• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
August 18, 2026
HSE Scholar Presents Research on Postcards in Brazil and South Korea
Timur Khusyainov, Deputy Dean of theFaculty of Humanities atHSE University–Nizhny Novgorod, took part in two international conferences—the XVI World Congress of Rural Sociology in Porto Alegre, Brazil, and the 36th Annual Conference of the Alliance of Digital Humanities Organisations (DH2026) in Daejeon, South Korea. On his way to the conferences, the researcher also visited several other places, where he presented the experience of the Pochtovoe educational project.
August 18, 2026
Physicists Discover What Happens Inside a Stable Vortex
Large vortices with characteristic spiral arms are often observed in the atmosphere and the ocean. Physicists from HSE University have explained how these structures form and why they retain their shape. The researchers found that velocities at points located along the same vortex arc remain correlated even over long distances. At the same time, this correlation weakens rapidly with increasing distance from the vortex centre. These differences help explain the formation of spiral arms and may improve models of atmospheric and oceanic currents. The findings have been published in Physical Review Fluids.
August 17, 2026
‘I Dream of Simple Things
Anastasia Gergenreter specialises in applied statistics and econometrics. In this interview for the Young Scientists of HSE University project, she talked about why she studies addictive substance use, two very different Fishers, and the cherry blossom season at the Main Botanical Garden in Moscow.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов

С. 286–288.
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D.
Language: Russian
Full text
DOI
Keywords: ионизирующее излучениеTCAD simulationTCAD-моделированиеIonizing radiationsFinFETFinFET

In book

Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов
Т. 14. Вып. 7s. , М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021.
Similar publications
Features of TCAD and SPICE Simulation of a Charged Particle Impact into a 6T SRAM Cell Manufactured Using the CMOS 28-nm Technology Node
Petrosyants K. O., Silkin D. S., D. A. Popov et al., Russian Microelectronics 2024 Vol. 53 No. 7 P. 737–743
With a decrease in the size of transistors, the conditions arise when the impact of one particle affects several transistors in the composition of a memory cell. Therefore, during simulation it is not sufficient to take into account one transistor directly hit by a particle. In this study, a full-size 3D model of two n-channel transistors ...
Added: November 6, 2025
Перераспределение примеси на границе поликремний — кремний при моделировании диффузии из поликремния в TCAD при различных моделях диффузии
Федотов А. В., Sambursky L. M., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 859–861
The parameters of the polysilicon—silicon interface in the simulation of thermal processes significantly depend on the choice of the diffusion model available in TCAD. In this paper, based on experimental data, a comparison of the diffusion models available in TCAD in application to these materials is carried out and recommendations for choosing a model are ...
Added: November 5, 2025
Использование искусственных нейронных сетей в качестве интеллектуального метода контроля ионизирующего излучения
Kaperko A., В кн.: X1V Всероссийское совещание по проблемам управления (ВСПУ - 2024), сборник научных трудов, 17 - 20 июня 2024 г.: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, 2024. С. 2464–2468.
Для контроля ионизирующего излучения в космическом пространстве используются спектрометры, построенные на алмазных детекторах, которые обладают сверхвысокой радиационной стойкостью. Рассматривается использование искусственных нейронных сетей в качестве интеллектуального метода контроля потоков ионизирующего излучения в аппаратуре обработки выходной информации со спектрометра. С помощью спектрометра анализируются 24 входных сигнала, содержащих интегральные количественные характеристики потоков ионизирующего излучения. Обрабатывается информация о ...
Added: September 17, 2024
Проблемы и перспективы зернового рынка России
Iliukhin R., Инновационные технологии в пищевой промышленности и общественном питании, Россия, Екатеринбург 2023 С. 52–54
В статье рассмотрены особенности развития зернового рынка России: договорные отношения с импортерами, формирование новых транспортных коридоров и поддержка отечественных аграриев, сохранение ценного зернового сырья (в частности, путем обработки излучением). Основными странами российского экспорта зерна остаются государства Северной Африки, Ближнего Востока и Персидского залива, Турция, Египет и Азербайджан. Внедрение ФГИС «Зерно» в цифровом формате обеспечивает прозрачно ...
Added: April 5, 2024
Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools
K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 8 P. 644–648
Using TCAD modeling, the effect of changing the FinFET structure parameters, such as gate stack layer sizes, fin shape, or doping levels, on the electrical characteristics of the device is studied. ...
Added: May 13, 2023
TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation
K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov et al., Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 7 P. 545–551
The transition from planar MOSFET structures to 3D FinFET structures provides resistance to various types of radiation. However, the characteristics of irradiated devices created at different manufacturers differ significantly, and it is rather difficult to explain the dependence of the radiation resistance of FinFE-T structures on variations in their physical and topological parameters and electrical ...
Added: January 30, 2023
Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)
Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.
The temperature range of SPICE models of sub-100 nm FDSOI MOSFETs and FinFETs is extended from the standard commercial level (-60°C to +150 °C) to extreme low and high level (-200 °C … +300 °C) for low/high temperature ICs design. This is done by including additional equations for temperature-dependent parameters, and by connecting additional elements ...
Added: December 15, 2022
Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling
Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293
A complete comparison for 14 nm FinFET and NWFET with stacked nanowires was carried out. The electrical and thermal performances in two device structures were analyzed based on TCAD simulation results. The electro-thermal TCAD models were calibrated to data measured on 30–7 nm FinFETs and NWFETs. The full set of output electrical device parameters Ion, ...
Added: October 30, 2022
Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Added: July 13, 2022
Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 120–123.
In this work, the influence of changes in the FinFET structure parameters, such as the dimensions of the gate stack layers, the shape of the fin or doping levels, on the electrical characteristics of the device is investigated with the TCAD modeling. ...
Added: October 31, 2021
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Added: October 31, 2021
TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2021 Т. 26 № 5 С. 374–386
При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном ...
Added: October 31, 2021
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit