• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
October 1, 2026
HSE Researchers Show How Congenital Motor Disorders Affect Brain Development
Researchers from HSE University’s Institute for Cognitive Neuroscience have synthesised the findings of their previous studies on brain development in children with obstetric brachial plexus palsy and arthrogryposis. Their analysis shows that impaired motor function in early childhood not only limits children’s motor experience but also affects memory, categorical thinking, and information processing. The study has been published in Frontiers in Psychology.
October 1, 2026
Window into the Body: Scientists Develop Neural Network to Detect Risk of 15 Diseases from Retinal Images
Russian universities, with the participation of HSE University, Sber, and Z-union, have developed a neural network that can simultaneously assess the risk of 15 types of pathology from retinal photographs, including not only eye diseases but also cardiovascular conditions. The AI system can help clinicians detect potentially concerning changes at an early stage, identify signs reflecting the condition of retinal blood vessels, and determine whether a patient may need further examination. The paper has been published in Frontiers in Medicine.
September 30, 2026
'We Did Not Limit the Time for Questions'
The International Laboratory for Supercomputer Atomistic Modelling and Multi-Scale Analysis at HSE University held a major conference on molecular dynamics. Participants had the opportunity to attend all the presentations, while speakers were given as much time as they needed to answer questions. The HSE News Service interviewed Grigory Smirnov, Head of the Laboratory, and Genri Norman, Chief Research Fellow, about the conference preparations and the discussions it generated.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов

С. 280–281.
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M.
Language: Russian
Full text
Keywords: экстракция параметровSPICE-модельтепловые эффектыбиполярные транзисторырадиационные эффектыпрограммно-аппаратный комплексМОП-транзисторы

