Разработка концепции СВЧ усилителя мощности на GaN HEMT транзисторе для российских 5G систем

Насыров Д. Д.

В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может быть применен в российских системах 5G. Достижение цели должно быть реализовано путем правильного выбора элемента на основе знания исходных условий, моделирования в САПР AWR Design Environment и создания реальног образца, работающего в полосе 4400-4900 МГц с КПД не менее 60%, коэффициентом усиления 30 дБ и P1dB равным 40 дБм.

Ключевые слова: транзисторы СВЧ, GaN

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование технологий и устройств пучково-плазменных усилительных приборов для создания высокоскоростных инфокоммуникационных сетей и киберфизических систем в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах (2025)

В книге

XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года

М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.