?
Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.
СПб. :
СПбГЭТУ, 2013.
Представлены доклады по электронным приборам СВЧ и их элементам. Рассмотрены вопросы исследования и проектирования вакуумных и твердотельных приборов СВЧ. Особое внимание уделено приборам миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, вопросам исследования и применения в приборах метасред.
Главы книги
Солнцев В. А., Шабанов Д. С., В кн.: Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.: СПб.: СПбГЭТУ, 2013..
Рассмотрено влияние параметра пространственного заряда на решения полученного ранее универсального характеристического уравнения электронных волн, и соответственно на усиление в ЛБВ с периодическими ЗС. Главное внимание обращено на особенности усиления электронных волн по сравнению с результатами теории Дж. Пирса, справедливой только для ЛБВ с «гладкими» ЗС. ...
Добавлено: 15 декабря 2013 г.
Солнцев В. А., Шульга А. И., В кн.: Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.: СПб.: СПбГЭТУ, 2013..
Работа направлена на линеаризацию передаточных характеристик СВЧ-усилителей мощности, компенсацию ИМИ, что позволяет существенно повысить верность передачи информации, улучшить энергетические показатели, сузить рабочие полосы и увеличить надежность систем связи различного назначения. ...
Добавлено: 15 декабря 2013 г.
Научное направление:
Электроника и электротехника
Язык:
русский
работе предложена и реализована усовершенствованная схема многоуровневого автоматизированного электротеплового моделирования мощных электронных компонентов с использованием программного обеспечения Comsol на уровне полупроводниковых приборов, Spice-моделирования на уровне принципиальных схем и системы «Асоника-ТМ» на уровне печатных плат. Описаны разработанные дополнительные программные средства для реализации предложенного маршрута, обеспечивающие автоматизацию процессов расчета мощностей компонентов мощных схем, передачи этих значений в ...
Добавлено: 7 июля 2026 г.
Singapore: Springer Singapore., 2025.
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Nauka, 2025.
Журнал «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» – рецензируемое академическое издание, посвященное современным исследованиям в области микро- и наноэлектроники.
Публикации в журнале «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» охватывают широкий спектр вопросов по литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), технологиям травления и осаждения, легирования, моделированию технологических процессов и современных нанотранзисторов, плазменным технологиям, сухому травлению и многим смежным тематикам. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших ...
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Ивченко А. В., Дворкович А. В., Телекоммуникации 2020 Т. 12 С. 2–11
Технология Dynamic Adaptive Streaming over HTTP (DASH) обеспечивает работу большинства мультимедийных сервисов, ее особенности (повторные буферизации, переключения качества и др.) приводят к необходимости создания специализированных методик оценки пользовательского, субъективного качества восприятия Quality of Experience (QoE) на основе объективных параметров. В данной статье исследуется влияние различных метрик на QoE и приводятся модели оценки с коэффициентом корреляции ...
Добавлено: 27 июня 2026 г.
В данной работе мы сосредоточимся на обобщении эмпирического закона Херста и предложим набор редуцированных параметров для количественного описания длительных временных рядов. Эти ряды обычно рассматриваются как специфический отклик сложной системы (экономической, геофизической, электромагнитной и других), где последовательная фиксация внешних факторов становится невозможной. Мы рассматриваем применение обобщенных законов Херста для получения нового набора редуцированных параметров в ...
Добавлено: 27 июня 2026 г.
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Рассмотрены проблемы метрологического обеспечения средств измерений показателя преломления твёрдых оптических материалов (кремния, германия и т. п.), применяемых в инфракрасном диапазоне спектра (инфракрасных материалов). Показатель преломления оптических материалов в инфракрасном диапазоне длин волн необходимо знать с высокой точностью при разработке оптики для тепловизоров, приборов ночного видения и т. п. В настоящее время актуальны задачи разработки отечественных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Методика оценки функциональной безопасности маршрутизаторов на основе вероятностно-физической модели
Полесский С. Н., Тумковский С. Р., Цветков В. Э. и др., Информационно-управляющие системы 2026 № 2 С. 49–60
Функциональная безопасность сетевых маршрутизаторов, используемых в критической информационной инфраструктуре, требует количественной оценки на основе надежностных данных. Существующие методики оценки показателей безопасности не отражают влияние физических механизмов деградации в реальных условиях эксплуатации, что снижает достоверность результатов и затрудняет принятие обоснованных технических решений. Цель: повысить точность количественной оценки функциональной безопасности маршрутизаторов путем разработки методики, учитывающей деградационные процессы и ...
