• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
Menu

Book chapter

Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками

С. 815-816.
Шалеев М., Новиков А., Юрасов Д., Байдакова Н., Морозова Е., Скороходов Е., Вербус В. А., Ota Y., Kurokawa Y., Usami N.

An original method has been developed for nanotexturing the surface of crystalline silicon, based on the use of GeSi self-focusing nanoislands as a mask for anisotropic etching of Si. The developed method is characterized by a small thickness of the removed silicon and allows in a wide spectral range to significantly reduce the reflection from the silicon surface and increase the absorption of radiation in the near and middle IR range. This makes it promising to use this method of surface nanotexturing to increase the efficiency of solar cells based on thin crystalline silicon wafers

In book

Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками
Т. 2: секция 3. Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.