?
CRYOGENIC THIN-FILM ELECTRON EMITTER
P. 197–197.
В книге
Kharkov: FOP Mezina Kharkiv, 2018.
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I. и др., High Temperature Material Processes 2022 Vol. 26 No. 1 P. 17–32
Добавлено: 17 февраля 2022 г.
Добавлено: 26 мая 2020 г.
Предложена модель усиленной электрическим полем термической (термополевой) эмиссии электронов из
металлической подложки катода в тонкую диэлектрическую пленку на его поверхности. Сформулирована
система уравнений для температуры поверхности катода в дуговом разряде и напряженности электрического поля в пленке, обеспечивающих необходимую плотность разрядного тока. Показано, что наличие
диэлектрической пленки может приводить к существенному понижению температуры катода в разряде
вследствие меньшей высоты потенциального ...
Добавлено: 21 марта 2020 г.
Завьялов В. В., Pyurbeeva E. B., Халдеев С. И., , in: 28th International Conference on Low Temperature Physics.: M.: Faculty of Physics, MSU, 2017. Ch. 012085 P. 1–5.
Добавлено: 23 октября 2019 г.
Добавлено: 5 июня 2019 г.
D. A. Khokhlov, Rakhmanov A. L., Rozhkov A. V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 97 No. 235418 P. 235418-1–235418-8
Добавлено: 1 февраля 2019 г.
Завьялов В. В., Pyurbeeva E. B., Халдеев С. И., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 969 Article 012085
Добавлено: 10 ноября 2018 г.
Добавлено: 6 августа 2018 г.
Добавлено: 12 марта 2018 г.
Kopnin S.I., Morozova T. I., Popel S.I., IEEE Transactions on Plasma Science 2018 Vol. 46 No. 4 P. 701–703
Развита теория, описывающая процессы зарядки пылевых частиц в ситуации, когда пылевые частицы подвержены действию пучка электронов. Показано, что в рассматриваемой ситуации необходимо учитывать эмиссию поля электронов наряду с непостредственным воздействием пучка электронов на пылевую частицу. Вычислен ток эмиссии поля электронов, модифицированный эффектом Шоттки. Найдены стационарные значения зарядов пылевых частиц. Показано, что в рассматриваемой ситуации электростатическая ...
Добавлено: 31 января 2018 г.
Бондаренко Г. Г., Kristya V. I., Savichkin D. O., , in: Proceedings of the XXIII International Conference «Ion-Surface Interactions» ISI–2017 (Moscow, Russia, August 21-25, 2017). Moscow, National Research Nuclear University «MEPhI», 2017Vol. 3.: National Research Nuclear University «MEPhI», 2017. Ch. 3 P. 178–181.
Добавлено: 31 августа 2017 г.
Вербус В. А., Kozlov V. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2012 Vol. 6 No. 5 P. 726–729
The effect of spherical quantum objects (scatterers) embedded into semiconductor barriers on the tunnel current flowing through them has been studied. For this purpose, the problem of the scattering of incident and reflected wave functions (damping if their energy is less than the barrier potential) of the electron by the stepwise spherically symmetric scattering potential ...
Добавлено: 24 февраля 2015 г.
Kozlov V. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2012 Vol. 6 No. 5 P. 726–729
Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом, сферически симметричном потенциале рассеивателя. ...
Добавлено: 24 февраля 2015 г.
Козлов В. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2012 № 9 С. 22–26
Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в
полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом, сферически симметричном потенциале рассеивателя. ...
Добавлено: 24 февраля 2015 г.
Чернов А. А., М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2006.
Кратко изложены физические основы и математическая модель процесса термоэлектронной эмиссии из металла. Представлены описание экспериментальной установки для исследования процесса термоэлектронной эмиссии из металла и методика выполнения лабораторной работы.
Предназначены для студентов III-го курса специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Добавлено: 22 июня 2012 г.