В монографии впервые представлены статистические подходы, основанные на теории самосогласованного поля, к теоретическому описанию термодинамических свойств ион-молекулярных систем (растворов электролитов, ионных жидкостей, диэлектрических полимеров и металлоорганических каркасов) в объеме и на границах раздела фаз с учетом особенностей их молекулярной структуры. В книге также дан подробный анализ современного состояния теории и моделирования ион-молекулярных систем. Книга сможет послужить в качестве методического пособия для физико-химиков, физиков и нано-технологов, работающих в области теории и моделирования молекулярных систем, и позволит им использовать изложенные подходы при решении других задач химической термодинамики и физики конденсированного состояния. Таким образом, книга адресована специалистам, работающим в области физической химии и физики конденсированного состояния, а также студентам старших курсов и аспирантам профильных специальностей.

Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей заряда в активной области, позволяют кардинально улучшить характеристики полупроводниковых лазеров, а также создать принципиально новые приборные структуры, например, микролазеры на кремнии.

Учебное пособие «Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек» адресовано студентам магистратуры и аспирантам, чье направление подготовки связано с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами и наноструктурами, в том числе магистрантам направлений «Физика», «Прикладные математика и физика», «Электроника и наноэлектроника»

Труды содержат представленные на конференцию доклады  из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). В опубликованных докладах содержатся новые результаты исследований процессов образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологических методов модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффектов радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации компонентов в сплавах, радиационного блистеринга, порообразования и вакансионного распухания  в облученных материалах, радиационного упрочнения и разупрочнения, а также структурно-фазовых превращений в материалах под действием нейтронного, гамма-, ионного, электронного излучений, влияния космической радиации на структуру и физические свойства материалов космической техники, трекообразования в материалах, облученных тяжелыми ионами высоких энергий и использования трековых мембран для создания металлических нанопроволок различных типов.

Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней

В середине прошлого века было продемонстрировано, что с уменьшением размеров

сверхпроводящих структур, например, толщины тонкой плёнки, её критическая температура Тс

сдвигается на некоторую величину. В алюминии, олове и индии она увеличивается, а в ртути, ниобии

и свинце она уменьшается. Тем не менее, общепринятой теории, объясняющей данный эффект до

настоящего времени нет. В 70-х годах, во время самого большого объёма исследований по данной

тематике, В.Л. Гинзбург сделал предположение, что температура перехода достаточно чистой,

моноатомной плёнки сверхпроводника будет точно такой же, как и в объёмном теле. Однако, данное

предположение так и не было проверено, и вопрос о природе этого эффекта всё ещё остаётся

открытым. Для исследования был выбран алюминий, в связи с тем, что зависимость Tс пленки от ее

толщины весьма предсказуема, и увеличивается с уменьшением размеров. Несмотря на некоторое

количество работ по изучению этой зависимости в алюминии, не всегда удаётся точно установить

соответствие с теорией. Это связано с тем, что характеристики варьируются от образца к образцу,

изготовленных даже в одной партии. В нашем случае были изготовлены поликристаллические

плёнки, размеры кристаллитов в которых сопоставимы с толщиной плёнки и эпитаксиальные

образцы с атомарно гладкой поверхностью. Плёнки были изготовлены методами электронно-

лучевого напыления и молекулярно-лучевой эпитаксии на различные подложки. В рамках модели

БКШ критическая температура сверхпроводящего перехода экспоненциально зависит от плотности

электронных состояний на уровне Ферми N(EF) и константы электрон-фононного взаимодействия V:

TC ~ exp(-1/N(EF))*V. В работе показано, что за счет КРЭ в тонких сверхпроводящих пленках оба

параметра N(EF) и V немонотонным образом меняются с толщиной образца. Такое поведение

является следствием теории резонанса формы. Предположительно, эффект, оказываемый

разупорядоченностью кристаллитов, а также поверхностью или подложкой, не имеет доминирующей

роли конкретно в нашем случае, так как плёнки алюминия имеют высокое качество, а их толщины

выходят далеко за пределы сверхтонких объектов, в которых поверхностные явления начинают

играть решающую роль. В результате проделанного исследования была получены

экспериментальные и теоретическая зависимость TC от толщины плёнок, изготовленных разными

способами на разных подложках.

В настоящей работе предложен и исследован новый метод возбуждения поверхностных плазмонных волн на основе фотолюминесценции поверхности наноструктурированного металла. Метод был продемонстрирован на плазмонном кристалле, образованном массивом наноотверстий в пленке Ag толщиной 200 нм (поддерживающей резонансы SPP), покрытой слоем Au толщиной 10 нм (для эффективного возбуждения фотоиндуцированной люминесценции). Было показано, что с помощью этого метода можно: (i) эффективно возбуждать плазмонные волны в сверхбольшом спектральном диапазоне, (ii) проводить измерения оптических свойств плазмонного кристалла, (iii) проводить измерения оптических характеристик плазмонных волн.

Плазмонная интерферометрия - это быстро развивающаяся область исследований с огромным потенциалом для приложений в терагерцовом диапазоне частот. В этой работе мы исследуем плазмонный интерферометр на основе графенового полевого транзистора, подключенного к специально разработанным антеннам. В качестве основного результата мы наблюдаем чувствительное к спиральности и фазе преобразование циркулярно поляризованного излучения в фотоЭДС постоянного тока, вызванное механизмом плазмонной интерференции: две плазменные волны, возбуждаемые на истоке и стоках транзистора, интерферируют внутри канала. Чувствительный к спиральности фазовый сдвиг между этими волнами достигается за счет использования асимметричной конфигурации антенны. Сигнал постоянного тока меняет знак при инверсии спиральности. Предлагаемый плазмонный интерферометр способен измерять разность фаз между двумя произвольными сдвинутыми по фазе оптическими сигналами. Обнаруженный эффект открывает широкие возможности для фазочувствительного исследования возбуждений плазменных волн в двумерных материалах.

В работе обнаружено необычное явление, которое проявляется как сильное (до порядка величины) обратимое увеличение интенсивности фотолюминесценции в микроалмазе с Ge-V центрами, синтезированном с помощью метода высокого давления и высокой температуры. Каждое усиление и ослабление до начального уровня интенсивности излучения происходит как переходный процесс, который развиваются на масштабах секунд. Такие вспышки имеют тенденцию повторяться бесконечно в нормальных условиях при возбуждении непрерывным лазером выше определенного порога мощности. Для объяснения явления предложена теория внутренних оптических неустойчивостей, которые развиваются в плотном ансамбле квантовых излучателей.