?
Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
С. 109-110.
Artyukhova M. A., Polesskiy S., Zhadnov V. V. et al., Компоненты и технологии 2010 № 9 С. 93-98
Рассматриваются вопросы повышения достоверности и точности оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов расчетными методами и проблемы оценки стойкости, связанные с применением в аппаратуре электронных компонентов иностранного производства, а также приводятся пути решения этих проблем. ...
Added: January 25, 2013
Zhadnov V. V., Polesskiy S., Tihmenev A. N. et al., Компоненты и технологии 2011 № 6 С. 168-174
В статье рассмотрены вопросы создания и внедрения информационной технологии обеспечения надежности сложных электронных средств (ЭС) военного и специального назначения. Основу технологии составляют процессы расчетной оценки характеристик и показателей надежности составных частей (СЧ) для всех уровней разукрупнения, начиная от электрорадио изделий (ЭРИ) и компонентов компьютерной техники (ККТ), электронных модулей первого уровня (ЭМ1) и заканчивая ЭС в ...
Added: January 25, 2013
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Added: September 8, 2017
Дифференцированная оценка влияния ВВФ при проектных исследованиях надежности электронных компонентов
Zhadnov V. V., Garshin A. A., Zhadnov I. V., Электронные компоненты 2010 № 3 С. 16-23
Оценка эксплуатационной интенсивности отказов электронных компонентов (ЭК) в настоящее время проводится на основе данных справочника «Надежность ЭРИ», в котором для учета жесткости условий эксплуатации используется интегральная оценка влияния внешних воздействующих факторов (ВВФ). В статье показано, что такой подход может привести к существенной погрешности расчетной оценки надежности в случае существенного различия уровней ВВФ, действующих на ЭК, ...
Added: April 12, 2012
Kofanov Y. N., Linetskiy B., Sotnikova S., Вестник компьютерных и информационных технологий 2016 № 10 С. 24-29
Предложен метод бесконтактного контроля температурных полей печатных узлов с использованием тепловизора и специального компьютерного обеспечения. Выявлены дефектные печатные узлы при автоматизированном сравнении измеренных температур электронных компонентов с предварительно вычисленными границами допусков на них. Для нахождения границ допусков применено статистическое компьютерное моделирование по методу Монте-Карло с имитацией разбросов по нормальному закону распределения электрических параметров электронных компонентов, ...
Added: December 16, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной. ...
Added: June 10, 2013
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Adonin A. et al., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов. : М. : ИППМ РАН, 2012. С. 187-192.
Отработана методика построения IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия факторов температуры и радиации по результатам моделирования их характеристик с использованием SPICE моделей, учитывающих указанные факторы.
Модели включены в пакет HyperLynx компании Mentor Graphics для анализа помех и наводок в устройствах на печатных платах. ...
Added: December 5, 2012
50584562, Kharitonov I. A., Kozynko P. et al., , in : Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. : Turin : Politecnico di Torino, 2013. P. 185-189.
Software-hardware subsystem for IR temperature control and measurement has been developed for the different types of electronic components: semiconductor devices, chips, PCBs, units. IR measuring part includes: Flir ThermoVision A40 infrared camera with 17 mkm macro lens, Quantum Focus Instruments Corp InfraScope, precision positioning system and set of thermocouples. Software part for IR data processing ...
Added: January 9, 2014
Kofanov Y. N., Мелех Н. А., Sotnikova S., Авиакосмическое приборостроение 2018 № 8 С. 25-34
Разработан метод априорного анализа тепловой нагрузки электронных компонентов, вызванных тепловыми процессами, протекающими в печатных узлах электронных блоков космических аппаратов. Метод позволяет разработчику проводить исследования тепловых режимов на этапах эскизного и технического проектирования и получать значения тепловых нагрузок на электронных компонентах печатных узлов до изготовления опытного образца. В случае перегрузки конкретного электронного компонента (или компонентов) разработчик ...
Added: October 29, 2018
Petrosyants K. O., Kozynko P., Kharitonov I. A. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 330-333.
The methodology and software tools for multi-level thermal and electro-thermal design of electronic components is presented. The discussion covers 2D/3D constructions of: 1) discrete and integrated semiconductor devices; 2) monolithic and hybrid ICs; 3) MCMs and PCBs. The actual test validation through thermal measurement is demonstrated for all types of components. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures ...
Added: January 23, 2014
Zhadnov V. V., Polesskiy S., Kulygin V. et al., В кн. : Надёжность и качество - 2011: Труды международного симпозиума: в 2-х т. Т. 1.: Пенза : Издательство ПГУ, 2011. С. 31-37.
Рассмотрены вопросы создания и внедрения информационной технологии обеспечения надежности сложных электронных средств (ЭС) военного и специального назначения. Основу технологии составляют процессы расчетной оценки характеристик и показателей надежности составных частей (СЧ) для всех уровней разукрупнения, начиная от электрорадио изделий (ЭРИ) и компонентов компьютерной техники (ККТ), электронных модулей первого уровня (ЭМ1) и заканчивая ЭС в целом, включая ...
Added: January 25, 2013
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
A compact BSIMSOI-RAD macromodel for SOI/SOS CMOS transistors is developed that takes into account the radiation effects. An automated procedure for determination of macromodel parameters is described and shown to be useful for analyzing radiation hardness of CMOS IC fragments depending on the total absorbed dose. The simulation time is estimated. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Added: March 21, 2014
Kharitonov I. A., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Added: September 13, 2017
Kharitonov I. A., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 103-110.
Using published MOSFETs characteristic degradation after TID irradiation in various thermal ambient parameters of “electro-thermo-rad” SPICE models were defined. Two examples were considered: radiation hardened 2 µm CMOS technology of Sandia National Laboratory and 130 nm CMOS technology. Models were verified using SRAM sell simulation (for 2 µm technology) and voltage reference, ring oscillator and ...
Added: October 23, 2018
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели. ...
Added: September 8, 2017
Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Universal SPICE model for submicron SOI/SOS
MOSFETs based on BSIMSOI and EKV-SOI platforms with
account for total ionizing dose-induced effects (TID), pulsed
radiation effects, single events is presented. A special subcircuit
consisting of parasitic transistors for sidewall and backgate
leakage currents and other elements is connected to the standard
SPICE model. In addition, the radiation-dependent parameters
are described by physically based mathematical ...
Added: March 12, 2015
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. : М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
. ...
Added: October 21, 2018
Идентификация внутренних параметров электронных компонентов электронных средств при импортозамещении
Kofanov Y. N., Sotnikova S., В кн. : Системные проблемы высокой надежности, математического моделирования и инновационных технологий изделий ответственного назначения (ИННОВАТИКА - 2015). Материалы Международной конференции и Российской научной школы. : М. : ОАО «Концерн «Моринформистема–Агат», 2015. С. 116-117.
Предлагается метод идентификации внутренних параметров инновационных электронных компонентов, разработанных по программе импортозамещения. ...
Added: December 22, 2015
Хохорин М., Чупилин А. В., Lvov B. G. et al., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014. : М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 340-342.
The peculiarity of the design of modern structures of the devices of electronic equipment
Khokhorin M.A, Copelin A.V., L’vov B.G., Abrameshin A.E.
Considered the basic principles of design of devices of electronic equipment. The indicated factors for the development of optimal design.
This work was supported by RFBR (grant No 14-07-00414) ...
Added: June 3, 2015
Ismail-zade M. R., В кн. : Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282-283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Added: September 8, 2017