.) С. 92–92
Программа предназначена для поддержания заданных климатических условий в жилом или служебном помещении. Программа состоит из нескольких вычислительных блоков, включающих блок съёма данных регулируемого параметра и состояния исполнительного устройства, блок внесения изменений в регулируемый параметр и блок Трёхдиапазонного регулятора. Программа может быть использована при построении систем, состоящих из множества контроллеров КОНТАР, датчиков и исполнительных устройств для ...
Добавлено: 16 мая 2013 г.