?
Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний
С. 49-52.
In book
Т. 1. , Снежинск : РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Added: March 21, 2014
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2016 № 6 С. 23-29
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией
0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной
дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы,
используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина
проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых
электронов по толщине защитного композита. ...
Added: May 18, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Polesskiy S., Artyukhova M. A., Лебедева Н. А., В кн. : Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014. : М. : НИЯУ МИФИ, 2014. С. 163-164.
Рассматривается метод определения вероятности безотказной работы функционального узла аппаратуры космического аппарата за срок активного существования в условиях низкоинтенсивного ионизирующего облучения при анализе надежности усилителя мощности. ...
Added: July 7, 2014
Kharitonov I. A., , in : Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). : Piscataway : IEEE, 2017. P. 1-8.
The combined Electro-Thermo-Rad models were developed for SPICE simulation of hardened SOI/SOS CMOS ICs for aero-space applications. They account for thermal (low, high temperature, selfheating) and radiation effects (total dose, particles fluence, single heavy particles, transient ionizing radiation effects) in SPICE model of MOSFET fabricated with SOI/SOS semiconductor technologies. The models were built using macromodeling ...
Added: October 29, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D., В кн. : Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26. Т. 3.: М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
CMOS SOI cells transients were simulated using device (TCAD) and circuit (HSPICE) software tools taking into account the self-heating effects. Effect of signal cycle duration on transistors temperature was analyzed. MOSFET structures electrical and thermal parameters were defined from the TCAD simulation results and than were used for cell circuit simulation with HSPICE. ...
Added: April 29, 2013
Polesskiy S., Artyukhova M. A., В кн. : Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы пятнадцатого научно-практического семинара. : М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2012. С. 263-267.
Рассматриваются вопросы повышение точности расчетной оценки стойкости на ранних стадиях проектирования за счет использования полей распределения накопленной дозы для печатных узлов. ...
Added: October 26, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Added: April 12, 2012
Artyukhova M. A., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014. : М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 294-296.
Consider a method evaluation of reliability indicators of the onboard equipment of spacecraft with
exposure to ionizing radiation of outer space. This study (research grant No 14-05-0038) was supported by The
National Research University - Higher School of Economics’ Academic Fund Program in 2014. ...
Added: November 30, 2014
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263-266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718-723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016
Orekhov E. V., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Orekhov E. V. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...
Added: March 25, 2014
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2017 № 6 С. 15-20
На основании проведенных исследований показана возможность получения конструкционного радиационно-защитного композиционного материала, упрочняемого при радиационно-термических нагрузках. Воздействие высоких доз гамма облучения приводит к образованию в цементно-магнетито-серпентинитовом композите однокальциевого феррита СаFe2O4, обладающего высокой физической и рентгеновской плотностью, что определяет радиационное упрочнение композита и повышение его механической прочности вплоть до дозовой нагрузки 10 МГр. При радиационном γ-облучении защитного ...
Added: May 17, 2017
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid,
structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered,
Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered;
a summary of the ...
Added: March 15, 2018
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
A compact BSIMSOI-RAD macromodel for SOI/SOS CMOS transistors is developed that takes into account the radiation effects. An automated procedure for determination of macromodel parameters is described and shown to be useful for analyzing radiation hardness of CMOS IC fragments depending on the total absorbed dose. The simulation time is estimated. ...
Added: April 12, 2012
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade et al., , in : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2-8.
Two types of the MOSFET models available in commercial versions of TCAD and SPICE simulators are completed with additional equations taking into account radiation effects. The adequacy of the models is demonstrated on two examples 1) 0.2 um and 0.24 um SOI/DSOI MOSFETs considering TID effects and single heavy ion impact, and 2) 28 nm bulk MOSFET, 45 nm and 28 nm ...
Added: December 5, 2020
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Zhadnov V. V., В кн. : Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ). Вып. 33.: М. : Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
1. Двусторонняя печатная плата, включающая диэлектрическую подложку из, по меньшей мере, двух слоев стеклоткани, с отверстиями и контактными площадками и сформированную на ней электрическую схему, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка дополнительно снабжена защитным экраном, размещенным между слоями стеклоткани и выполненным из материала, обеспечивающего локальное экранирование для телесных углов до 2 стерадиан.
2. Двусторонняя печатная плата по ...
Added: April 9, 2014
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77-82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Added: November 28, 2012
Polesskiy S., Artyukhova M. A., В кн. : Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. тр. : Красноярск : Сибирский федеральный университет, 2012. С. 233-244.
Рассмотрены пути повышения точности расчетной оценки прогнозируемой радиационной стойкости бортовой аппаратуры космических аппаратов. Также представлена разрабатываемая методика, направленная на обеспечение радиационной стойкости бортовой аппаратуры на ранних стадиях проектирования. ...
Added: November 13, 2012