?
Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний
С. 49–52.
In book
Т. 1. , Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010.
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade et al., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Two types of the MOSFET models available in commercial versions of TCAD and SPICE simulators are completed with additional equations taking into account radiation effects. The adequacy of the models is demonstrated on two examples 1) 0.2 um and 0.24 um SOI/DSOI MOSFETs considering TID effects and single heavy ion impact, and 2) 28 nm bulk MOSFET, 45 nm and 28 nm ...
Added: December 5, 2020
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Kozhukhov M., Безродных И. П., Морозова Е. И. et al., В кн.: Актуальные проблемы создания космических систем дистанционного зондирования Земли.: М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016. С. 300–309.
The possibility of long-term operation of the equipment on satellites is closely related to the dynamics of the electron fluxes of the Earth’s external radiation belt (SRW), an increase in radiation loads can lead to disruption of the operation of electronic systems: the appearance of surface currents and the appearance of spontaneous electric discharges. The ...
Added: October 31, 2019
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Added: November 7, 2018
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is:
consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid,
structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered,
Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered;
a summary of the ...
Added: March 15, 2018
Kharitonov I. A., , in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017).: Piscataway: IEEE, 2017. P. 1–8.
The combined Electro-Thermo-Rad models were developed for SPICE simulation of hardened SOI/SOS CMOS ICs for aero-space applications. They account for thermal (low, high temperature, selfheating) and radiation effects (total dose, particles fluence, single heavy particles, transient ionizing radiation effects) in SPICE model of MOSFET fabricated with SOI/SOS semiconductor technologies. The models were built using macromodeling ...
Added: October 29, 2017
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Added: September 13, 2017
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Added: September 13, 2017
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2017 № 6 С. 15–20
На основании проведенных исследований показана возможность получения конструкционного радиационно-защитного композиционного материала, упрочняемого при радиационно-термических нагрузках. Воздействие высоких доз гамма облучения приводит к образованию в цементно-магнетито-серпентинитовом композите однокальциевого феррита СаFe2O4, обладающего высокой физической и рентгеновской плотностью, что определяет радиационное упрочнение композита и повышение его механической прочности вплоть до дозовой нагрузки 10 МГр. При радиационном γ-облучении защитного ...
Added: May 17, 2017
Abrameshin D., Звездов Д. С., Системный администратор 2016 № 163 С. 93–95
Polymer materials are widely used in various fields of human activity, including space technology and nuclear power. As in the first and in the second case the operations polymeric materials are exposed to ionizing radiation. Naturally, under such influence alters the electrical properties of these materials. Such changes in the properties of, known as radiation ...
Added: March 6, 2017
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Added: October 11, 2016
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Added: June 20, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Added: June 20, 2016
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Added: June 20, 2016
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2016 № 6 С. 23–29
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией
0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной
дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы,
используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина
проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых
электронов по толщине защитного композита. ...
Added: May 18, 2016
Adonin A., Petrosyants K. O., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916–922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Added: February 25, 2016
Petrosyants K. O., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: February 16, 2016
Лыткарино МО: [б.и.], 2015.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Added: September 18, 2015
Artyukhova M. A., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2014 Т. 8 № 10 С. 10–12
Electronic equipment of spacecraft is exposed to ionizing radiation of outer space, which is another reason for failure. Currently accepted to evaluate separately the reliability of electronic equipment and its radiation resistance, despite the fact that these phenomena are interrelated. The aim of the article is to estimate effects of ionizing radiation on the reliability ...
Added: December 4, 2014