• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
May 25, 2026
HSE Scientists Train Neural Network to 'Hear' Faults in Electric Motors
Researchers at the AI and Digital Science Institute of the HSE Faculty of Computer Science have developed a new method—the Signature-Guided Data Augmentation (SGDA) framework—that achieves 99% accuracy in motor fault detection and 86% accuracy in fault classification. The application of this approach can reduce industrial equipment repair costs, minimise downtime, and improve production safety. The study results have been published in Engineering Applications of Artificial Intelligence.
May 25, 2026
'The Humanities Serve as a Conscience'
Maria Mizernaia studies Soviet literature and the history of book publishing. In this interview for the HSE Young Scientists project, she discusses plans to publish a novel about besieged Leningrad, AI-provoked reflections on what it means to be human, and how novels can help satisfy our dopamine hunger.
May 25, 2026
Is It Possible to Predict a Citys Life Based on the Shape of Its Neighbourhoods?
Is it possible to predict, based on the configuration of streets and buildings, where a café will open or where traffic congestion will occur? Participants in the Spatial Analysis and Modelling of Urban Processes research and study group use open data and machine learning to identify universal patterns. Alexander Sheludkov and Eduard Somov discuss the purpose of comparing cities, the need for new forms of urban statistics, and how open data is transforming approaches to urban studies.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц

С. 577–582.
Будяков А. С., Савченко Е. М., Пронин А. А., Kozynko P.
Language: Russian
Full text
Keywords: саморазогревSiGe транзисторыусилитель СВЧкремниевые транзисторытермическая устойчивость

In book

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов
М.: ИППМ РАН, 2010.
Similar publications
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Added: October 31, 2021
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
Petrosyants K. O., Popov D., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Added: February 14, 2021
Воздействие тепловой обратной связи на температуру кристалла микросхемы
Madera A. G., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Added: October 29, 2018
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov et al., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1–16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Added: January 23, 2014
Исследование подавления нелинейных искажений сигнала в ЛБВ с помощью премодуляции тока электронного пучка
Solntsev V. A., Shul’ga A., В кн.: Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.: СПб.: СПбГЭТУ, 2013..
Работа направлена на линеаризацию передаточных характеристик СВЧ-усилителей мощности, компенсацию ИМИ, что позволяет существенно повысить верность передачи информации, улучшить энергетические показатели, сузить рабочие полосы и увеличить надежность систем связи различного назначения. ...
Added: December 15, 2013
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов
Petrosyants K. O., Кожухов М. В., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320–326.
The effects of neutron and γ-radiation on characteristics of Si BJT and SiGe HBT are investigated. SPICE-macro models taking into account the effects of neutron and γ-radiation are developed. The modeling results are in good agreement with experimental data. ...
Added: April 29, 2013
Анализ метода линеаризации характеристик СВЧ усилителей корректорами на основе сигнала огибающей.
Solntsev V. A., Shul’ga A., В кн.: Микроэлектроника СВЧ: Сборник трудов всероссийской конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 4-7 июня 2012 г.Т. 2.: СПб.: ООО "Технолит", 2012. С. 128–132.
Дано обобщение квазистационаного метода анализа многочастотных режимов усилителей СВЧ. Проведен сравнительный расчет подавления паразитных комбинационных составляющих на выходе твердотельных и вакуумных усилителей СВЧ при воздействии на их характеристики сигнала огибающей  усиливаемых колебаний. Показана возможность подавления комбинационных третьего порядка на 6-19 дБ в зависимости от режима работы усилителя. ...
Added: February 26, 2013
Анализ метода подавления нелинейных искажений с помощью огибающей сигнала с учетом фазоамплитудной конверсии в ЛБВ
Shul’ga A., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2012 № 10 С. 130–135
The suppression of the nonlinear distortions in amplifier using the effect of the envelope signal of the amplified HF oscillations on the amplifier parameters is analyzed. A slow (on the time scale of the HF oscillations) variation in the parameters gives rise to additional frequency components of oscillations that compensate for the nonlinear distortions of ...
Added: January 17, 2013
Анализ подавления нелинейных искажений в усилителях сигналом огибающей
Solntsev V. A., Shul’ga A., Радиотехника и электроника 2012 Т. 57 № 2 С. 219–229
The suppression of the nonlinear distortions in amplifier using the effect of the envelope signal of the amplified HF oscillations on the amplifier parameters is analyzed. A slow (on the time scale of the HF oscillations) variation in the parameters gives rise to additional frequency components of oscillations that compensate for the nonlinear distortions of ...
Added: April 12, 2012
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
The effects of neutron irradiation on both Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction transistor (HBT) are investigated using Synopsys TCAD tool. The carrier lifetime degradation under irradiation models are included in the program. For SiGe HBT at fluences as high as 10**15 cm-2 the degradation of peak current gain is less than 40%, ...
Added: April 12, 2012
Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects
Kharitonov I. A., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271–274.
The corrections of the methodology of power BJT and MOSFET transistor models parameter extraction taking into account the self heating effects are presented. For BJT these corrections are included into VBIC model parameter extraction process. For MOSFET current generator connected to standard SPICE MOS model is proposed to take into account drain current growth with ...
Added: April 12, 2012
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit