?
Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации
С. 23–26.
Language:
Russian
In book
Т. 3. Вып. III. , CreateSpace, 2014.
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. et al., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 179–188
The developed hardware-software complex for measuring, device characteristics investigation and determining parameters of SPICE-models for semiconductor devices and VLSI’s components with account for radiation and temperature effects in a wide range is described. ...
Added: May 21, 2023
Ismail-zade M. R., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Added: September 8, 2017
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262–263.
Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели. ...
Added: September 8, 2017
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Added: September 8, 2017
Gladchenkov E., Zakharchenko K. V., Kaperko A. et al., Измерительная техника 2017 № 1 С. 52–56
Разработан и исследован радиационностойкий детектор на основе алмаза для регистрации потоков частиц космического излучения с малой линейной передачей энергии. Данный детектор может использоваться для регистрации гамма-излучения ядерных реактров типа ВВР. Экспериментально определены характеристики детектора при воздействии бета-излучения. Проведено моделирование сигналов детектора при воздействии бета- и гамма-излучения. Анализ полученных результатов показывает, что применение многослойной алмазной структуры ...
Added: December 7, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.
В данной работе описаны особенности процедуры измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов различного типа в диапазоне изменения температуры от минус 60 °C до +125 °C, что проиллюстрировано на примере отечественного дискретного биполярного транзистора из состава транзисторной матрицы 1НТ251А. Подробная пошаговая полуавтоматизированная процедура экстракции параметров была реализована с использованием автоматизированного комплекса IC‑CAP. ...
Added: February 16, 2016
Kharitonov I. A., Гоманилова Н. Б., Petrosyants K. O. et al., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013).: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274–276.
В работе приведены результаты применения комплекса, состоящего из автоматизированных измерительных приборов и программной части, для создания и отладки схемотехнических моделей электронных компонентов с учетом влияния температуры. Приведены примеры применения комплекса для создания схемотехнических моделей биполярных и МОП транзисторов в диапазоне температур от -60оС до +120оС.инфорсма ...
Added: November 11, 2013
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303–309.
Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной. ...
Added: June 10, 2013
Petrosyants K. O., Кожухов М. В., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320–326.
The effects of neutron and γ-radiation on characteristics of Si BJT and SiGe HBT are investigated. SPICE-macro models taking into account the effects of neutron and γ-radiation are developed. The modeling results are in good agreement with experimental data. ...
Added: April 29, 2013
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90–95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Added: April 12, 2012
Andreev V. V., Bondarenko G., Михальков А. М. et al., Перспективные материалы 2011 № 3 С. 29–32
Исследованы режимы инжекционно-термической обработки структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Показано, что инжекционно-термическая обработка (ИТО) позволяет выявить и исключить структуры с грубыми дефектами изоляции и зарядовыми дефектами, при этом практически не снижается ресурс работы приборов на основе МДП-структур. Установлено, что проведение ИТО позволяет повысить инжекционную и радиационную стойкость наноразмерных диэлектрических пленок МДП-приборов за счет их модификации. ...
Added: April 12, 2012