Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

Петросянц Константин Орестович; Харитонов Игорь Анатольевич; Попов Дмитрий Александрович

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Публикации

Глава

Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

С. 451-458.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А.

В работе приведены результаты приборно-технологического (TCAD) и схемотехнического (HSPICE) моделирования переходных процессов в ячейках КМОП ИС, изготовленных по технологии «кремний на изоляторе», с учетом влияния эффекта саморазгрева. Исследовано влияние периода входного сигнала на температуры активных областей транзисторов. Электрические и тепловые параметры структур КМОП КНИ транзисторов, полученные на этапе TCAD моделирования, использованы на этапе схемотехнического моделирования составленных из этих транзисторов схем.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 1.47 Мб)

Ключевые слова: КМОП КНИ БИС SYNOPSYS TCAD HSPICE кремний на изоляторе эффект саморазогревва моделирование схем

Публикация подготовлена по результатам проекта: Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям(2013)

В книге

Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26

Под науч. редакцией: С. У. Увайсов Т. 3. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

Харитонов И. А. В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

Добавлено: 12 апреля 2012

Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.

Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD.

Добавлено: 12 апреля 2012

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012