В монографии впервые представлены статистические подходы, основанные на теории самосогласованного поля, к теоретическому описанию термодинамических свойств ион-молекулярных систем (растворов электролитов, ионных жидкостей, диэлектрических полимеров и металлоорганических каркасов) в объеме и на границах раздела фаз с учетом особенностей их молекулярной структуры. В книге также дан подробный анализ современного состояния теории и моделирования ион-молекулярных систем. Книга сможет послужить в качестве методического пособия для физико-химиков, физиков и нано-технологов, работающих в области теории и моделирования молекулярных систем, и позволит им использовать изложенные подходы при решении других задач химической термодинамики и физики конденсированного состояния. Таким образом, книга адресована специалистам, работающим в области физической химии и физики конденсированного состояния, а также студентам старших курсов и аспирантам профильных специальностей.

Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей заряда в активной области, позволяют кардинально улучшить характеристики полупроводниковых лазеров, а также создать принципиально новые приборные структуры, например, микролазеры на кремнии.

Учебное пособие «Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек» адресовано студентам магистратуры и аспирантам, чье направление подготовки связано с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами и наноструктурами, в том числе магистрантам направлений «Физика», «Прикладные математика и физика», «Электроника и наноэлектроника»

Труды содержат представленные на конференцию доклады  из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). В опубликованных докладах содержатся новые результаты исследований процессов образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологических методов модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффектов радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации компонентов в сплавах, радиационного блистеринга, порообразования и вакансионного распухания  в облученных материалах, радиационного упрочнения и разупрочнения, а также структурно-фазовых превращений в материалах под действием нейтронного, гамма-, ионного, электронного излучений, влияния космической радиации на структуру и физические свойства материалов космической техники, трекообразования в материалах, облученных тяжелыми ионами высоких энергий и использования трековых мембран для создания металлических нанопроволок различных типов.

Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время последние характеризуются заметно меньшей долей излучаемой мощности, приходящейся на лазерные моды. Также для них характерен перескок к генерации через возбужденный оптический переход. Этих недостатков лишены микродисковые лазеры на основе InGaAsN.

Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n+-GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и спектральные характеристики. Микродиски способны работать в непрерывном режиме без принудительного охлаждения с пороговой плотностью тока около 0.7 kA/cm2. Длина волны генерации стабильна (< 0.1 nm/mA) по отношению к току инжекции. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, микродисковый лазер, наноструктуры, гибридная интеграция.

Исследовано влияние легирования ванадием на механические свойства нанокомпозитных пленок, нанесенных на кремниевые подложки. Установлено, что испытуемый материал скорее хрупкий, чем пластичный, а твердость и модуль упругости нелегированной пленки несколько выше, чем пленок с ванадием. При повышении коэффициента Пуассона с 0.2 до 0.3 твердость нелегированного образца возрастает на 14%, а модуль упругости снижается на 3.5%. Легирование пленки ванадием приводит к монотонному уменьшению модуля упругости. Концентрационная зависимость микротвердости демонстрирует более сложное поведение: при 8.8 ат. % V наблюдается минимум микротвердости. Установлено, что параметр относительной упругой энергии деформации при индентировании исследованных образцов практически не зависит от коэффициента Пуассона пленки.