Глава
Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева
В работе приведены результаты приборно-технологического (TCAD) и схемотехнического (HSPICE) моделирования переходных процессов в ячейках КМОП ИС, изготовленных по технологии «кремний на изоляторе», с учетом влияния эффекта саморазгрева. Исследовано влияние периода входного сигнала на температуры активных областей транзисторов. Электрические и тепловые параметры структур КМОП КНИ транзисторов, полученные на этапе TCAD моделирования, использованы на этапе схемотехнического моделирования составленных из этих транзисторов схем.