?
СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц
С. 577–582.
Будяков А. С., Савченко Е. М., Пронин А. А., Kozynko P.
In book
М.: ИППМ РАН, 2010.
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Added: October 31, 2021
Petrosyants K. O., Popov D., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Added: February 14, 2021
Madera A. G., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Added: October 29, 2018
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov et al., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1–16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Added: January 23, 2014
Solntsev V. A., Shul’ga A., В кн.: Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.: СПб.: СПбГЭТУ, 2013..
Работа направлена на линеаризацию передаточных характеристик СВЧ-усилителей мощности, компенсацию ИМИ, что позволяет существенно повысить верность передачи информации, улучшить энергетические показатели, сузить рабочие полосы и увеличить надежность систем связи различного назначения. ...
Added: December 15, 2013
Petrosyants K. O., Кожухов М. В., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320–326.
The effects of neutron and γ-radiation on characteristics of Si BJT and SiGe HBT are investigated. SPICE-macro models taking into account the effects of neutron and γ-radiation are developed. The modeling results are in good agreement with experimental data. ...
Added: April 29, 2013
Solntsev V. A., Shul’ga A., В кн.: Микроэлектроника СВЧ: Сборник трудов всероссийской конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 4-7 июня 2012 г.Т. 2.: СПб.: ООО "Технолит", 2012. С. 128–132.
Дано обобщение квазистационаного метода анализа многочастотных режимов усилителей СВЧ. Проведен сравнительный расчет подавления паразитных комбинационных составляющих на выходе твердотельных и вакуумных усилителей СВЧ при воздействии на их характеристики сигнала огибающей усиливаемых колебаний. Показана возможность подавления комбинационных третьего порядка на 6-19 дБ в зависимости от режима работы усилителя. ...
Added: February 26, 2013
Shul’ga A., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2012 № 10 С. 130–135
The suppression of the nonlinear distortions in amplifier using the effect of the envelope signal of the amplified HF oscillations on the amplifier parameters is analyzed. A slow (on the time scale of the HF oscillations) variation in the parameters gives rise to additional frequency components of oscillations that compensate for the nonlinear distortions of ...
Added: January 17, 2013
Solntsev V. A., Shul’ga A., Радиотехника и электроника 2012 Т. 57 № 2 С. 219–229
The suppression of the nonlinear distortions in amplifier using the effect of the envelope signal of the amplified HF oscillations on the amplifier parameters is analyzed. A slow (on the time scale of the HF oscillations) variation in the parameters gives rise to additional frequency components of oscillations that compensate for the nonlinear distortions of ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
The effects of neutron irradiation on both Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction transistor (HBT) are investigated using Synopsys TCAD tool. The carrier lifetime degradation under irradiation models are included in the program. For SiGe HBT at fluences as high as 10**15 cm-2 the degradation of peak current gain is less than 40%, ...
Added: April 12, 2012
Kharitonov I. A., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271–274.
The corrections of the methodology of power BJT and MOSFET transistor models parameter extraction taking into account the self heating effects are presented. For BJT these corrections are included into VBIC model parameter extraction process. For MOSFET current generator connected to standard SPICE MOS model is proposed to take into account drain current growth with ...
Added: April 12, 2012