Труды содержат представленные на конференцию доклады  из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). В опубликованных докладах содержатся новые результаты исследований процессов образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологических методов модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффектов радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации компонентов в сплавах, радиационного блистеринга, порообразования и вакансионного распухания  в облученных материалах, радиационного упрочнения и разупрочнения, а также структурно-фазовых превращений в материалах под действием нейтронного, гамма-, ионного, электронного излучений, влияния космической радиации на структуру и физические свойства материалов космической техники, трекообразования в материалах, облученных тяжелыми ионами высоких энергий и использования трековых мембран для создания металлических нанопроволок различных типов.

-

Опаловые матрицы представляют собой правильную 3D-упаковку шаровых частиц из аморфного SiO2, образующих упорядоченную систему пустот. Были синтезированы опаловые матрицы с диаметром шаровых частиц d ≈ 260 нм (Δd ≈ 2%). Нанокомпозиты формировали заполнением пустот (занимающих ~26% объема) опаловых матриц растворами солей, низкотемпературной термообработкой при 625–825 К и отжигом при 975–1475 К. Установлено формирование в пустотах опаловых матриц в зависимости от условий синтеза, кристаллических фаз синтезируемых веществ, SiO2 и продуктов взаимодействия синтезируемых веществ с SiO2. Измерены частотные зависимости проводимости, действительной и мнимой компонент диэлектрической и магнитной проницаемости нанокомпозитов, содержащих в пустотах кристаллиты размером 16–65 нм магнитных материалов – двойных фосфатов (LiNiPO4, LiCoPO4) и ванадатов (GdVO4 и DyVO4). Диэлектрические потери нанокомпозитов остаются низкими (на уровне ~0,06) в диапазоне частот 107–1010 Гц для нанокомпозитов с DyVO4 и LiCoPO4. Диэлектрические потери возрастают как в сторону низких частот (< 106 Гц), так и в сторону TГц частот. Исследования показали, что на измеряемые параметры влияет фазовый состав, а также структурное и магнитное состояние синтезируемых веществ.