?
Photo-electron emission directly in superfluid helium
Ch. 012085. P. 1–5.
Ихсанов Р. Ш., Protsenko I., Smetanin I. и др., Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 50 P. 24223–24232
Добавлено: 5 сентября 2023 г.
V. N. Glazkov, Yu. V. Krasnikova, Rodygina I. K. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 Article 014414
Добавлено: 28 января 2020 г.
Голоколенов И. А., Халдеев С. И., Pyurbeeva E. B. и др., , in: IX International Conference for Professionals & Young Scientists LOW TEMPERATURE PHYSICS ICPYS LTP 2018.: Kharkov: FOP Mezina Kharkiv, 2018. P. 197–197.
Добавлено: 31 октября 2019 г.
Kharkov: FOP Mezina Kharkiv, 2018.
Добавлено: 31 октября 2019 г.
Завьялов В. В., Pyurbeeva E. B., Халдеев С. И., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 969 Article 012085
Добавлено: 10 ноября 2018 г.
Завьялов В. В., Chernyaev S. A., Shein K. V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 969 No. 012086 P. 1–6
Добавлено: 10 ноября 2018 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., В кн.: XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия.: М.: ОАО "НПО "Орион", 2014. Гл. 64 С. 441–444.
Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был ...
Добавлено: 22 октября 2014 г.
Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., В кн.: Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220–222.
Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных ...
Добавлено: 11 октября 2013 г.