Методика выбора TVS диода для защиты микроконтроллеров

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

8 июня 2026 г.

«За 12 лет на нашем счету почти 1000 операций с пробуждением»

В НИУ ВШЭ прошла XIII Летняя нейролингвистическая школа, организованная Центром языка и мозга при поддержке факультета гуманитарных наук НИУ ВШЭ. В центре внимания слушателей была совместная работа нейролингвистов, нейрохирургов и нейрофизиологов в операционной, стандартизация лингвистических парадигм и практические подходы к сохранению речевой функции пациентов.

5 июня 2026 г.

Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона

Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.

2 июня 2026 г.

От Волги до Янцзы: математики из Нижнего Новгорода и Шанхая изучают устойчивость систем

Математики НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде совместно с коллегами из шанхайского Университета Тунцзи исследуют фундаментальные причины структурной устойчивости систем и механизмы их нарушения. О развитии проекта Qualitative Theory of Systems of Ordinary and Partial Differential Equations в рамках программы НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» «Вышке.Главное» рассказала его руководитель, профессор Ольга Починка, заведующая Международной лабораторией динамических систем и приложений НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

Методика выбора TVS диода для защиты микроконтроллеров

Константинов Ю. А., Шихов А. И.

В главе описывается методика выбора TVS диода. В настоящий момент рядом производителей разработаны TVS диоды, с помощью которых защита РЭА решена полностью.

Язык: русский

Ключевые слова: диод

В книге

Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости. Труды IV Всероссийской НТК «Техно-ЭМС 2018», Москва 28-30 марта 2018 /Под ред. А.С. Кривова, Л.Н. Кечиева - М.: Грифон, 2018. − 128 с.

Грифон, 2018.

Исследования влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов

Харитонов И. А., Александрова А. Б., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288

Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...

Добавлено: 5 декабря 2016 г.

Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.

В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...

Добавлено: 16 февраля 2016 г.

Анализ особенностей интегральных датчиков температуры

Увайсов С. У., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.

Все известные полупроводниковые измерители температуры основаны на использовании в качестве преобразователей температуры в электрический сигнал либо полупроводниковых резисторов, либо полупроводниковых диодов и транзисторов. ...

Добавлено: 15 декабря 2013 г.