• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Articles
  • Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
September 9, 2026
‘Balkan Hospitality Opens Doors: Studying Dialects on the Verge of Extinction
You cannot study spoken dialects from books. Instead, you need to go to a village, seek out its elders, and earn the trust of local residents before you can record hours of spontaneous stories. This is how Natalia Muravleva, Associate Professor at the Faculty of Humanities, conducts her research. Her internship in Serbia continued her long-standing study of dialects spoken by Macedonian settlers. In this interview, she discusses how diaspora cultural centres help researchers reach informants, why native speakers need to be interviewed only in their own language (otherwise, as she puts it, they may 'break'), and how a single field season helped her finalise her monograph. She also shares warm memories of autumn in Belgrade and of colleagues with whom grammar can be discussed in three languages at once.
September 9, 2026
Scientists Train Neural Network to Generate Process Plans from 3D Models
Researchers at the HSE FCS AI and Digital Science Institute have developed CAD2TechSpec, a framework that converts 3D models of mechanical parts into machining process plans—step-by-step instructions for machine tools. The solution aims to reduce the time required for the design and preparation of technical process documentation in mechanical engineering, aircraft manufacturing, and other high-tech industries. The study findings have been published in PeerJ Computer Science.
September 7, 2026
Biologists Discover 'Molecular Fingerprint' of Preeclampsia
Researchers at HSE University employed a new method to model hypoxia in placental cells during pregnancies complicated by preeclampsia and identified molecular markers of tissue hypoxia. Since hypoxia is one of the key mechanisms underlying preeclampsia, these findings are important for a more accurate and timely diagnosis of the disease and for the development of effective treatment methods. The paper has been published in Placenta.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами

Физика и техника полупроводников. 2025. Т. 59. № 6. С. 344–349.
Denis K., Лаврухина Е. А.
Research target: Physics Nanotechnologies
Language: Russian
DOI
Text on another site
Keywords: топологический изоляторкубитмагнитный барьердвойная квантовая точка
Similar publications
Built-in electric field and its origin at the (111)R surface of topological insulators GeBi4Te7 and MnBi4Te7
Frolov A., Fedorov A., Voroshnin V. et al., Communications Materials 2026
The topological insulator GeBi4Te7 belongs to a family of compounds consisting of alternating quintuple and septuple layers (QLs and SLs), and its surface electronic structure is determined by whether the crystal terminates with a QL or SL layer block. Using spatially and momentum-resolved photoelectron spectroscopy and STM/STS in the field emission resonance spectroscopy regime as ...
Added: September 9, 2026
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Gurina D., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. et al., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
In this work, we combine experimental characterization and molecular dynamics (MD) simulations to elucidate the molecular mechanisms governing the impregnation of mefenamic acid (MFA) into nanocrystalline cellulose (NCC) aerogels. NCC aerogels were impregnated with MFA in scCO2, and low-temperature nitrogen adsorption revealed a concentration-dependent decrease in surface area, pore volume, and pore size, with an ...
Added: September 8, 2026
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. et al., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Using self-consistent Bogoliubov-de Gennes calculations for kagome flakes framed by armchair and flat edges, we observe a configuration-dependent spatial inhomogeneity of an 𝑠-wave superconducting condensate. Specifically, at half-filling, the local pair potential is significantly enhanced by up to 77.8% at edge centers and up to 148.9% at corners, subsequently boosting their local critical temperatures by up to 13.5% and ...
Added: September 7, 2026
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
Marychev P., Shanenko A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
We investigate the effect of weak interband impurity scattering on the intertype (IT) domain between type-I and type-II superconductivity in diffusive two-band superconductors. Our results show that the significant broadening of the IT domain with increasing band diffusivity ratio, previously established in the absence of interband scattering, persists under weak interband scattering. However, depending on ...
Added: September 7, 2026
Элементы теории топологических изоляторов
Denis K., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Added: September 6, 2026
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Denis K., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Added: September 6, 2026
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Denis K., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Added: September 6, 2026
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Denis K., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
A model of quasistationary states is constructed for the one-dimensional edge states propagating along the edge of a two-dimensional topological insulator based on HgTe/CdTe quantum well in the presence of magnetic barriers with finite transparency. The lifetimes of these quasistationary states are found analytically and numerically via different approaches including the solution of the stationary ...
