• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
«Высшая школа экономики»
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
27 января 2021
Трудности перерасчета: как оценить масштабы советской экономики и темпы ее роста
Ученые, которые пытаются сравнить данные об экономике СССР и капиталистических стран, сталкиваются с вопросом полноты, доступности и достоверности информации о производстве и росте советского народного хозяйства. Доцент факультета экономических наук НИУ ВШЭ Илья Воскобойников на онлайн-семинаре Международного центра истории и социологии Второй мировой войны и ее последствий НИУ ВШЭ представил обзор имеющихся подходов к исследованию абсолютных размеров советской экономики и темпов ее роста.
27 января 2021
«Маленький ядерный взрыв»: как готовили педагогов и психологов в Красноярске тридцать лет назад
Участники традиционного вторничного семинара Института образования ВШЭ обсудили, как создать научно-образовательный центр мирового уровня – на примере психолого-педагогического факультета Красноярского госуниверситета конца 1980-х – начала 1990-х годов. Семинар был посвящен памяти одного из лидеров этого проекта, профессора Сибирского федерального университета и приглашенного профессора ВШЭ Бориса Хасана, скончавшегося 14 января.
26 января 2021
В России растет привлекательность научной карьеры
В последние три года почти вдвое увеличилась доля россиян, приветствующих выбор карьеры в науке своими детьми. Профессию ученого одобряет 62% респондентов. В то же время научная деятельность по-прежнему уступает в привлекательности карьере врача и юриста. Таковы результаты опроса, который проводится Институтом статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ с 2003 года.

Глава

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

P. 267-270.
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E., Kozhukhov M.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Язык: английский
Полный текст (PDF, 403 Кб)
Ключевые слова: BJTHBT BJTeffects of neutron irradiationSynopsys TCADcarrier lifetime degradationcurrent gaintest structures

В книге

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11)
Под науч. редакцией: В. Хаханов. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.
Похожие публикации
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
Петросянц К. О. Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 42-45.

Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия ради­ации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определе­ния их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонен­тов п/п БИС.

Добавлено: 30 января 2019
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. V. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
Добавлено: 3 июня 2014
Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE
Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.

Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.

Добавлено: 12 апреля 2012
The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. In bk.: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen: 2013. P. 35-36.

Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures are emphasized. Application of the subsystem is illustrated on the example of radiation hardened 0.25 μm SOI MOSFET test structures.

Добавлено: 29 апреля 2013
Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194.
Добавлено: 17 октября 2014
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755.
Добавлено: 23 января 2014