In book

Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции
М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016.
Similar publications
Анализ влияния радиационных эффектов на характеристики операционного усилителя с использованием универсальной SPICE-RAD-модели биполярных транзисторов
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
The operational amplifiers (Op-Amps) are widely used in electronic systems operating under conditions of exposure to ionizing radiation; hence the IC designer has a need to carry out circuit modeling considering radiation factors. The main problem of this method of the Op-Amps simulation is that in SPICE-like programs there are no adequate models of bipolar ...
Added: November 6, 2025
Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов
Khlynov P., Sambursky L. M., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Taking into account the variation in the parameters of SPICE models of semiconductor components in the circuit modeling of electronic components is necessary for a more accurate assessment of the limits of their operability during the design of electronic equipment. This is especially important for equipment designed to operate in conditions other than normal or ...
Added: September 16, 2025
Разработка структуры стенда для проведения многофакторных ускоренных испытаний
Urkunov A., Tsvetkov V., Lander L. et al., В кн.: Технологии информационного общества. Сборник трудов XVII Международной отраслевой научно-технической конференции «Технологии информационного общества». (2-3 марта 2023 г. Москва, МТУСИ).: М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2023.
Данная работа посвящена созданию структуры программно-аппаратного комплекса, позволяющего проводить ускоренные испытания для проведения валидации уточненной математической модели оценки основных показателей безотказности электрорадиоизделий (ЭРИ). В работе описана структурная схема разрабатываемого стенда и контрольно-измерительного модуля. Проведен анализ конструктивных особенностей соединительных проводов контрольно-измерительного модуля при проведении ускоренных испытаний. Данная работа проводится в рамках проекта по созданию стенда верификации ...
Added: April 20, 2025
Разработка структуры программно-аппаратного комплекса для проведения ускоренных испытаний
Urkunov A., Tsvetkov V., Lander L. et al., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского 2023.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2023. С. 186–188.
Данная работа посвящена разработке стенда, ко- торый позволит верифицировать основные показате- ли безотказности ЭРИ. В работе приведено описание структуры стенда и контрольно-измерительного мо- дуля для проведения ускоренных испытаний рези- сторов, а также построены их структурные схемы. Данное исследование проводится в рамках выполне- ния проекта по созданию программно-аппаратного комплекса верификации показателей надежности типовых групп резервирования. ...
Added: August 27, 2024
Разработка программно-аппаратного комплекса регистрации вибрации
Опекунова А. А., Старостенко В. И., Tuv A. et al., В кн.: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIХ Международной научно-практической конференции, 15–17 ноября 2023 г. В 2 частях, часть 1.Ч. 1.: Томск: В-Спектр, 2023. Гл. 1 С. 146–149.
Added: February 10, 2024
Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. et al., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 179–188
The developed hardware-software complex for measuring, device characteristics investigation and determining parameters of SPICE-models for semiconductor devices and VLSI’s components with account for radiation and temperature effects in a wide range is described. ...
Added: May 21, 2023
Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов
Ismail-zade M. R., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Added: November 5, 2021
Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
The possibilities of determining the SPICE model parameters in an extended temperature range were investigated using the three most common commercial extractors IC-CAP, MBP and BSIMProPlus. Comparative estimates of the efficiency of extractors are given on the example of calculating MOSFETs I–V characteristic taking into account the temperatures up to +300°C. ...
Added: November 5, 2021
Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
History Published since 1990 Subject External radiation operating conditions of products of electronics and radio-electronic equipment Radiation and electromagnetic effects in radioelectronics, parameters degradation, failures, single failures Assessment and support of radiation resistance and reliability of products of electronics, radio-electronic equipment, radio engineering materials, including materials of space assignment Calculation methods of determination of radiation resistance of products Test installations and accelerators, ...
Added: July 14, 2021
SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
Using a universal approach, SPICE models were developed for sub-100 nm MOSFET structures taking into account radiation and low-temperature effects, as well as a procedure for identifying model parameters based on the results of a full-scale/machine experiment. The approach consists of a combination of macromodeling based on the standard model from the SPICE simulator and ...
Added: April 11, 2021
Electrical effects in polymers and composite materials under electron beam irradiation
Sadovnichii D. N., A.P. Tyutnev, Milekhin Y. M., Russian Chemical Bulletin 2020 No. 9 P. 1607–1613
The modern state of experimental and theoretical studies of the radiation-induced conductivity and charging of polymeric dielectrics under the action of electron beams is considered. The eff ect of the molecular mobility on the transport of excess charge carriers is discussed. ...
Added: December 19, 2020
Д. Н. Садовничий, А. П. Тютнев, Ю. М. Милехин Электрические эффекты в полимерах и композиционных материалах при облучении пучками электронов // Известия Академии наук. Серия химическая, 2020, № 9, С. 1607-1613
Садовничий Д. Н., А.П. Тютнев, Мелехин Ю. М., Известия Академии наук. Серия химическая 2020 № 9 С. 1607–1613
В обзоре рассмотрено современное состояние вопросов экспериментального и теоретического изучения радиационно-индуцированной электропроводности и электризации полимерных диэлектриков при воздействии пучков электронов. Обсуждается влияние молекулярной подвижности на транспорт избыточных носителей заряда в полимерных материалах. ...
Added: December 15, 2020
Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
The unified Si BT/SiGe HBT SPICE-model is presented, which allows performing SPICE simulation of integrated circuits that considering the radiation effect. The results of measurements and modeling of electrical characteristics of bipolar transistors before and after exposure to various radiation types are presented. ...
Added: December 5, 2020
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Petrosyants K. O., Popov D., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
SOI MOSFETs have the worst properties of heat removal from an active region, which negatively affects the reliability and efficiency of integrated circuits. Using TCAD modeling, we investigate the self-heating effect in the following structures of deeply submicron MOSFETs with different configurations of buried oxide: traditional bulk MOSFET, SOI structure, SELBOX structure, partial SOI structure, thin-BOX SOI structure, UTBB ...
Added: March 24, 2020
Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия.: НИИСИ РАН, 2019. С. 27–28.
В работе рассматривается использование конструкций КНИ МОПТ с неравномерным легированием канала. С помощью Sentaurus TCAD промоделированы ВАХ КНИ МОПТ с однородным и неравномерным легированием канала (до 50% длины канала), а также зависимость времени задержки КМОП схем на основе исследуемых транзисторов. ...
Added: March 15, 2020
Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404–405
The paper considers a new TCAD Rad model for BJTs and MOSFETs for proton radiation. The equations for radiation-dependent parameters (life time, mobility, surface velocity, traps concentration) have been added in Sentaurus TCAD. The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: January 30, 2019
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit