• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Articles
  • Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
October 14, 2026
At HSE University–St Petersburg, Experts Discuss How AI Changes Tourist Routes and Cultural Heritage
Neural networks are no longer simple travel assistants; now they decide what to include on the route and what to skip. Artificial intelligence changes how people perceive a place and shapes the image of tourist centres. At the II International Scientific and Practical Conference ’Information Technologies in the Preservation and Promotion of Cultural Heritage,’ researchers discussed who controls algorithmic solutions and in what ways, and whether authentic traditions get lost in them.
October 12, 2026
Road Injuries Leading Cause of Death Among Men Aged 10 to 39
Worldwide, road injuries are the leading cause of death among males aged 10–39. An international team of researchers reached this conclusion as part of the Global Burden of Disease Study 2023, analysing data from 204 countries between 1990 and 2023. Their findings have been published in The Lancet Public Health, with HSE University Professor Vasily Vlassov listed among the collaborators.
October 8, 2026
HSE Experts Take Part in 23rd Annual Meeting of Valdai Discussion Club
The 23rd Annual Meeting of the Valdai Discussion Club was held from September 28 to October 1, 2026 under the theme ‘Responsibility for the Future: Limits of the Possible, or Limitless Possibilities?’ The forum brought together 120 experts from 40 countries, including representatives of China, the United States, India, Brazil, the United Kingdom, Germany, Egypt, Iran, and Japan.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами

Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 7. С. 551–554.
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В.
Research target: Physics Nanotechnologies
Language: Russian
DOI
Text on another site
Keywords: топологический изолятормагнитный барьердвойная квантовая точка
Similar publications
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Dmitriev A., Kornilov V., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Numerous studies have provided compelling evidence that the probability distribution of avalanche sizes follows a power law, and that 1/f noise is present in the stochastic dynamics of landslides. We present a theoretical explanation of these phenomena within the framework of self-organized criticality theory, proposing a discrete-time model in the form of a sandpile cellular ...
Added: October 13, 2026
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Dmitriev A., Shulman I., Lebedev A., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
A discrete-time model is presented for the self-organization of the X/Twitter social network to the edge of a phase transition, characterized by avalanche-like propagation of information in the network. The model is based on the analogy between the critical dynamics of the X social network and sandpile cellular automata with Manna rule on the Chung-Lu ...
Added: October 13, 2026
Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах
Arutyunov K., Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16
Superconducting properties of metallic micro- and nanowires can be entirely different from those of bulk superconductors. Of particular interest is the nonequilibrium current-induced state of a quasi-one-dimensional superconducting channel. The most interesting phenomenon here is the stepped I–V characteristic, explained by a process known as phase slip center activation. If the origin of such step-like ...
Added: October 13, 2026
When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening
Makarov D. M., Kalikin N., Fashchevsky K. A. et al., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159
Machine learning (ML) has become a powerful tool for accelerating the development of carbon-based supercapacitors; however, most published models assume that a single predictive framework can describe both conventional porous carbons and hybrid carbon electrodes. Here, we test this assumption using a comprehensive benchmark dataset and an extended literature-curated dataset enriched with synthesis- and electrolyte-related descriptors. Three ML algorithms ...
Added: October 13, 2026
Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD
Махлуф М., Ozhegov R., Elezov M. et al., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423
This paper compares the ranging precision of direct time-of-flight (dToF) and non-line-of-sight (NLOS) LiDAR architectures, both using a superconducting nanowire single-photon detector (SNSPD). Both systems operate at 1550 nm with a 50 ps pulsed laser and time-correlated single-photon counting (TCSPC). The dToF configuration achieved approximately 100 µm precision at 10 m, while the NLOS configuration achieved 500 µm precision for ...
Added: October 12, 2026
Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan
Singapore: Springer, 2026.
This volume presents the Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics (CCP2023), held in Kobe, Japan on August 4–8, 2023. It offers a collection of peer-reviewed articles that highlight recent developments in computational and simulation research across various areas of physics. Key topics include the use of data science, quantum computing, and machine ...
Added: October 12, 2026
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Goncharov A., Chibisov A., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Designing stable quantum computers with the ability to correct errors responsibly requires a detailed understanding of the physical processes that underlie these devices. In this study, detailed quantum mechanical simulations of the atomic structure, charge distribution of electron density, and distribution and orientation of magnetic and quantum states as a function of applied external pressure ...
