• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

P. 267-270.
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E., Kozhukhov M.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

В книге

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Под науч. редакцией: В. Хаханов. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.