• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов

С. 220-222.
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Голубятников В. А., Шадов М. Б.

Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных полупроводников.