?
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Advanced Theory and Simulations. 2023. Vol. 12. No. 13. Article 2200816.
Goncharov A., Чибисов А. Н.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
Степанянц В. Г., Andrey V. Fizulin, Chibirov A. и др., FUTURE TRANSPORTATION 2026 Vol. 6 No. 5 Article 225
Добавлено: 8 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Merzlinkin V., Khmelev A. V., Севрюков Д. О. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 No. 3 P. 205–209
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Седов В. С., Мартьянов А. К., Тяжелов И. А. и др., Diamond and Related Materials 2024 P. 111169
Добавлено: 16 мая 2024 г.
Mankaev B., Serova V., Syroeshkin M. и др., European Journal of Inorganic Chemistry 2023 Vol. 26 No. 11 Article e202200690
Добавлено: 14 февраля 2024 г.
Gavrilov S., Gavrilin I., Martynova I. и др., Batteries 2023 Vol. 9 No. 9 Article 445
Добавлено: 25 января 2024 г.
Vozhakov V., Bastrakova M. V., Klenov N. и др., QUANTUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023 Vol. 8 No. 3 Article 035024
Добавлено: 19 июня 2023 г.
Смирнов И. А., Черкесова Л. В., Разумов П. В. и др., Современные наукоемкие технологии 2019 Т. 1 С. 114–118
В предлагаемой статье произведено сравнение квантового алгоритма факторизации Питера Шора и алгоритма факторизации ?-метода Джона Полларда. Как известно, квантовый алгоритм факторизации Шора состоит из классической и квантовой частей. В классической части для нахождения наибольшего общего делителя чисел (НОД) предлагается использовать алгоритм Евклида. Однако существует достаточно большое количество алгоритмов нахождения наибольшего общего делителя чисел. Авторами данной ...
Добавлено: 10 мая 2023 г.
Kudryashova Y., Gavrilin I., Tatiana L. Kulova и др., Mendeleev Communications 2023 Vol. 33 No. 3 P. 318–319
Добавлено: 13 апреля 2023 г.
Добавлено: 21 января 2023 г.
Добавлено: 25 ноября 2022 г.
Добавлено: 26 октября 2022 г.
Monakhov I.S., Bondarenko G.G., Inorganic Materials: Applied Research 2019 Vol. 10 No. 5 P. 1058–1064
Добавлено: 21 сентября 2019 г.
Монахов И. С., Бондаренко Г. Г., Перспективные материалы 2019 № 2 С. 14–22
Исследована кинетика роста наноразмерной пленки германия, осажденной магнетронным
распылением на поверхности Si(001), с помощью разработанной экспериментальной
рентгенорефлектометрической методики, отличающейся совместной регистрацией
зеркально-отраженного и диффузно-рассеянного излучения. С помощью данной методики
можно осуществлять in situ как анализ морфологии растущей пленки, так и контроль
ее толщины с точностью до 1 нм. Получены зависимости интенсивности зеркального
отражения, диффузного рассеяния, скорости роста, среднеквадратичной шероховатости
пленки и ее ...
Добавлено: 31 января 2019 г.