Методика выбора TVS диода для защиты микроконтроллеров

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

1 октября 2026 г.

Смыслы, скорость и локальный код: как изменится потребительский спрос в креативных индустриях к 2029 году

Институт развития креативных индустрий ФКИ ВШЭ подвел итоги масштабного Трендвотчинг-исследования, проведенного весной 2026 года. В нем приняли участие более 300 ведущих экспертов. Одним из ключевых выводов стало понимание: потребитель больше не покупает продукт как набор функций. Он выбирает отношение, скорость, смысл и личную вовлеченность. В качестве доминирующего тренда на трехлетнем горизонте зафиксирован переход от материальных характеристик продукта к нематериальным.

1 октября 2026 г.

Российские ученые оценили скрытые риски болезней сердца у 43 тысяч человек

Исследователи НИУ ВШЭ и «Биотехнологического кампуса» проанализировали более 43 000 геномов здоровых участников Национальной генетической инициативы «100 000+Я». У 559 человек обнаружили патогенные или вероятно патогенные варианты генов, связанные с риском сердечно-сосудистых заболеваний. Такие данные позволяют раньше начать лечение или провести дополнительное обследование. О результатах исследования ученые рассказали на конгрессе «Генетика и сердце» в НИУ ВШЭ.

30 сентября 2026 г.

Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург нашли способ ускорения нейросетей при помощи микролазеров

Ученые Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук Шаньдунь (Китай) смогли напрямую сопоставить скорость микродисковых лазеров, работающих от оптической и электрической энергии. Результаты позволят оптимизировать работу источников излучения в фотонных чипах для нейросетей и дата-центров. Исследование опубликовано в журналеJournal of Lightwave Technology.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

Методика выбора TVS диода для защиты микроконтроллеров

Константинов Ю. А., Шихов А. И.

В главе описывается методика выбора TVS диода. В настоящий момент рядом производителей разработаны TVS диоды, с помощью которых защита РЭА решена полностью.

Язык: русский

Ключевые слова: диод

В книге

Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости. Труды IV Всероссийской НТК «Техно-ЭМС 2018», Москва 28-30 марта 2018 /Под ред. А.С. Кривова, Л.Н. Кечиева - М.: Грифон, 2018. − 128 с.

Грифон, 2018.

Исследования влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов

Харитонов И. А., Александрова А. Б., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288

Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...

Добавлено: 5 декабря 2016 г.

Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.

В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...

Добавлено: 16 февраля 2016 г.

Анализ особенностей интегральных датчиков температуры

Увайсов С. У., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.

Все известные полупроводниковые измерители температуры основаны на использовании в качестве преобразователей температуры в электрический сигнал либо полупроводниковых резисторов, либо полупроводниковых диодов и транзисторов. ...

Добавлено: 15 декабря 2013 г.