?
Graphene-layer and graphene-nanoribbon FETs as THz detectors
Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 5. Article 051054.
Язык:
английский
Neuberger A., Veretenenko I. I., Shalygin A. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 P. 1–13
Добавлено: 7 ноября 2026 г.
Дубленский Д. С., КАНУННИКОВ Т. Н., Махмудов Т. Н. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2026 Т. 31 № S4.1 С. 137–148
Ключевым принципом функционирования беспилотного летательного аппарата является непрерывный сбор и обработка данных с бортовых датчиков, осуществляемая под управлением операционной системы реального времени (RTOS). Для мультикоптеров, где критически важна минимальная задержка реакции системы на изменения в полете, основным фактором становится производительность вычислительного ядра полетного контроллера. Исторически сложилось, что для этих целей доминирующим выбором стали микроконтроллеры на ...
Добавлено: 7 ноября 2026 г.
Kupavskii S. A., Malikov R. O., Dyakov S. A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 161105
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Баева Э. М., Titova N. A., Kirsanova M. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 19 Article 194513
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Мы разрабатываем теоретико-полевое описание взаимодействия Казимира при конечной температуре между двумя идеально проводящими границами, разделенными промежутком, заполненным двухкомпонентной квантовой больцмановской плазмой, погруженной в однородную диэлектрическую среду. Квантовое движение заряженных частиц представлено в виде мировых линий в мнимом времени, а электромагнитное поле рассматривается в гауссовом приближении. Полученная статистическая сумма содержит отдельные вклады продольных и поперечных откликов, ...
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Алексеев О. В., Letters in Mathematical Physics 2026 Vol. 116 No. 5 Article 132
Добавлено: 5 ноября 2026 г.
IEEE Circuits and Systems Society, 2026.
Добавлено: 4 ноября 2026 г.
Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Учебное пособие содержит описания восьми лабораторных работ по дисциплине «Функциональные узлы и компоненты систем контроля и управления»: исследование транзисторных усилительных каскадов, источников тока и токовых зеркал, каскодного и дифференциального каскадов и комплементарного повторителя, основных схем включения операционного усилителя, измерительных выпрямителей и пиковых детекторов, релаксационных генераторов и одновибраторов, линейных стабилизаторов напряжения, измерительного канала с мостовым датчиком, ...
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706
Добавлено: 1 ноября 2026 г.
IEEE, 2026.
Добавлено: 31 октября 2026 г.
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Ивашенцева И. В., Федотов П. В., Каурова Н. С. и др., Журнал технической физики 2024 Т. 94 № 8 С. 1391–1397
Представлена технология сенсибилизации структуры, состоящей из нанополоски графена на кремниевой подложке Si/GNR в ближнем IR-диапазоне электромагнитного спектра, основанная на легировании графеновой нанополоски GNR с помощью He4. Экспериментально продемонстрировано увеличение отклика более чем 25 раз на длине волны 1.35 μm в структуре Si/GNR/He4, по сравнению с Si/GNR не легированной He4. Также Si/GNR_He4 структура проявляет ярко выраженные многоуровневые ...
Добавлено: 23 декабря 2025 г.
Mehrabi-Kalajahi S., Остовари М. А., Akbarpour S. и др., ACS Applied Energy Materials 2025 Vol. 8 No. 12 P. 8524–8531
Добавлено: 16 июня 2025 г.
A. N. Lyubchak, K. V. Shein, G.N. Goltsman и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 116–120
В данной работе представлено электромагнитное моделирование терагерцового фотодетектора на основе графена, интегрированного на кремниевый волновод. Этот детектор, рассчитанный на работу на частоте 150 ГГц, может быть использован в сетях связи шестого поколения (6G) для высокоскоростной обработки терагерцовых сигналов на чипе. Графен, благодаря своим уникальным свойствам, таким как нулевой зазор, высокая подвижность заряда и низкая электронная теплоемкость, является перспективным материалом для ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Бондарева П. И., Шеин К. В., Титченко А. Н. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 46–51
Графен, обладая рекордно низкой электронной теплоемкостью и слабой электрон-фононной связью при низких температурах, представляет собой многообещающий материал для разработки терагерцовых болометров на основе горячих электронов. Основной проблемой является слабая зависимость сопротивления графена от температуры. В данной работе мы демонстрируем использование метода шумовой термометрии Джонсона-Найквиста для прямого измерения температуры электронов в графене. Мы исследуем теплопроводность, обусловленную ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Kravtsov M., Shilov A. L., Yang Y. и др., Nature Nanotechnology 2025 Vol. 20 No. 1 P. 51–56
Добавлено: 9 октября 2024 г.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.