Added: October 11, 2026
Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.
Chibisov A., Gnidenko A., Chibisova M. et al., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533
Manufacturing precise quantum computers with small errors in quantum operations, long coherence times, and low power consumption is the most important challenge in modern nanoelectronics. To understand the operating modes of such calculators in detail, both the optimal arrangement of the qubit system within the structure and changes in its magnetic properties must be comprehensively ...
Added: October 11, 2026
Элементы теории топологических изоляторов
Denis K., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Added: September 6, 2026
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Added: September 6, 2026
Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Added: September 6, 2026
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Denis K., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Added: September 6, 2026
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg0.3Cd0.7Te
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Added: September 6, 2026
Управление динамикой спина в двойной полупроводниковой квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля
Denis K., Запруднов Н. А., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Added: September 6, 2026
ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами
Denis K., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Added: September 6, 2026
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
The magnetoresistance of superconductor–topological insulator–superconductor structures, with indium as the superconductor and TaSe3 as the topological insulator, shows steplike features on the resistance under magnetic fields. These resistance steps result from the suppression of superconductivity, induced by the superconducting proximity effect in both the bulk and surface states of the topological insulator. The position and ...
Added: March 11, 2026
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. et al., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
The intrinsic substitutional and antisite defects cause unintentional doping and a shift of the E-F position above the conduction band minimum in the AF topological insulator MnBi2Te4. This prevents measurements of the quantum anomalous Hall effect and the investigation of the topological Dirac states. In the present study, the Mn-Bi-Te films grown by the MBE ...
Added: February 18, 2026
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Karabassov T., Bobkova I. V., Pavel M. Marychev et al., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
The diode effect in superconducting materials has been actively investigated in recent years. Plenty of different devices have been proposed as a platform to observe the superconducting diode effect. In this work, we discuss the possibility of a highly efficient superconducting diode design with controllable polarity. We propose a mesoscopic device that consists of two ...
Added: December 22, 2025
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. et al., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Antimonene, the two-dimensional phase of antimony, appears in two distinct allotropes when epitaxially grown on Bi2Se3: the puckered asymmetric washboard (alpha) and buckled honeycomb (beta) bilayer structures. As-deposited antimony films exhibit varying proportions of single alpha and beta structures. We identify the conditions necessary for ordered, pure-phase growth of single to triple beta-antimonene bilayers. Additionally, ...
Added: September 6, 2025
УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
Амиров Э. Ш., Karabassov T., Васенко А. С., В кн.: Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)».: Уфа: Издательство БГПУ, 2023. С. 20–23.
Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности ...
Added: December 25, 2023
Topological Josephson junction in transverse magnetic field
Backens S., Shnirman A., Makhlin Y., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895
We consider Majorana zero modes in a Josephson junction on top of a topological insulator in transverse magnetic field. Majorana zero modes reside at periodically located nodes of Josephson vortices. We find that hybridization of these modes is prohibited by symmetries of the problem at vanishing chemical potential, which ensures better protection of zero modes ...
Added: December 10, 2022
Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. et al., В кн.: XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников.: Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.
Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...
Added: December 7, 2022
О перколяционном режиме объемного транспорта в топологическом изоляторе Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S
Pudalov V., Сахин В. О., Куковицкий Е. Ф. et al., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 115 № 4 С. 270–276
The formation of nanosized charge droplets in the bulk of a three-dimensional topological insulator Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S was evidenced using electron spin resonance. Since electrons and holes are “locked” in these droplets far apart from each other, their participation in bulk conductivity is possible only due to thermal activation or to variable range hopping. Our transport measurements give evidence that ...
Added: November 16, 2022
Effect of Sr Doping on Structural and Transport Properties of Bi2Te3
Kuntsevich A., Materials 2022 Vol. 14 No. 24 P. 7528–7528
Search for doped superconducting topological insulators is of prime importance for new quantum technologies. We report on fabrication of Sr-doped Bi2Te3 single crystals. We found that Bridgman grown samples have p-type conductivity in the low 10^19 cm^(−3), high mobility of 4000 cm^2*V^(−1)s^(−1), crystal structure independent on nominal dopant content, and no signs of superconductivity. We also studied molecular ...
Added: June 17, 2022
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit