?
Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region
Ch. 012082.
Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov
In book
Zhukov A. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. et al., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 Article 241102
High-quality planar cavities with low-absorption mirrors based on Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As layers demonstrate continuous wave lasing at a wavelength of 956 nm. At 300 K, the threshold power density and the quality-factor at the threshold are 4.2 kW/cm2 and 6800. Increasing the pump level above two thresholds results in an enlargement in the quality-factor to at least 19 ...
Added: July 8, 2026
Масютин Д. А., Moiseev E., Komarov S. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Added: May 18, 2026
Babichev A., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Micropillar cavity lasers demonstrate operation up to 255 K. At this temperature, the lasing threshold and Q-factor, extracted at lasing threshold for a 4 μm diameter pillar are about 2 mW and 16800. For pillar lasers, the concept of which is based on an optical aperture, continuous-wave lasing is realized at room temperature (300 K). ...
Added: March 23, 2026
Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Fominykh N. et al., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 21 P. 6819–6822
Low-temperature, plasma-free method of sol–gel SiO2 passivation coating film was applied to InGaAsN quantum well microlasers emitting in the 1.2 µm spectral range. A marked enhancement in their optical performance under optical pumping and current injection was found. For optically pumped microlasers, room-temperature lasing was achieved along with a substantial increase in photoluminescence intensity. In the case ...
Added: November 12, 2025
Zhukov A., Moiseev E., Makhov I. et al., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
The dynamic characteristics of an InGaAs/GaAs quantum dot microring laser were investigated using small-signal high-frequency current modulation at 55 °C. The maximum modulation bandwidth was 3.7 GHz, and the energy consumption during optical transmission was estimated to be 4.2–6.4 pJ/bit. The temperature dependencies of the parameters affecting the speed of operation (K-factor, threshold current, current ...
Added: October 29, 2025
Образцова А. А., Пивоварова А. А., Komarov S. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42
Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...
Added: May 26, 2025
Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. et al., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27
Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...
Added: February 25, 2025
Makhov I., Komarov S., Fominykh N. et al., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390
Fabry–Perot (FP) lasers with a cavity length shorten down to 50 μm were investigated. One or two laser mirrors were
formed by focused ion beam etching. InGaAs quantum dots of high density were used as the laser active region. The
lasers operate in a pulsed regime up to at least 105°S. A comparison with lasers formed by ...
Added: January 9, 2025
I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216
The propagation of whispering gallery modes of a quantum-dot injection disk laser into a GaAs substrate has been investigated experimentally and using simulation. For a 50 μm diameter microlaser with 1.5-μm-thick Al0.4Ga0.6As claddings, the intensity of the mode leaking into the substrate can be up to 10–3 of the intensity of the laser mode in ...
Added: December 23, 2024
Moiseev E., Ivanov K., Khabibullin R. et al., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299
We demonstrate that microlasers with an anisotropic cavity (limaçon- or quadrupole-shaped) containing quantum well-dots in the active region are able to operate under continuous wave current injection at 90 °C. Deviation of the cavity shape from circular leads to the directionality of the emission in the lateral direction, while the quality factor of the structures and ...
Added: December 23, 2024
Харченко А. А., Nadtochiy A., Шерняков Ю. М. et al., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317
The optical amplification of radiation from an external source was studied for the first time in waveguide heterostructures with an active region based on quantum well-dots. The dependence of outgoing radiation power on the pumping current was obtained in the spectral range of 990−1075 nm. Considering
the spectral dependence of the transparency current, the optical gain ...
Added: October 24, 2024
Fominykh N., Kryzhanovskaya N., Komarov S. et al., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 2 С. 107–113
Microdisk lasers with diameters of 30 and 40 μm with an active region based on InGaAs/GaAs quantum dots laterally coupled to an optical waveguide were investigated. The microlasers and waveguides were fabricated in a single process on a single GaAs substrate. The spectral characteristics at injection currents flowing through the microlaser and/or waveguide exceeding the ...
Added: May 20, 2024
Fominykh N., Kryzhanovskaya N., Ivanov K. et al., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 11 С. 1483–1485
Исследованы характеристики лазерной генерации микродисковых лазеров, сопряженных с оптическим волноводом и работающих в непрерывном режиме при повышенных температурах. Продемонстрированы лазерная генерация и волноводный эффект при температурах вплоть до 92.5 С. Измеренная характеристическая температура микролазеров составила 65 K в диапазоне 25-92.5 С. ...
Added: February 5, 2024