Добавлено: 12 мая 2026 г.
Honolulu: IEEE, 2025.
Добавлено: 3 мая 2026 г.
Добавлено: 3 мая 2026 г.
М.: РТУ МИРЭА, 2024.
В сборнике опубликованы работы, представленные на Международной научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии» («ПМТ–2024»), а также работы ведущих ученых и специалистов, занимающихся созданием новых инновационных оптических материалов, исследованиями в области оптоэлектронных и оптоволоконных систем.
Сборник трудов может быть полезен для научных работников и инженеров, работающих по смежным научным направлениям, а также для аспирантов и студентов технических ...
Добавлено: 29 апреля 2026 г.
М.: РТУ МИРЭА, 2025.
Перспективные материалы и технологии (ПМТ-2025) : Сборник докладов Национальной научно-технической конференции с международным участием, Москва, 07–12 апреля 2025 года. – Москва: МИРЭА - Российский технологический университет, 2025. – 1820 с. ...
Добавлено: 29 апреля 2026 г.
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Ершов И. А., Системная инженерия и инфокоммуникации 2025 № 4 С. 11–14
Теплопотребление жилых зданий представляет собой стохастический ряд, создание нейросетевой модели для которого необходимо для проектирования регуляторов тепловой энергии. В статье модель разработана с применением "длинной цепи элементов краткосрочной памяти" (LSTM, Long Short-Term Memory). Высокая точность воспроизведения рядов достигнута обучением модели на наборе данных города Томска 2013-2023 г.г. При моделировании учтены характеристики зданий и температура наружного воздуха. ...
Добавлено: 22 апреля 2026 г.
Иванов И. А., Эбрахим А., Информационные процессы 2025 Т. 25 № 4 С. 787–798
В статье предложен метод планирования расположения точек доступа и шлюзов внутри зданий для построения сетей Интернета вещей. Основа метода — использование информации из информационой модели здания, что даёт возможность легко учитывать как геометрию, так и физико-технические характеристики строительных элементов при расчёте распространения радиосигнала. В данной работе для решения задач оптимизации применяется генетический алгоритм U-NSGA-III. Расчёты ...
Добавлено: 19 апреля 2026 г.
Doronin S., Yury A. Budkov, Current Opinion in Electrochemistry 2026 Vol. 57 Article 101853
Добавлено: 19 апреля 2026 г.
IEEE, 2025.
Добавлено: 17 апреля 2026 г.
Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.
В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...
Добавлено: 15 декабря 2025 г.
Чашкин Л. Б., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025. С. 186–188.
В работе рассматривается вопрос создания цифровых двойников электронных модулей. Разработана интегрированная платформа для построения агрегированных цифровых двойников электронных модулей с учётом электрических и тепловых характеристик. Проведён эксперимент на примере создания цифрового двойника электронного модуля транзисторного усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Чашкин Л. Б., В кн.: 32 Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых с международным участием "Микроэлектроника и информатика – 2025" (Зеленоград, 24–25 апреля 2025 г.). Тезисы докладов.: М.: МИЭТ, 2025. С. 140–140.
Цифровой двойник электронного модуля представляет собой систему,
состоящую из цифровой модели устройства и двусторонних информационных связей с модулем или его составными частями. Это ключевой инструмент в современных инженерных разработках, позволяющий оптимизировать процессы проектирования, производства и эксплуатации электронных
устройств. Основная проблема при построении цифровых двойников —
повышение точности модели за счёт агрегации множества входных параметров, включая электрические и тепловые ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Jinshun B., Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017.
Добавлено: 16 октября 2017 г.