InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками

Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 21. С. 29–33.

Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г., Бобров М. А., Кулагина М. М., Трошков С. И., Малеев С. Н., Беляков В. А., Петрякова Е. В., Кудряшова Е. П., Фефелова Е. Л., Макарцев И. В., Блохин С. А., Ахмедов Ф. А., Егоров А. В., Фефелов А. Г., Устинов В. М.

Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8-10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона. Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.

Ключевые слова: транзистор, миллиметровый диапазон, Transistors, hemt, MILLIMETER BAND, пробивное напряжение

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Оптоэлектронные приборы для оптических межсоединений и оптических систем на кристалле на основе полупроводниковых наноматериалов (2020)