?
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 5 (85) С. 81-83
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
М. : НИЯУ МИФИ, 2014
Рассматриваются внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры, проблемы оценки и обеспечения радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения. ...
Добавлено: 28 февраля 2014 г.
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией
0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной
дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы,
используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина
проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых
электронов по толщине защитного композита. ...
Добавлено: 18 мая 2016 г.
Одним из показателей развития в стране промышленности, экономики и науки сегодня является эффективность ее космической программы. От успешного функционирования различных космических систем зависит развитее отрасли телекоммуникаций и телевидения, разведка полезных ископаемых, мониторинг окружающей среды, обеспечение обороноспособности. И если когда-то было достаточно, чтобы космический аппарат (КА) функционировал 1 год, потом 5 лет, то теперь стоит задача ...
Добавлено: 14 февраля 2013 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2012 Vol. 41 No. 012017 P. 1-9
В работе предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования тонких оксидных слоев МОП (металл-окисел-полупроводник) структур. Метод позволяет изучать генерацию и релаксацию положительных и отрицательных зарядов в нанотолщинном подзатворном диэлектрике МОП-структуры в различных стрессовых ситуациях. Параметры, характеризующие изменение зарядового состояния тонких оксидных слоев МОП - структур в процессе инжекции контролировались с помощью измерения временной зависимости ...
Добавлено: 17 января 2013 г.
Борисов Н. И., Малина А. С., Качество. Инновации. Образование 2013 № 3 С. 44-49
В данной статье рассматривается метод снижения трудоемкости анализа линейных электрических эквивалентных схем за счет редукции исходной схемы, использующий свойство схем, состоящих из слабо связанных между собой подсхем с применением метода макромоделирования. Для нахождения частотных и спектральных характеристик модели предлагается использовать модель, состоящую из макромоделей. Предлагаемый метод дает возможность исключить из подсхем несущественные для данной задачи ...
Добавлено: 28 августа 2013 г.
Борисов Н. И., Востриков А. В., Кравченко Н. П. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 4(51) С. 49-57
В данной статье рассматривается метод построения макромоделей линейных электрических эквивалентных схем в однородном координатном базисе. Подробно описан метод обращения полиномиальной матрицы второй степени, на котором основано построение макромодели. Метод позволяет существенно снизить трудоемкость построения макромоделей схем, содержащих большое количество индуктивных элементов, и матрицы моделей которых близки к плотным. ...
Добавлено: 21 октября 2014 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Жаднов В. В., Лазарев Д. В., Надежность 2004 № 4 С. 15-23
Наметившаяся в последнее время тенденция перехода к численным методам расчета показателей надежности радиоэлектронной аппаратуры, обусловленная появлением нового поколения компьютеров на база процессоров Intel Pentium IV, вновь выдвинула задачу снижения времени моделирования. Одним из возможных путей решения этой задачи является применение математических моделей эксплуатационной интенсивности отказов составных частей (макромоделей), которые позволяют существенно снизить время моделирования на ...
Добавлено: 12 января 2014 г.
ФГУП "НИИП", 2016
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом,
рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия,
рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников;
дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
М. : НИИСИ РАН, 2017
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Лыткарино МО : [б.и.], 2015
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Добавлено: 18 сентября 2015 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263-266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Добавлено: 21 марта 2014 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718-723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Рассматриваются вопросы повышения достоверности и точности оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов расчетными методами и проблемы оценки стойкости, связанные с применением в аппаратуре электронных компонентов иностранного производства, а также приводятся пути решения этих проблем. ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Белоруссии, Казахстана,Узбекистана, Украины, Киргизии, Германии, США, Польши, ЮАР, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, ...
Добавлено: 15 июля 2014 г.
Bondarenko G.G., Guseva M. I., Ivanov L. I. и др., Journal of Advanced Materials 1995 Vol. 2 No. 2 P. 99-105
Experiments revealed higher surface radiation resistance of the sweating aluminium-lithium alloys under long-term ion bombardment, so that it can be recommended for use in stressed sections of thermonuclear synthesis equipment. ...
Добавлено: 25 ноября 2013 г.
Артюхова М. А., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2014 Т. 8 № 10 С. 10-12
Радиоэлектронная аппаратура космических аппаратов (РАЭ КА) при эксплуатации подвергается воздействию ионизирующего излучения космического пространства (ИИ КП), что является дополнительной причиной отказов. На настоящий момент принято раздельно оценивать надежность РЭА и ее радиационную стойкость, не смотря на то, что эти явления взаимосвязаны. Целью статьи является оценка влияния ИИ КП на показатели надежности СВЧ-устройств, а именно на ...
Добавлено: 4 декабря 2014 г.