Added: September 6, 2026
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Denis K., Dorokhin M. V., Ved M. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
The GaAs/InGaAs quantum wells with a ferromagnetic δ〈Mn〉 layer in GaAs barrier demonstrate a set of interesting spin-related phenomena originating from Mn-hole interaction. One of such phenomena is a spin-memory effect which consists of Mn spin polarization induced by interaction with vicinity spin-polarized holes generated under the exposure by short circularly polarized light pulses. Here long Mn ...
Added: September 6, 2026
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Added: September 6, 2026
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Denis K., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. et al., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
We have investigated the layers of the (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor with the thickness in the range of 150 – 400 nm, which have been formed by the combination of the methods of a pulsed laser deposition and a post-growth pulsed laser annealing. It has been found that the laser annealing has a significant effect on the structural, ...
Added: September 6, 2026
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Denis K., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
A model of bound state formation from the delocalized edge states of 2D topological insulator (TI) is derived by considering the effects of magnetic barriers attached to the edge of the HgTe/CdTe quantum well. The resulting structure has a spatial form of 1D quantum dot (QD) with variable number of bound states depending on barrier ...
Added: September 6, 2026
Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot
Denis K., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Single-spin state evolution induced by the Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) interference in a Zeeman-spit four-level system in a periodically driven double quantum dot is studied theoretically by the Floquet stroboscopic method. An interplay between spin-conserving and spin-flip tunneling processes with the electric dipole spin resonance (EDSR) that is induced in an individual dot and enhanced by the ...
Added: September 6, 2026
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Added: September 6, 2026
Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Added: September 6, 2026
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg0.3Cd0.7Te
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Added: September 6, 2026
Управление динамикой спина в двойной полупроводниковой квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля
Denis K., Запруднов Н. А., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Added: September 6, 2026
ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами
Denis K., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Added: September 6, 2026
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
The magnetoresistance of superconductor–topological insulator–superconductor structures, with indium as the superconductor and TaSe3 as the topological insulator, shows steplike features on the resistance under magnetic fields. These resistance steps result from the suppression of superconductivity, induced by the superconducting proximity effect in both the bulk and surface states of the topological insulator. The position and ...
Added: March 11, 2026
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. et al., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
The intrinsic substitutional and antisite defects cause unintentional doping and a shift of the E-F position above the conduction band minimum in the AF topological insulator MnBi2Te4. This prevents measurements of the quantum anomalous Hall effect and the investigation of the topological Dirac states. In the present study, the Mn-Bi-Te films grown by the MBE ...
Added: February 18, 2026
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Karabassov T., Bobkova I. V., Pavel M. Marychev et al., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
The diode effect in superconducting materials has been actively investigated in recent years. Plenty of different devices have been proposed as a platform to observe the superconducting diode effect. In this work, we discuss the possibility of a highly efficient superconducting diode design with controllable polarity. We propose a mesoscopic device that consists of two ...
Added: December 22, 2025
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. et al., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Antimonene, the two-dimensional phase of antimony, appears in two distinct allotropes when epitaxially grown on Bi2Se3: the puckered asymmetric washboard (alpha) and buckled honeycomb (beta) bilayer structures. As-deposited antimony films exhibit varying proportions of single alpha and beta structures. We identify the conditions necessary for ordered, pure-phase growth of single to triple beta-antimonene bilayers. Additionally, ...
Added: September 6, 2025
УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
Амиров Э. Ш., Karabassov T., Васенко А. С., В кн.: Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)».: Уфа: Издательство БГПУ, 2023. С. 20–23.
Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности ...
Added: December 25, 2023
Повышение быстродействия квантового алгоритма факторизации Питера Шора путём усовершенствования его классической части
Смирнов И. А., Черкесова Л. В., Разумов П. В. et al., Современные наукоемкие технологии 2019 Т. 1 С. 114–118
The proposed article compares the quantum factorization algorithm of Peter Shor and the factorization algorithm of the ?-John Pollard method. As is well known, the quantum algorithm for factoring Shor consists of classical and quantum parts. In the classical part, it is proposed to use the Euclidean algorithm to find the greatest common divisor of ...
Added: May 10, 2023
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit