• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
  • HSE University
  • Publications of HSE
  • Book chapters
  • Трансформация радиационных дефектов в кремнии, имплантированном протонами, при низкотемпературной термообработке

Book chapter

Трансформация радиационных дефектов в кремнии, имплантированном протонами, при низкотемпературной термообработке

С. 362-370.
Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С.

The peculiarities of the formation and transformation of radiation defects in the layers of silicon wafers implanted by hydrogen ions in the course of heat treatment are studied. Using the methods of high-resolution X-ray diffractometry, the evolution of radiation defects in the annealing process.