TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

K. O. Petrosyants; D. A. Popov; M. R. Ismail-Zade; L. M. Sambursky; Li Bo; Wang Y. C.

doi:10.31114/2078-7707-2020-4-2-8

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Публикации

Глава

TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

P. 2-8.

K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C.

Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов.

Язык: английский

Полный текст (PDF, 971 Кб)

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: decananometer MOSFETs DSOI TCAD SPICE total ionizing dose single event upset

В книге

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).

Под науч. редакцией: А. Иванников Вып. 4. ИППМ РАН, 2020.

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

Добавлено: 12 апреля 2012

TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric

Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky et al. Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463.

Добавлено: 2 марта 2017

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014

Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD

Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. In bk.: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj: IEEE, 2019. P. 1-4.

Добавлено: 31 мая 2019

TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures

Petrosyants K., Popov D., Bykov D. Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7. P. 487-493.

Добавлено: 30 января 2018