?
Optimal asymmetry of transistor-based terahertz detectors
Applied Physics Letters. 2021. Vol. 119. No. 16. Article 163505.
Shabanov A., Moskotin M., Belosevich V., Матюшкин Я. Е., Rybin M., Fedorov G., Svintsov D.
Язык:
английский
Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75
Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате,
состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами
и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 214502
We propose a microscopic scheme that allows to describe ac Josephson effect in superconducting junctions
in terms of dissipative quantum dynamics of subgap Andreev bound states. This approach is particularly useful
for highly transparent junctions at subgap bias voltages in which case a nontrivial combination of Landau-Zener
tunneling between Andreev levels and their instability due to quasiparticle escape ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 076004
With the aid of a microscopic theory we derive an effective Hamiltonian that controls quantum dynamics
of Andreev states in superconducting nanojunctions out of equilibrium. Resolving the corresponding
Schrödinger-like equation we obtain the “wave functions” for Andreev levels and evaluate electric current
across the junction in the presence of an external voltage bias.We demonstrate that quantum interference of
Andreev ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260
Добавлено: 14 октября 2026 г.
González-Jiménez M., Barnard T., Russell B. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Mali G., Tassieri M. и др., Journal of the american chemical society 2023 Vol. 145 No. 48 P. 26061–26067
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Ивашенцева И. В., Федотов П. В., Каурова Н. С. и др., Журнал технической физики 2024 Т. 94 № 8 С. 1391–1397
Представлена технология сенсибилизации структуры, состоящей из нанополоски графена на кремниевой подложке Si/GNR в ближнем IR-диапазоне электромагнитного спектра, основанная на легировании графеновой нанополоски GNR с помощью He4. Экспериментально продемонстрировано увеличение отклика более чем 25 раз на длине волны 1.35 μm в структуре Si/GNR/He4, по сравнению с Si/GNR не легированной He4. Также Si/GNR_He4 структура проявляет ярко выраженные многоуровневые ...
Добавлено: 23 декабря 2025 г.
Mehrabi-Kalajahi S., Остовари М. А., Akbarpour S. и др., ACS Applied Energy Materials 2025 Vol. 8 No. 12 P. 8524–8531
Добавлено: 16 июня 2025 г.