• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure

P. 274-277.

Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены результаты моделирования статических и частотных характерстик SiGe ГБТ после воздействия протонов. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерений.

В книге

SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure
Под редакцией: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012.